山东ESD保护器件市场

ESD保护器件的使用需要注意什么？ESD保护器件是经常见到的，为 USB 4™ 选择 ESD 保护器件：新的 USB 4™ 规范引入了一些更改，会影响 ESD 保护器件的选择。显然，ESD 保护需要在为系统增加低插入损耗（信号衰减）和低回波损耗（信号反射）的同时，提供低钳位以保护敏感的高速数据线。放置 ESD 保护器件的较佳位置是直接放置在连接器后的入口处。如果将 USB 4 的 ESD 保护器件放置在此位置，则此 ESD 保护器件的额定电压应向后兼容可通过 USBType-C® 连接的所有标准。ESD保护器件具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性。山东ESD保护器件市场

ESD保护器件的主要性能参数有哪些？电容(Capacitance)，在给定电压、频率条件下测得的值，此值越小，对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级)，压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地，TVS管的响应时间是ns级，压敏电阻是μs级，此时间越小，更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding)，TVS技术利用的是半导体的钳位原理，在经受瞬时高压时，会立即将能量释放出去，基本上没有寿命限制；而压敏电阻采用的是物理吸收原理，因此每经过一次ESD事件，材料就会受到一定的物理损伤，形成无法恢复的漏电通道，会随着使用次数的增多性能下降，存在寿命限制。南京ESD保护器件费用双向ESD保护器件可以通过正负击穿电压（VBR）的信号。

ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同，以实现必要的功能。EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。陶瓷基类型则分为两种，即采用电压依赖型可变电阻器的压敏电阻型，和电极间放电的抑制型，半导体基类型则包括齐纳(恒定电压)二极管类型与场效应晶体管方法。半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。此外，采用适当的ESD对策可以使设备性能稳定。

ESD保护元件的作用是转移来自敏感元件的ESD应力，使电流流过保护元件而非敏感元件，同时维持敏感元件上的低电压；ESD保护元件还应具有低泄漏和低电容特性，不会降低电路功能；不会对高速信号造成损害，在多重应力作用下保护元件的功能不会下降。瞬态电压抑制器（TVS）、片式压敏电阻MLV是常用ESD保护元件。在选择ESD静电保护元件时，仍应该细致地做好实际的对比，以及运用IEC61000-4-2测试来做验证。目前行业惯例是根据8us上升时间和20us持续时间的脉冲公布箝位电压的，而真正的ESD脉冲应该是1ns上升时间和60ns的持续时间。瞬态电压抑制器（TVS）、片式压敏电阻MLV是常用ESD保护元件。

ESD保护器件使用方法——贴片压敏电阻：通过积层陶瓷技术制造的SMD贴片压敏电阻为电压依赖性电阻器件。 为了保护电子电路免受ESD(静电放电)、浪涌等过渡性过电压侵害，其在通信设备、产业设备以及车载设备等领域得到普遍使用。贴片压敏电阻是运用了半导体陶瓷性质的电压保护器件，当施加电压超过某个值时，其会大幅降低电阻值，从而让电流流过。因其具备该特性，因此通过并联贴片压敏电阻便可保护电子器件免受ESD或浪涌的侵害。通过在输入输出部以并联方式连接贴片压敏电阻，在节约空间的同时，还是一项高效的ESD对策。为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏，需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。山东ESD保护器件批发价格

ESD保护器件是业内理想的高频数据保护器件。山东ESD保护器件市场

为了保护一颗芯片，板级采用了多种类型的保护器件来实现，这就是大批量、高可靠性产品需要的ESD保护设计。ESD保护器件底部连接器设计普遍应用在移动消费类产品上，由于是直流回路，可选用高电容器件。因此端口可能会受到高能量的冲击，我们可以选用集成了TVS和过流保护功能的器件。目前有四种针对IC电路和电子组件等各种器件的通用性测试方法，包括IEC61000-4-2标准，HBM(HumanBody Model，人体模型)、MM(MachineModel，机器模型)和CDM(ChargedDevice Model，充电器件模型)。山东ESD保护器件市场

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