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福建纳米压印光刻胶生产厂家

不同光刻胶类型的适用场景对比类型波长范围分辨率典型应用产品 G线/i线光刻胶 436/36...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

不同光刻胶类型的适用场景对比

类型波长范围分辨率典型应用产品

G线/i线光刻胶 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩阵吉田半导体JT-100系列

KrF光刻胶 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制备吉田半导体YK-300系列

ArF光刻胶 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED电极图案化国际主流：JSR ARF系列

EUV光刻胶 13.5nm ≤7nm 7nm以下先进制程、3D NAND堆叠研发中（吉田半导体合作攻关）

水性光刻胶全波长适配 5-50μm 柔性显示、环保PCB阻焊层吉田半导体WT-200系列

总结：多领域渗透的“工业维生素”

光刻胶的应用深度绑定电子信息产业，从半导体芯片的“纳米级雕刻”到PCB的“毫米级线路”，再到显示面板的“色彩精细控制”，其技术参数（分辨率、耐蚀刻性、灵敏度）需根据场景设计。随着**新能源（车规芯片、光伏）、新型显示（Micro LED）、先进制造（纳米压印）**等领域的发展，光刻胶的应用边界将持续扩展，成为支撑制造的关键材料。

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聚焦先进封装需求，吉田半导体提供从光刻胶到配套材料的一站式服务，助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片与 AI 处理器封装领域，吉田半导体研发的 SU-3 负性光刻胶支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，为高密度金属互连提供可靠支撑。其 BGA 助焊膏采用低温固化技术（180℃），焊接空洞率 < 5%；针筒锡膏适用于 01005 超微型元件，印刷精度达 ±5μm。通过标准化实验室与快速响应团队，公司为客户提供工艺优化建议，帮助降低生产成本，增强市场竞争力。青岛PCB光刻胶厂家耐高温光刻胶 JT-2000，250℃环境稳定运行，图形保真度超 95%，用于纳米结构制造！

全品类覆盖
吉田半导体产品线涵盖正性 / 负性光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、厚膜光刻胶及水性光刻胶等，覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等多领域需求，技术布局全面性于多数国内厂商。
关键技术突破
纳米压印技术：JT-2000 纳米压印光刻胶耐高温达 250℃，支持纳米级精度图案复制，适用于第三代半导体（GaN/SiC）及 Mini LED 等新兴领域，技术指标接近国际先进水平。
水性环保配方：JT-1200 水性感光胶以水为溶剂替代传统有机溶剂，低 VOC 排放，符合 RoHS 和 REACH 标准，环保性能优于同类产品。
厚膜工艺能力：JT-3001 厚板光刻胶膜厚可控（达数十微米），满足高密度像素阵列及 MEMS 器件的制造需求。

吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域，通过差异化技术（如纳米压印、厚膜工艺）和环保特性（水性配方），满足从传统电子到新兴领域（如第三代半导体、Mini LED）的多样化需求。其产品不仅支持高精度、高可靠性的制造工艺，还通过材料创新推动行业向绿色化、低成本化方向发展。吉田半导体光刻胶的优势在于技术全面性、环保创新、质量稳定性及本土化服务，尤其在纳米压印、厚膜工艺及水性胶领域形成差异化竞争力。

PCB光刻胶国产化率超50%。

国产替代进程加速

日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后，国内企业加速验证本土产品。鼎龙股份潜江工厂的KrF/ArF产线2024年12月获两家大厂百万大单，二期300吨生产线在建。武汉太紫微的T150A光刻胶性能参数接近日本UV1610，已通过中芯国际14nm工艺验证。预计到2025年，国内KrF/ArF光刻胶国产化率将从不足5%提升至10%。

原材料国产化突破

光刻胶树脂占成本50%-60%，八亿时空的光刻胶树脂产线预计2025年实现百吨级量产，其产品纯度达到99.999%，金属杂质含量低于1ppb。怡达股份作为全球电子级PM溶剂前段（市占率超40%），与南大光电合作开发配套溶剂，打破了日本关东化学的垄断。这些进展使光刻胶生产成本降低约20%。

供应链风险缓解

合肥海关通过“空中专线”保障光刻胶运输，将进口周期从28天缩短至17天，碳排放减少18%。国内在建12座光刻胶工厂（占全球总数58%），预计2025年产能达3000吨/年，较2023年增长150%。

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技术优势：23年研发沉淀与细分领域突破

全流程自主化能力

吉田在光刻胶研发中实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如，其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系，实现了3μm的分辨率，适用于MEMS传感器、光学器件等领域。

技术壁垒：公司拥有23年光刻胶研发经验，掌握光刻胶主要原材料（如树脂、光酸）的合成技术，部分原材料纯度达PPT级。

细分领域技术先进

◦ 纳米压印光刻胶：在纳米级图案化领域（如量子点显示、生物芯片）实现技术突破，分辨率达3μm，填补国内空缺。

◦ LCD光刻胶：针对显示面板行业需求，开发出高感光度、高对比度的光刻胶，适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术。

研发投入与合作

公司2018年获高新技术性企业认证，与新材料领域同伴们合作开发半导体光刻胶，计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发。

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