四川德国BEAM光刻机光源波长405微米

在tumor转移机制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻机构建了仿生tumor微环境芯片。通过无掩模激光光刻技术，在 PDMS 基底上制造出三维tumor血管网络与间质纤维化结构，其中血管直径可精确控制在 10-50μm。实验显示，该芯片模拟的tumor微环境中，tumor细胞迁移速度较传统二维培养提升 2.3 倍，且化疗药物渗透效率降低 40%，与临床数据高度吻合。该团队通过软件实时调整通道曲率和细胞外基质密度，成功复现了tumor细胞上皮 - 间质转化（EMT）过程，相关成果发表于《Cancer Research》，并被用于新型抗转移药物的筛选平台开发。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接导入，微流控芯片制备周期缩短 40%。四川德国BEAM光刻机光源波长405微米

某集成电路实验室利用 Polos 光刻机开发了基于相变材料的存算一体芯片。其激光直写技术在二氧化硅基底上实现了 100nm 间距的电极阵列，器件的读写速度达 10ns，较传统 SRAM 提升 100 倍。通过在电极间集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相变材料，芯片实现了计算与存储的原位融合，能效比达 1TOPS/W，较传统冯・诺依曼架构提升 1000 倍。该技术被用于边缘计算设备，使图像识别延迟从 50ms 缩短至 5ms，相关芯片已进入小批量试产阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。陕西德国POLOS桌面无掩模光刻机让你随意进行纳米图案化纳 / 微机械：亚微米级结构加工，微型齿轮精度达 ±50nm，推动微机电系统创新。

石墨烯、二硫化钼等二维材料的器件制备依赖高精度图案转移，Polos 光刻机的激光直写技术避免了传统湿法转移的污染问题。某纳米电子实验室在 SiO₂基底上直接曝光出 10nm 间隔的电极阵列，成功制备出石墨烯场效应晶体管，其电子迁移率达 2×10⁵ cm²/(V・s)，接近理论极限。该技术支持快速构建多种二维材料异质结，使器件研发效率提升 5 倍，相关成果推动二维材料在柔性电子、量子计算领域的应用研究进入快车道。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。

无掩模激光光刻技术为研究实验室提供了一种多功能的纳米/微米光刻工具，可用于创建亚微米级特征，并促进电路和器件的快速原型设计。经济高效的桌面配置使研究人员和行业从业者无需复杂的基础设施和设备即可使用光刻技术。应用范围扩展至微机电系统 (MEM)、生物医学设备和微电子器件的设计和制造，例如以下领域：医疗（包括微流体）、半导体、电子、生物技术和生命科学、先进材料研究。全球无掩模光刻系统市场规模预计在 2022 年达到 3.3606 亿美元，预计到 2028 年将增长至 5.0143 亿美元，复合年增长率为 6.90%。由于对 5G、AIoT、物联网以及半导体电路性能和能耗优化的需求不断增长，预计未来几十年光刻市场将持续增长。紧凑桌面设计：Polos-BESM系统only占桌面空间，适合实验室高效原型开发。

Polos光刻机在微机械加工中表现outstanding。其亚微米分辨率可制造80 µm直径的开环谐振器和2 µm叉指电极，适用于传感器与执行器开发。结合双光子聚合技术（如Nanoscribe系统），用户还能扩展至3D微纳结构打印，为微型机器人及光学元件提供多尺度制造方案。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。能源收集：微型压电收集器效率 35%，低频振动发电支持无源物联网。四川德国BEAM光刻机光源波长405微米

科研成果转化：中科院利用同类技术制备跨尺度微盘阵列，研究细胞浸润机制。四川德国BEAM光刻机光源波长405微米

德国Polos-BESM系列光刻机采用无掩模激光直写技术，突破传统光刻对物理掩膜的依赖，支持用户通过软件直接输入任意图案进行快速曝光。其亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圆上实现高精度微纳结构加工18。系统体积紧凑，only占桌面空间，搭配闭环自动对焦（1秒完成）和半自动多层对准功能，大幅提升实验室原型开发效率，适用于微流体芯片设计、电子元件制造等领域。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。四川德国BEAM光刻机光源波长405微米