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ESD保护器件基本参数
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  • 上海光宇
  • 型号
  • 齐全
ESD保护器件企业商机

ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同,以实现必要的功能。EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。陶瓷基类型则分为两种,即采用电压依赖型可变电阻器的压敏电阻型,和电极间放电的抑制型,半导体基类型则包括齐纳(恒定电压)二极管类型与场效应晶体管方法。半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时,硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备,使用ESD保护器件的地方也非常多样化。此外,采用适当的ESD对策可以使设备性能稳定。ESD是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。绍兴ESD保护器件报价

高速电路设计的系统工程师或者硬件工程师必须仔细选择在设计中所需要的所有元器件,选择合适的ESD保护元件就具有比以前更大的挑战性,因为ESD保护器件在一些高速电路接口上已经变得不再是一个简单的ESD器件,还包含了杂散的寄生参数,以及安装到PCB板上时的寄生电感等参数。虽然目前很多公司都无法提供ESD器件的S参数,但是对于高速电路而言,这确实是需要考虑的影响因子之一。所以在选择器件时,不但要看器件的防护等级,还需要注意其寄生效应。武汉ESD保护器件订购预计从2020年至2024年,全球ESD保护器件市场复合年均增长率为5%。

近年,市场对于防雷及ESD静电保护组件的需求,大致可分为两大发展方向。一是越来越低的等效电容,这是由于近年各项传输port的加速发展,带动带宽越来越大且速度越来越快,例如USB 3.0的数据传输速度达到5Gbps,比现有的USB 2.0快上十倍;使得客户端对于ESD静电保护组件的等效电容要求越来越严苛。对于保护组件厂商而言,如何降低等效电容已成为主要产品的技术发展方向。另一主要趋势则是小型化封装。面向小型化封装的趋势,防雷击和ESD静电保护组件小型化的趋势也越来越明显。特别是超极本、平板计算机及智能手机等产品蓬勃发展,更显得客户端对此需求越来越殷切。

ESD保护器件TVS的ESD保护原理:许多集成电路(IC)都有一些可能比较敏感的输入,这使得它们在输入电压远高于正常值的的情况下(例如在ESD应力作用下)易于受损。正常工作电压与使器件开始受损的电压之间的区域是安全过压区。安全过压区与器件受损区之间有少许交叠,因为如果较大的过压单持续极短时间,那么即使不是在安全过压区,器件可能也可以承受。TVS的任务就是发生ESD事件时,将输入电压维持在安全过压范围之内,而在正常工作时不影响系统性能。TVS器件被放置于邻近ESD事件可能进入系统的位置,旨在限制敏感节点处的电压,并将电流引至不太敏感的节点,如地电平。为实现这个功能,TVS必须在正常工作电压范围内拥有高阻抗,在正常工作电压范围之外拥有低阻抗,这样才能将电流直接从敏感节点引开,并限制瞬态电压。ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同,以实现必要的功能。

常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等,因其具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性,能够瞬间进入低阻态,故具有良好的电流泄放能力,可以作为ESD防护器件。在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。在VDD相对于VSS发生Positive ESD Pulse时,Diode发生雪崩击穿并释放ESD电流,从而保护内部电路不受ESD影响。但由于二极管完全通过雪崩击穿释放ESD电流,在大电流下器件的功耗很大,因此这种模式下二极管的抗ESD能力往往很低,器件的微分电阻也较大;而在VDD相对于VSS发生Negative ESD Pulse时,该Diode为正偏并释放ESD电流,由于二极管的正向导通电压很小,此模式下器件的功耗很小,因此其抗ESD能力非常强。ESD保护器件可以安全、迅速、有效的消除已产生的静电荷。陕西ESD保护器件

ESD保护器件易安装,可以同时实现多条数据线保护;绍兴ESD保护器件报价

当ESD保护器件安装在外部接口和IC之间以保护IC时,IC的输入将通过ESD保护器件接地,使ESD能够逃逸到地面。在正常驱动电压(几伏)下,IC与地隔离,因此不会损害数据通信。当向其施加几千伏电压时便将IC电路接地,并且当施加几伏电压时将其与地隔离,这是ESD保护器件的必要功能。ESD静电保护元器件特点特性:低电容,较低可达到零点几皮法;快速响应时间:通常小于1.0PS;体积小,小型化器件,节约PCB空间;工作电压可以根据IC的工作电压设计,比如:2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等;灵活度高,可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数;封装形式多样化。绍兴ESD保护器件报价

上海光宇睿芯微电子有限公司总部位于张衡路198弄10号楼502A,是一家上海光宇睿芯微电子有限公司座落于上海浦东张江高科技园区内,是专业从事半导体过电压保护器件、功率MOSFT页件、集成电照的设计与销售的****,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路设计的供应商之一。公司产品品种多,覆盖范围广,已广泛应用于通讯系统的接口保护、手机接口保护、掌上数码产品接口保护、电源系统的过压保护、锂电池的BMS和电机驱动。 的公司。光宇睿芯微电子拥有一支经验丰富、技术创新的专业研发团队,以高度的专注和执着为客户提供MOSFET场效应管,ESD保护器件,稳压管价格,传感器。光宇睿芯微电子不断开拓创新,追求出色,以技术为先导,以产品为平台,以应用为重点,以服务为保证,不断为客户创造更高价值,提供更优服务。光宇睿芯微电子始终关注自身,在风云变化的时代,对自身的建设毫不懈怠,高度的专注与执着使光宇睿芯微电子在行业的从容而自信。

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广州ESD保护器件有哪些 2022-06-30

ESD保护器件的主要性能参数有哪些?电容(Capacitance),在给定电压、频率条件下测得的值,此值越小,对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级),压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地,TVS管的响应时间是ns级,压敏电阻是μs级,此时间越小,更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding),TVS技术利用的是半导体的钳位原理,在经受瞬时高压时,会立即将能量释放出去,基本上没有寿命限制;而压敏电阻采用的是物理吸收原理,因此每经过一次ESD事件,材料就会...

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