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光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

LCD 正性光刻胶(YK-200)应用场景:LCD 面板的电极图案化(如 TFT-LCD 的栅极、源漏极)、彩色滤光片制造。特点:高感光度与均匀涂布性,确保显示面板的高对比度和色彩还原度。
厚膜光刻胶(JT-3001)应用场景:Mini LED/Micro LED 显示基板的巨量转移技术,以及 OLED 面板的封装工艺。特点:膜厚可控(可达数十微米),满足高密度像素阵列的精细加工需求。
PCB 光刻胶(如 SU-3 负性光刻胶)应用场景:高多层 PCB、HDI(高密度互连)板的线路成像,以及 IC 载板的精细线路制作。特点:抗电镀性能优异,支持细至 50μm 以下的线宽 / 线距,适应 5G 通信、服务器等 PCB 需求。 PCB厂商必看!这款G-line光刻胶让生产成本直降30%。陕西进口光刻胶价格

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• 化学反应:

◦ 正性胶:曝光后光敏剂(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在碱性显影液中溶解;

◦ 负性胶:曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。

5. 显影(Development)

• 显影液:

◦ 正性胶:碱性水溶液(如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH),溶解曝光区域;

◦ 负性胶:有机溶剂(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光区域。

• 方法:喷淋显影(PCB)或沉浸式显影(半导体),时间30秒-2分钟,需控制显影液浓度和温度。

6. 后烘(Post-Bake)

• 目的:固化胶膜,提升耐蚀刻性和热稳定性。

• 条件:

◦ 温度:100-150℃(半导体用正性胶可能更高,如180℃);

◦ 时间:15-60分钟(厚胶或高耐蚀需求时延长)。

7. 蚀刻/离子注入(后续工艺)

• 蚀刻:以胶膜为掩膜,通过湿法(酸碱溶液)或干法(等离子体)刻蚀基板材料(如硅、金属、玻璃);

• 离子注入:胶膜保护未曝光区域,使杂质离子只能注入曝光区域(半导体掺杂工艺)。

8. 去胶(Strip)

• 方法:

◦ 湿法去胶:强氧化剂(如硫酸+双氧水)或有机溶剂(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

◦ 干法去胶:氧等离子体灰化(半导体领域,无残留)。

吉林PCB光刻胶生产厂家松山湖企业深耕光刻胶领域二十载,提供全系列半导体材料解决方案。

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凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。

公司产品远销全球,并与多家跨国企业及电子加工企业建立长期合作关系。通过在重点区域设立办事处,提供快速响应的技术支持与售后服务。依托东莞 “世界工厂” 的产业资源,公司强化供应链协同,缩短交付周期,为客户提供高效解决方案。

未来,广东吉田半导体材料有限公司将继续深化技术创新,拓展产品应用领域,以可靠的产品与专业的服务,持续巩固其在半导体材料行业的重要地位。

主要应用场景

 印刷电路板(PCB):

◦ 通孔/线路加工:负性胶厚度可达20-50μm,耐碱性蚀刻液(如氯化铁、碱性氯化铜),适合制作大尺寸线路(线宽/线距≥50μm),如双面板、多层板的外层电路。

◦ 阻焊层:作为绝缘保护层,覆盖非焊盘区域,需厚胶(50-100μm)和高耐焊接温度(260℃以上),负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。

 微机电系统(MEMS):

◦ 深硅蚀刻(DRIE):负性胶作为蚀刻掩膜,厚度可达100μm以上,耐SF₆等强腐蚀性气体,用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽比结构(深宽比>20:1)。

◦ 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用负性胶的厚胶成型能力。

 平板显示(LCD):

◦ 彩色滤光片(CF)基板预处理:在玻璃基板上制作绝缘层或缓冲层,耐湿法蚀刻(如HF溶液),确保后续RGB色阻层的精确涂布。

 功率半导体与分立器件:

◦ IGBT、MOSFET的隔离区蚀刻:负性胶用于制作较宽的隔离沟槽(宽度>10μm),耐高浓度酸碱蚀刻,降低工艺成本。
发展战略与行业地位。

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应用场景

 半导体集成电路(IC)制造:

◦ 逻辑芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化(如10nm节点线宽只有100nm)。

◦ 存储芯片(DRAM/NAND):3D堆叠结构中,正性胶用于层间接触孔(Contact)和栅极(Gate)的高深宽比图形(深宽比>10:1)。

 平板显示(LCD/OLED):

◦ 彩色滤光片(CF):制作黑矩阵(BM)和彩色层(R/G/B),要求高透光率和边缘锐利度(线宽5-10μm)。

◦ OLED电极:在柔性基板上形成微米级透明电极,需低应力胶膜防止基板弯曲变形。

 印刷电路板(PCB):

◦ 高密度互连(HDI):用于细线路(线宽/线距≤50μm),如智能手机主板,相比负性胶,正性胶可实现更精细的线路边缘。

 微纳加工与科研:

◦ MEMS传感器:制作微米级悬臂梁、齿轮等结构,需耐干法蚀刻的正性胶(如含硅树脂胶)。

◦ 纳米光刻:电子束光刻胶(正性为主)用于研发级纳米图案(分辨率<10nm)。
聚焦封装需求,吉田公司提供从光刻胶到配套材料的一站式服务。广东网版光刻胶品牌

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“设备-材料-工艺”闭环验证
吉田半导体与中芯国际、华虹半导体等晶圆厂建立了联合研发机制,针对28nm及以上成熟制程开发专门使用光刻胶,例如其KrF光刻胶已通过中芯国际北京厂的产线验证,良率达95%以上。此外,公司参与国家重大专项(如02专项),与中科院微电子所合作开发EUV光刻胶基础材料,虽未实现量产,但在酸扩散控制和灵敏度优化方面取得阶段性突破。

政策支持与成本优势
作为广东省专精特新企业,吉田半导体享受税收优惠(如15%企业所得税)和研发补贴(2023年获得国家补助超2000万元),比较明显降低产品研发成本。同时,其本地化生产(东莞松山湖基地)可将物流成本压缩至进口产品的1/3,并实现48小时紧急订单响应,这对中小客户具有吸引力。

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