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ESD保护器件基本参数
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ESD对IC的损伤主要有两类,即大电流产生局部热量、高电场损伤绝缘层,都会导致电路或者器件功能性能的异常。ESD保护的基本原理就是并联保护器件,以此泄放大电流和钳位高电压,避免对内部电路造成损伤。保护的原理已经非常清楚,那么在具体实施过程中,一种方式是减少静电的产生,例如静电手套、指套、离子风扇等中和静电,这样就减少了芯片受到的ESD威胁;另一种就是让自身变得更加强大,既然无法避免强大静电的产生,那么尽可能增强自身的抗ESD冲击能力,这可以通过系统级和ESD保护器件来实现。ESD保护器件的重要参数是封装。杭州常用ESD保护器件

什么是ESD呢?这是当两个带电物体(例如人体和电子设备)彼此接触时,便会释放出静电,这种现象便称为ESD。从人体产生的ESD可以是几千伏的量级,当该高压脉冲进入被触摸的电子设备时,将导致其内部的IC电路的故障或破坏。为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏,便需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。在高速电量传输过程中易产生潜在的破坏电压、电流及电磁场,ESD防护器件能够有效保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲和静电的损坏。陕西ESD保护器件现货供应ESD保护器件不会对高速信号造成损害;

ESD保护器件的ESD是什么意思?静电放电即ESD(Electro-Static discharge),是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD。ESD是一种常见的近场危害源,可形成高电压,强电场,瞬时大电流,并伴有强电磁辐射,形成静电放电电磁脉冲。静电放电形式与带电体的几何形状、电压和带电体的材质有关。

近年,市场对于防雷及ESD静电保护组件的需求,大致可分为两大发展方向。一是越来越低的等效电容,这是由于近年各项传输port的加速发展,带动带宽越来越大且速度越来越快,例如USB 3.0的数据传输速度达到5Gbps,比现有的USB 2.0快上十倍;使得客户端对于ESD静电保护组件的等效电容要求越来越严苛。对于保护组件厂商而言,如何降低等效电容已成为主要产品的技术发展方向。另一主要趋势则是小型化封装。面向小型化封装的趋势,防雷击和ESD静电保护组件小型化的趋势也越来越明显。特别是超极本、平板计算机及智能手机等产品蓬勃发展,更显得客户端对此需求越来越殷切。ESD保护器件低导通电压;

ESD保护器件TVS的ESD保护原理:许多集成电路(IC)都有一些可能比较敏感的输入,这使得它们在输入电压远高于正常值的的情况下(例如在ESD应力作用下)易于受损。正常工作电压与使器件开始受损的电压之间的区域是安全过压区。安全过压区与器件受损区之间有少许交叠,因为如果较大的过压单持续极短时间,那么即使不是在安全过压区,器件可能也可以承受。TVS的任务就是发生ESD事件时,将输入电压维持在安全过压范围之内,而在正常工作时不影响系统性能。TVS器件被放置于邻近ESD事件可能进入系统的位置,旨在限制敏感节点处的电压,并将电流引至不太敏感的节点,如地电平。为实现这个功能,TVS必须在正常工作电压范围内拥有高阻抗,在正常工作电压范围之外拥有低阻抗,这样才能将电流直接从敏感节点引开,并限制瞬态电压。静电放电即ESD,是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。广州ESD保护器件价格

ESD保护器件能抑制静电荷的积累和静电压的产生;杭州常用ESD保护器件

高速电路设计的系统工程师或者硬件工程师必须仔细选择在设计中所需要的所有元器件,选择合适的ESD保护元件就具有比以前更大的挑战性,因为ESD保护器件在一些高速电路接口上已经变得不再是一个简单的ESD器件,还包含了杂散的寄生参数,以及安装到PCB板上时的寄生电感等参数。虽然目前很多公司都无法提供ESD器件的S参数,但是对于高速电路而言,这确实是需要考虑的影响因子之一。所以在选择器件时,不但要看器件的防护等级,还需要注意其寄生效应。杭州常用ESD保护器件

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ESD保护器件的主要性能参数有哪些?电容(Capacitance),在给定电压、频率条件下测得的值,此值越小,对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级),压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地,TVS管的响应时间是ns级,压敏电阻是μs级,此时间越小,更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding),TVS技术利用的是半导体的钳位原理,在经受瞬时高压时,会立即将能量释放出去,基本上没有寿命限制;而压敏电阻采用的是物理吸收原理,因此每经过一次ESD事件,材料就会...

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