某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光,较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案,器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s),击穿电压提升至 1200V,远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀,刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%,助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。工业4.0协同创新:与弗劳恩霍夫ILT合作优化激光能量分布,提升制造精度。黑龙江PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
低成本桌面化光刻:SPS POLOS µ的科研普惠!Polos系列在微流体领域实现复杂3D流道结构的快速成型。例如,中科院理化所利用类似技术制备跨尺度微盘阵列,研究细胞浸润行为,为组织工程提供新策略3。Polos的高精度与灵活性支持仿生结构批量生产,推动医疗诊断芯片研发,如tumor筛查与药物递送系统的微型化64。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。湖北德国POLOS桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米技术Benchmark:Polos-µPrinter 入选《半导体技术》年度创新产品,推动无掩模光刻技术普及。
德国 Polos 光刻机系列是电子学领域不可或缺的精密设备。其无掩模激光光刻技术,让电路图案曝光不再受限于掩模,能够实现超高精度的图案绘制。在芯片研发过程中,Polos 光刻机可precise刻画出纳米级别的电路结构,为芯片性能提升奠定基础。 科研团队使用 Polos 光刻机,成功开发出更高效的集成电路,降低芯片能耗,提高运算速度。而且,该光刻机可轻松输入任意图案,满足不同电子元件的多样化设计需求。无论是新型传感器的电路制作,还是微型处理器的研发,Polos 光刻机都能以高精度、低成本的优势,为电子学领域的科研成果产出提供有力保障,推动电子技术不断创新。
超表面通过纳米结构调控光场,传统电子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻机的激光直写技术在石英基底上实现了亚波长量级的图案曝光,将超表面器件制备成本降低至传统方法的 1/5。某光子学实验室利用该设备,研制出宽带消色差超表面透镜,在 400-1000nm 波长范围内成像误差小于 5μm。其灵活的图案编辑功能还支持实时优化结构参数,使器件研发周期从数周缩短至 24 小时,推动超表面技术从理论走向集成光学应用。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。POLOS µ:超紧凑设计,纳米级精度专攻微流控与细胞芯片。
在构建肝脏芯片的血管化网络时,某生物工程团队使用 Polos 光刻机实现了跨尺度结构制备。其无掩模技术在 200μm 的主血管与 5μm 的blood capillary间precise衔接,血管内皮细胞贴壁率达 95%,较传统光刻提升 30%。通过输入 CT 扫描的真实肝脏血管数据,芯片成功模拟门静脉与肝窦的血流梯度,使肝细胞功能维持时间从 7 天延长至 21 天。该技术为药物肝毒性测试提供了接近体内环境的模型,某制药公司使用后将候选药物筛选周期缩短 40%,相关成果登上《Lab on a Chip》封面。跨学科应用:覆盖微机械、光子晶体、仿生传感器与纳米材料合成领域。黑龙江PSP光刻机分辨率1.5微米
柔性电子制造:可制备叉指电容器与高频电路,推动5G通信与物联网硬件发展。黑龙江PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。黑龙江PSP光刻机不需要缓慢且昂贵的光掩模
某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光,较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案,器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s),击穿电压提升至 1200V,远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀,刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%,助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一...