在tumor转移机制研究中,某tumor研究中心利用 Polos 光刻机构建了仿生tumor微环境芯片。通过无掩模激光光刻技术,在 PDMS 基底上制造出三维tumor血管网络与间质纤维化结构,其中血管直径可精确控制在 10-50μm。实验显示,该芯片模拟的tumor微环境中,tumor细胞迁移速度较传统二维培养提升 2.3 倍,且化疗药物渗透效率降低 40%,与临床数据高度吻合。该团队通过软件实时调整通道曲率和细胞外基质密度,成功复现了tumor细胞上皮 - 间质转化(EMT)过程,相关成果发表于《Cancer Research》,并被用于新型抗转移药物的筛选平台开发。未来技术储备:持续研发光束整形与多材料兼容工艺,lead微纳制造前沿。河北德国POLOS桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
某生物力学实验室通过 Polos 光刻机,在单一芯片上集成了压阻式和电容式细胞力传感器。其多材料曝光技术在 20μm 的悬臂梁上同时制备金属电极与硅基压阻元件,传感器的力分辨率达 5pN,位移检测精度达 1nm。在心肌细胞收缩力检测中,该集成传感器实现了力 - 电信号的同步采集,发现收缩力峰值与动作电位时程的相关性达 0.92,为心脏电机械耦合机制研究提供了全新工具,相关论文发表于《Biophysical Journal》。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。北京德国POLOS桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米实时观测系统:120 FPS高清摄像头搭配20x尼康物镜,实现加工过程动态监控。
某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光,较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案,器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s),击穿电压提升至 1200V,远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀,刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%,助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。
德国 Polos 光刻机系列是电子学领域不可或缺的精密设备。其无掩模激光光刻技术,让电路图案曝光不再受限于掩模,能够实现超高精度的图案绘制。在芯片研发过程中,Polos 光刻机可precise刻画出纳米级别的电路结构,为芯片性能提升奠定基础。 科研团队使用 Polos 光刻机,成功开发出更高效的集成电路,降低芯片能耗,提高运算速度。而且,该光刻机可轻松输入任意图案,满足不同电子元件的多样化设计需求。无论是新型传感器的电路制作,还是微型处理器的研发,Polos 光刻机都能以高精度、低成本的优势,为电子学领域的科研成果产出提供有力保障,推动电子技术不断创新。低成本科研普惠:桌面化设计减少投入,无掩膜工艺降低中小型实验室门槛。
大尺寸晶圆的高效处理:Polos-BESM XL的优势!Polos-BESM XL Mk2专为6英寸晶圆设计,写入区域达155×155 mm,平台重复性精度0.1 µm,满足工业级需求。搭配20x/0.75 NA尼康物镜和120 FPS高清摄像头,实时观测与多层对准功能使其成为光子晶体和柔性电子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer软件简化复杂图案设计,内置高性能笔记本实现快速数据处理62。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。德国 SPS Polos:深耕微纳加工 35 年,专注半导体与生命科学领域,全球布局 6 大技术中心,服务 500 + 科研机构。浙江德国POLOS光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
光刻胶broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,优化参数降低侧壁粗糙度。河北德国POLOS桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
微流体芯片制造的core工具!Polos光刻机可加工80 µm直径的开环谐振器和2 µm叉指电极,适用于传感器与执行器开发。结合双光子聚合技术(如Nanoscribe的2PP工艺),用户可扩展至3D微纳结构打印,为微型机器人及光学超材料提供多维度解决方案37。其与Lab14集团的协同合作,进一步推动工业级光学封装技术创新3。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。河北德国POLOS桌面无掩模光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
某半导体实验室采用 Polos 光刻机开发氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)。其激光直写技术在蓝宝石衬底上实现了 50nm 栅极长度的precise曝光,较传统光刻工艺线宽偏差降低 60%。通过自定义多晶硅栅极图案,器件的电子迁移率达 2000 cm²/(V・s),击穿电压提升至 1200V,远超商用产品水平。该技术还被用于 SiC 基功率器件的台面刻蚀,刻蚀深度均匀性误差小于 ±3%,助力我国新能源汽车电控系统core器件的国产化突破。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一...