企业商机
光刻机基本参数
  • 品牌
  • POLOS
  • 型号
  • BEAM
  • 类型
  • 激光蚀刻机
光刻机企业商机

针对碳化硅(SiC)功率模块的栅极刻蚀难题,Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制,较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备,将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%,开关损耗减少 20%,推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构,使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周,助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。未来技术储备:持续研发光束整形与多材料兼容工艺,lead微纳制造前沿。黑龙江桌面无掩模光刻机光源波长405微米

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某能源研究团队采用 Polos 光刻机制造了压电式微型能量收集器。其激光直写技术在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指电极,器件的能量转换效率达 35%,在 10Hz 振动下可输出 50μW/cm² 的功率。通过自定义电极间距和厚度,该收集器可适配不同频率的环境振动,在智能穿戴设备中实现了运动能量的实时采集与存储。其轻量化设计(体积 < 1mm³)还被用于物联网传感器节点,使传感器续航时间从 3 个月延长至 2 年。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。黑龙江桌面无掩模光刻机光源波长405微米Polos-BESM 光刻机:无掩模激光直写,50nm 精度,支持金属 / 聚合物同步加工,适配第三代半导体器件研发。

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柔性电子是未来可穿戴设备的core方向,其电路图案需适应曲面基底。Polos 光刻机的无掩模技术在聚酰亚胺柔性基板上实现了 2μm 线宽的precise曝光,解决了传统掩模对准偏差问题。某柔性电子研究中心利用该设备,开发出可贴合皮肤的健康监测贴片,其传感器阵列的信号噪声比提升 60%。相比光刻胶掩模工艺,Polos 光刻机将打样时间从 72 小时压缩至 8 小时,加速了柔性电路的迭代优化,推动柔性电子从实验室走向产业化落地。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

在tumor转移机制研究中,某tumor研究中心利用 Polos 光刻机构建了仿生tumor微环境芯片。通过无掩模激光光刻技术,在 PDMS 基底上制造出三维tumor血管网络与间质纤维化结构,其中血管直径可精确控制在 10-50μm。实验显示,该芯片模拟的tumor微环境中,tumor细胞迁移速度较传统二维培养提升 2.3 倍,且化疗药物渗透效率降低 40%,与临床数据高度吻合。该团队通过软件实时调整通道曲率和细胞外基质密度,成功复现了tumor细胞上皮 - 间质转化(EMT)过程,相关成果发表于《Cancer Research》,并被用于新型抗转移药物的筛选平台开发。光学超材料突破:光子晶体结构precise制造,赋能超透镜与隐身技术研究。

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针对植入式医疗设备的长期安全性问题,某生物电子实验室利用 Polos 光刻机在聚乳酸()基底上制备可降解电极。其无掩模技术避免了传统掩模污染,使电极的金属残留量低于 0.01μg/mm²,生物相容性测试显示细胞存活率达 99%。通过自定义螺旋状天线图案,开发出的可降解心率监测器,在体内降解周期可控制在 3-12 个月,信号传输稳定性较同类产品提升 50%,相关技术已进入临床前生物相容性评价阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。双光子聚合扩展:结合Nanoscribe技术实现3D微纳打印,拓展微型机器人制造。四川桌面无掩模光刻机MAX层厚可达到10微米

Polos-BESM 光刻机:无掩模激光技术,成本降低 50%,任意图案轻松输入,适配实验室微纳加工。黑龙江桌面无掩模光刻机光源波长405微米

微流体芯片制造的core工具!Polos光刻机可加工80 µm直径的开环谐振器和2 µm叉指电极,适用于传感器与执行器开发。结合双光子聚合技术(如Nanoscribe的2PP工艺),用户可扩展至3D微纳结构打印,为微型机器人及光学超材料提供多维度解决方案37。其与Lab14集团的协同合作,进一步推动工业级光学封装技术创新3。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。黑龙江桌面无掩模光刻机光源波长405微米

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某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光,较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案,器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s),击穿电压提升至 1200V,远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀,刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%,助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一...

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