技术趋势与挑战
半导体先进制程:
◦ EUV光刻胶需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷数<10个),开发低粗糙度(≤5nm)材料;
◦ 极紫外吸收问题:胶膜对13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑战化学增幅体系的灵敏度。
环保与低成本:
◦ 水性负性胶替代溶剂型胶(如PCB阻焊胶),减少VOC排放;
◦ 单层胶工艺替代多层胶,简化流程(如MEMS厚胶的一次性涂布)。
新兴领域拓展:
◦ 柔性电子:开发耐弯曲(曲率半径<5mm)、低模量感光胶,用于可穿戴设备电路;
◦ 光子芯片:高折射率胶(n>1.8)制作光波导,需低传输损耗(<0.1dB/cm)。
典型产品与厂商
• 半导体正性胶:
◦ 日本信越(Shin-Etsu)的ArF胶(分辨率22nm,用于12nm制程);
◦ 美国陶氏(Dow)的EUV胶(灵敏度10mJ/cm²,缺陷密度<5个/cm²)。
• PCB负性胶:
◦ 中国容大感光(LP系列):耐碱性蚀刻,厚度20-50μm,国产化率超60%;
◦ 日本东京应化(TOK)的THMR-V:全球PCB胶市占率30%,适用于高可靠性汽车板。
• MEMS厚胶:
◦ 美国陶氏的SU-8:实验室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需优化交联均匀性);
◦ 德国Microresist的MR胶:耐深硅蚀刻,线宽精度±2%,用于工业级MEMS制造。
光刻胶的关键应用领域。宁波激光光刻胶感光胶
国家战略支持
《国家集成电路产业投资基金三期规划》将光刻胶列为重点投资领域,计划投入超500亿元支持研发。工信部对通过验证的企业给予税收减免和设备采购补贴,单家企业比较高补贴可达研发投入的30%。
地方产业协同
济南设立宽禁带半导体产业专项基金,深圳国际半导体光刻胶产业展览会(2025年4月)吸引全球300余家企业参展,推动技术交流。
资本助力产能扩张
恒坤新材通过科创板IPO募资15亿元,扩大KrF光刻胶产能并布局集成电路前驱体项目。彤程新材半导体光刻胶业务2024年上半年营收增长54.43%,ArF光刻胶开始形成销售。
大连高温光刻胶感光胶光刻胶的技术挑战现在就是需要突破难关!
LCD显示
• 彩色滤光片(CF):
◦ 黑色矩阵(BM)光刻胶:隔离像素,线宽精度±2μm,透光率<0.1%。
◦ RGB色阻光刻胶:形成红/绿/蓝像素,需高色纯度(NTSC≥95%)和耐光性。
• 阵列基板(Array):
◦ 栅极绝缘层光刻胶:用于TFT-LCD的栅极图案化,分辨率≤3μm。
OLED显示(柔性/刚性)
• 像素定义层(PDL)光刻胶:在基板上形成有机发光材料的 confinement 结构,线宽精度±1μm,需耐溶剂侵蚀(适应蒸镀工艺)。
• 触控电极(如ITO/PET):通过光刻胶图形化实现透明导电线路,线宽≤5μm。
Mini/Micro LED
• 巨量转移前的芯片制备:使用高分辨率光刻胶(分辨率≤5μm)定义微米级LED阵列,良率要求>99.99%。
国际厂商策略调整
应用材料公司获曝光后处理,可将光刻胶工艺效率提升40%。杜邦因反垄断调查在中国市场面临压力,但其新一代乾膜式感光型介电质材料(CYCLOTENE DF6000 PID)仍在推进,试图通过差异化技术维持优势。日本企业则通过技术授权(如东京应化填补信越产能缺口)维持市场地位。
国内产业链协同升级
TSMC通过租赁曝光设备帮助供应商降低成本,推动光刻胶供应链本地化,其中国台湾EUV光刻胶工厂年产能达1000瓶,产值超10亿新台币。国内企业借鉴此模式,如恒坤新材通过科创板IPO募资15亿元,建设集成电路前驱体项目,形成“光刻胶-前驱体-设备”协同生态。
技术标准与壁垒
美国实体清单限制日本厂商对华供应光刻胶,中国企业需突破。例如,日本在EUV光刻胶领域持有全球65%的,而中国只占12%。国内企业正通过产学研合作(如华中科技大学与长江存储联合攻关)构建自主知识产权体系。
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研发投入
◦ 拥有自己实验室和研发团队,研发费用占比超15%,聚焦EUV光刻胶前驱体、低缺陷纳米压印胶等前沿领域,与中山大学、华南理工大学建立产学研合作。
◦ 专项布局:累计申请光刻胶相关的项目30余项,涵盖树脂合成、配方优化、涂布工艺等细致环节。
生产体系
◦ 全自动化产线:采用德国曼茨(Manz)涂布设备、日本岛津(Shimadzu)检测仪器,年产能超500吨(光刻胶),支持小批量定制(小订单100g)和大规模量产。
◦ 洁净环境:生产车间达万级洁净标准(ISO 8级),避免颗粒污染,确保光刻胶缺陷密度<5个/cm²。
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光刻胶系列:
厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;
水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;
LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;
半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。
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