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光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

国家战略支持
《国家集成电路产业投资基金三期规划》将光刻胶列为重点投资领域,计划投入超500亿元支持研发。工信部对通过验证的企业给予税收减免和设备采购补贴,单家企业比较高补贴可达研发投入的30%。

 地方产业协同
济南设立宽禁带半导体产业专项基金,深圳国际半导体光刻胶产业展览会(2025年4月)吸引全球300余家企业参展,推动技术交流。

 资本助力产能扩张
恒坤新材通过科创板IPO募资15亿元,扩大KrF光刻胶产能并布局集成电路前驱体项目。彤程新材半导体光刻胶业务2024年上半年营收增长54.43%,ArF光刻胶开始形成销售。
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定义与特性

正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清晰,是半导体制造(尤其是制程)的主流选择。

化学组成与工作原理

 主要成分

• 树脂(成膜剂):

◦ 传统正性胶:采用**酚醛树脂(Novolak)与重氮萘醌(DNQ,光敏剂)**的复合体系(PAC体系),占比约80%-90%。

◦ 化学增幅型(用于DUV/EUV):含环化烯烃树脂或含氟聚合物,搭配光酸发生器(PAG),通过酸催化反应提高感光度和分辨率。

• 溶剂:溶解树脂和感光剂,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。

• 添加剂:表面活性剂(改善涂布均匀性)、稳定剂(防止暗反应)、碱溶解度调节剂等。

 工作原理

• 曝光前:光敏剂(如DNQ)与树脂结合,形成不溶于碱性显影液的复合物。

• 曝光时:

◦ 传统PAC体系:DNQ在紫外光(G线436nm、I线365nm)照射下发生光分解,生成羧酸,使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。

◦ 化学增幅型:PAG在DUV/EUV光下产生活性酸,催化树脂发生脱保护反应,大幅提高显影速率(灵敏度提升10倍以上)。

• 显影后:曝光区域溶解去除,未曝光区域保留,形成正性图案。
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  1. 全品类覆盖
    吉田半导体产品线涵盖正性 / 负性光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、厚膜光刻胶及水性光刻胶等,覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等多领域需求,技术布局全面性于多数国内厂商。
  2. 关键技术突破
    纳米压印技术:JT-2000 纳米压印光刻胶耐高温达 250℃,支持纳米级精度图案复制,适用于第三代半导体(GaN/SiC)及 Mini LED 等新兴领域,技术指标接近国际先进水平。
    水性环保配方:JT-1200 水性感光胶以水为溶剂替代传统有机溶剂,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 标准,环保性能优于同类产品。
    厚膜工艺能力:JT-3001 厚板光刻胶膜厚可控(达数十微米),满足高密度像素阵列及 MEMS 器件的制造需求。

作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
  • YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
  • SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
耐高温光刻胶 JT-2000,250℃环境稳定运行,图形保真度超 95%,用于纳米结构制造!

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公司遵循国际质量管理标准,通过 ISO9001:2008 认证,并在生产过程中执行 8S 现场管理,从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例,其无卤无铅配方符合环保要求,同时具备低飞溅、高润湿性等特点,适用于电子产品组装。此外,公司建立了行业标准化实验室,配备先进检测设备,确保产品性能达到国际同类水平。

凭借多年研发积累,公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面,不仅提供常规锡膏、助焊膏,还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品,满足精密电子组装的多样化需求。同时,感光胶系列产品分为水性与油性两类,兼具耐潮性与易操作性,广泛应用于印刷电路板制造。
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纳米电子器件制造

• 半导体芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻胶(分辨率≤10nm)用于制备晶体管栅极、纳米导线等关键结构,实现芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶体管)。

• 二维材料器件:在石墨烯、二硫化钼等二维材料表面,通过电子束光刻胶定义纳米电极阵列,构建单原子层晶体管或传感器。

 纳米光子学与超材料

• 光子晶体与波导:利用光刻胶制备亚波长周期结构(如光子晶体光纤、纳米级波导弯头),调控光的传播路径,用于集成光路或量子光学器件。

• 超材料设计:在金属/介质基底上刻蚀纳米级“鱼网状”“蝴蝶结”等图案(如太赫兹超材料),实现对电磁波的超常调控(吸收、偏振转换)。
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关键工艺流程 涂布: ◦ 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。 前烘(Soft Bake): ◦ 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。 曝光: ◦ 光源匹配: ◦ G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。 ◦ DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-1...

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