作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
-
YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
-
SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
-
JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
光刻胶是有什么东西?河北纳米压印光刻胶感光胶
LCD 正性光刻胶(YK-200)应用场景:LCD 面板的电极图案化(如 TFT-LCD 的栅极、源漏极)、彩色滤光片制造。特点:高感光度与均匀涂布性,确保显示面板的高对比度和色彩还原度。
厚膜光刻胶(JT-3001)应用场景:Mini LED/Micro LED 显示基板的巨量转移技术,以及 OLED 面板的封装工艺。特点:膜厚可控(可达数十微米),满足高密度像素阵列的精细加工需求。
PCB 光刻胶(如 SU-3 负性光刻胶)应用场景:高多层 PCB、HDI(高密度互连)板的线路成像,以及 IC 载板的精细线路制作。特点:抗电镀性能优异,支持细至 50μm 以下的线宽 / 线距,适应 5G 通信、服务器等 PCB 需求。
山西制版光刻胶价格光刻胶的储存条件严苛,需在低温、避光环境下保存以维持稳定性。
关键工艺流程
涂布与前烘:
◦ 旋涂或喷涂负性胶,厚度可达1-100μm(远厚于正性胶),前烘温度60-90℃,去除溶剂并增强附着力。
曝光:
◦ 光源以**汞灯G线(436nm)**为主,适用于≥1μm线宽,曝光能量较高(约200-500mJ/cm²),需注意掩膜版与胶膜的贴合精度。
显影:
◦ 使用有机溶剂显影液(如二甲苯、醋酸丁酯),未曝光的未交联胶膜溶解,曝光的交联胶膜保留。
后处理:
◦ 后烘(Post-Bake):加热(100-150℃)进一步固化交联结构,提升耐干法蚀刻或湿法腐蚀的能力。
广东吉田半导体材料有限公司凭借技术创新与质量优势,在半导体材料行业占据重要地位。公司聚焦光刻胶、电子胶、锡膏等产品,其中纳米压印光刻胶可耐受 250℃高温及强酸强碱环境,适用于高精度纳米结构制造;LCD 光刻胶以高稳定性和精细度成为显示面板行业的推荐材料。此外,公司还提供焊片、靶材等配套材料,满足客户多元化需求。
在技术层面,吉田半导体通过自主研发与国际合作结合,持续优化生产工艺,实现全流程自动化控制。其生产基地配备先进设备,并严格执行国际标准,确保产品性能达到国际水平。同时,公司注重人才培养与引进,汇聚化工、材料学等领域的专业团队,为技术创新提供坚实支撑。未来,吉田半导体将继续以 “中国前列半导体材料方案提供商” 为愿景,推动行业技术升级与国产化进程。
正性光刻胶生产厂家。
晶圆制造(前道工艺)
• 功能:在硅片表面形成高精度电路图形,是光刻工艺的主要材料。
• 细分场景:
◦ 逻辑/存储芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻胶(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先进制程的ArF浸没式光刻胶(分辨率≤45nm),以及极紫外(EUV)光刻胶(目标7nm以下,研发中)。
◦ 功率半导体(如IGBT):使用厚膜光刻胶(膜厚5-50μm),满足深沟槽刻蚀需求。
◦ MEMS传感器:通过高深宽比光刻胶(如SU-8)实现微米级结构(如加速度计、陀螺仪的悬臂梁)。
芯片封装(后道工艺)
• 先进封装技术:
◦ Flip Chip(倒装芯片):用光刻胶形成凸点(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),线宽精度要求≤10μm。
◦ 2.5D/3D封装:在硅通孔(TSV)工艺中,光刻胶用于定义通孔开口(直径5-50μm)。
正性光刻胶生产原料。青海正性光刻胶供应商
LCD 光刻胶供应商哪家好?吉田半导体高分辨率+低 VOC 配方!河北纳米压印光刻胶感光胶
差异化竞争策略
在高级市场(如ArF浸没式光刻胶),吉田半导体采取跟随式创新,通过优化现有配方(如提高酸扩散抑制效率)逐步缩小与国际巨头的差距;在中低端市场(如PCB光刻胶),则凭借性价比优势(价格较进口产品低20%-30%)快速抢占份额,2023年PCB光刻胶市占率突破10%。
前沿技术储备
公司设立纳米材料研发中心,重点攻关分子玻璃光刻胶和金属有机框架(MOF)光刻胶,目标在5年内实现EUV光刻胶的实验室级突破。此外,其纳米压印光刻胶已应用于3D NAND存储芯片的孔阵列加工,分辨率达10nm,为国产存储厂商提供了替代方案。
河北纳米压印光刻胶感光胶