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ESD保护器件基本参数
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ESD保护器件企业商机

ESD保护器件分类:压敏电阻:压敏电阻是一种限压型ESD保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻主要可用于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。压敏电阻的失效模式主要是短路,当通过的过电流太大时,也可能造成阀片被炸裂而开路。压敏电阻使用寿命较短,多次冲击后性能会下降。因此由压敏电阻构成的防雷器长时间使用后存在维护及更换的问题。ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力;大型ESD保护器件供应

如何选择ESD保护器件?要选择适当的ESD保护器件(通常是TVS)构建ESD电路,应考虑较大工作电压、寄生电容(Cin)、引脚配置、钳制电压、封装类型和ESD抵抗力等。确定ESD保护器件工作电压之前,需要了解保护电路的工作电压。在选择ESD保护器件工作电压后,可以决定其寄生电容(Cin)。Cin从小于0.5pF到超过数百pF不等,影响产品速度。为了保护高速接口信号,Cin需要小;而对于电源线,Cin将相对不受限制。还应权衡Cin失真对高速接口信号的影响。眼图通常用于检查信号是否受到Cin的影响或衰变。此外,还需要确定单向或双向特性、ESD保护器件的钳制电压,ESD器件的另一个重要参数是封装。不同终端产品可选择不同的封装ESD器件ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力,至少该器件必须通过IEC 61000-4-2 level 4,即在接触模式下达到±8kV,在空气模式下达到±15kV。大型ESD保护器件供应双向ESD保护器件可以通过正负击穿电压(VBR)的信号。

ESD 保护器件对结构设计和工艺要求更高,结构更加复杂,一般设计成多路PN 结集成结构,采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。ESD 保护器件能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护,表示着当前TVS 的技术水平和发展方向。TVS/ESD 保护器件的应用领域普遍,随着在5G 基础设施和5G 手机、电动汽车充电桩、个人电脑、工业电子等市场的推动下,业内人士预计TVS/ESD 保护器件将大幅度增长。ESD (Electro-Static Discharge,静电放电)对于我们来说是一种常见的现象,然而对电子产品而言,ESD 往往是致命的——它可能导致元器件内部线路受损,直接影响产品的正常使用寿命,甚至造成产品的损坏。因此,ESD 防护一直以来都是工程师们的工作重点。对于刚开始职业生涯的电子工程师而言,在掌握专业技能之前通常都要接受一些ESD相关知识的培训,足见ESD 防护的地位与重要性。

ESD保护器件防护原理及选型:当系统没有干扰,正常工作时,ESD器件可以忽略,几乎不起作用。当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压(VBR),ESD器件开始起作用,并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压(VRWM)与击穿电压(VBR)的区别,选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压(VRWM),例如系统是0~5V,那么我们应该选择工作电压(VRWM)大于5V的TVS。单向ESD器件和双向ESD器件,双向ESD器件可以通过正负击穿电压(VBR)的信号,而单向ESD器件只可以通过正击穿电压(VBR)的信号,如果通过负的就会造成ESD器件击穿。双向ESD器件和单向ESD器件的特点,单向ESD器件对于负压的保护更好。确定ESD保护器件工作电压之前,需要了解保护电路的工作电压。

半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时,硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备,使用ESD保护器件的地方也非常多样化。ESD保护器件在出厂时都需要通过测试,其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻,并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压,来评估产品的击穿电阻,以了解这些器件的情况。在选择ESD保护器件工作电压后,可以决定其寄生电容(Cin)。大型ESD保护器件供应

ESD保护器件的主要性能参数有哪些?大型ESD保护器件供应

ESD保护器件的作用有哪些?ESD保护器件的作用:ESD保护器件在出厂时都需要通过测试,其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻,并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压,来评估产品的击穿电阻,以了解这些器件的情况。ESD保护器件和对策组件的主要功能是使进入器件的ESD能够逃逸到地面,如果没有保护装置,则具有几千伏电压的ESD将直接应用于内部IC,这将对芯片带来严重的影响。大型ESD保护器件供应

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ESD保护器件的主要性能参数有哪些?电容(Capacitance),在给定电压、频率条件下测得的值,此值越小,对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级),压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地,TVS管的响应时间是ns级,压敏电阻是μs级,此时间越小,更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding),TVS技术利用的是半导体的钳位原理,在经受瞬时高压时,会立即将能量释放出去,基本上没有寿命限制;而压敏电阻采用的是物理吸收原理,因此每经过一次ESD事件,材料就会...

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