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ESD保护器件基本参数
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当ESD保护器件安装在外部接口和IC之间以保护IC时,IC的输入将通过ESD保护器件接地,使ESD能够逃逸到地面。在正常驱动电压(几伏)下,IC与地隔离,因此不会损害数据通信。当向其施加几千伏电压时便将IC电路接地,并且当施加几伏电压时将其与地隔离,这是ESD保护器件的必要功能。ESD静电保护元器件特点特性:低电容,较低可达到零点几皮法;快速响应时间:通常小于1.0PS;体积小,小型化器件,节约PCB空间;工作电压可以根据IC的工作电压设计,比如:2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等;灵活度高,可以根据应用需求设计电容、封装形式、浪涌承受能力等参数;封装形式多样化。ESD保护器件在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻。四川ESD保护器件有哪些

ESD TVS器件采用的技术主要有:压敏电阻、聚合物和硅二极管,每种技术各有其独特特性。1.金属氧化物压敏电阻(MOV),压敏电阻在小电流和低电压下具有高阻抗,但在高电压和大电流下,它们的阻抗大幅下降,因此它们属于电压箝位器件。压敏电阻是双向保护器件,具有很宽范围的电流和电压保护能力,适用从高压输电线路和雷电保护,到到小型ESD表面贴装器件等应用领域,。然而,相对于它们的导电率来说,它们电容较大,这意味着它们在高速信号线路保护方面的应用受到限制。压敏电阻在遭受多次应力后,性能也会下降,即使远低于单次应力导致的损坏等级。北京ESD保护器件市场报价当系统没有干扰,正常工作时,ESD器件可以忽略,几乎不起作用。

ESD保护器件的主要性能参数:1、较大工作电压(MaxWorkingVoltage),允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。2、击穿电压(BreakdownVoltage),ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地,TVS管动作电压比压敏电阻低。3、钳位电压(ClampingVoltage),ESD器件流过峰值电流时,其两端呈现的电压,超过此电压,可能造成ESD永远性损伤。4、漏电流(LeakageCurrent),在指定的直流电压(一般指不超过工作电压)的作用下面,流过ESD器件的电流。一般地,TVS管的反向漏电流是nA级,压敏电阻漏电流是μA级,此电流越小,对保护电路影响越小。

芯片级保护器件:正向导通二极管具有很强的泄放能力,是重要的保护器件,在射频、数字端口保护中常用。但是反向二极管电流能力弱,若作为ESD保护,需要较大的芯片面积。三极管和GGNMOS在反偏结击穿后,整体器件进入电导调制的滞回状态,形成S形滞回曲线,泄放电流。SCR是重要的ESD保护器件,通过PNPN结构形成反馈环路,这是典型的特性曲线,具有Vt1高,VH低,开启速度慢的特点。注意对于SCR来说,反向特性虽然也是一个二极管,但是串联了Rpsub和RNW,会影响导通电阻,直接影响钳位特性和导通电阻,所以通常并联一个Dp。ESD静电保护元器件封装多样化。

ESD保护器件种类包括Zener二极管、压敏电阻(varistors),SCR(可控硅整流器)和TVS(瞬时电压抑制器)等。其中,TVS应用较广,因为它具有很强的电容和快速开启速度,保护内部电路的能力。资料显示,预计从2020年至2024年,全球ESD保护器件市场复合年均增长率为5%。ESD原理和模型:当两个具有不同电荷的物体彼此靠近时,可能会形成静电放电(ESD)脉冲。对于任何电子设备,ESD电流可能会造成不可逆转的损坏。因此,ESD保护电路变得极为重要。由ESD保护器件组成的保护电路在ESD电流发生时,提供放电路径,保护电子设备。电阻低的放电路径允许电流通过,并将电压钳制在相对较低的水平,避免对I/O或内部电路造成任何损坏。ESD保护器件一般包括三种:TVS二极管、压敏电阻和聚合物静电抑制器。北京ESD保护器件市场报价

即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备,使用ESD保护器件的地方也非常多样化。四川ESD保护器件有哪些

ESD保护器件在出厂时都需要通过测试,其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻,并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压,来评估产品的击穿电阻,以了解这些器件的情况。ESD保护器件和对策组件的主要功能是使进入器件的ESD能够逃逸到地面,如果没有保护装置,则具有几千伏电压的ESD将直接应用于内部IC,这将对芯片带来严重的影响。当ESD保护器件安装在外部接口和IC之间以保护IC时,IC的输入将通过ESD保护器件接地,使ESD能够逃逸到地面。在正常驱动电压(几伏)下,IC与地隔离,因此不会损害数据通信。当向其施加几千伏电压时便将IC电路接地,并且当施加几伏电压时将其与地隔离,这是ESD保护器件的必要功能。四川ESD保护器件有哪些

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ESD保护器件的主要性能参数有哪些?电容(Capacitance),在给定电压、频率条件下测得的值,此值越小,对保护电路的信号传输影响越小。比如硅半导体TVS管的结电容(pF级),压敏电阻的寄生电容(nF级)。响应时间(ResponseTime)指ESD器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。一般地,TVS管的响应时间是ns级,压敏电阻是μs级,此时间越小,更能有效的保护电路中元器件。寿命(ESDPulseWithstanding),TVS技术利用的是半导体的钳位原理,在经受瞬时高压时,会立即将能量释放出去,基本上没有寿命限制;而压敏电阻采用的是物理吸收原理,因此每经过一次ESD事件,材料就会...

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