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北京负性光刻胶国产厂商

吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000：国产技术突破耐高温极限

自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温，为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳米压印光刻胶采用国产交联树脂，在 250℃高温下仍保持图形保真度 > 95%。产品采用国产原材料与全自动化工艺，其高粘接强度与耐强酸强碱特性，适用于光学元件、传感器等精密器件。产品已通过国内科研机构验证，应用于国产 EUV 光刻机前道工艺，帮助客户实现纳米结构加工自主化。

吉田半导体实现光刻胶技术突破，为半导体产业链自主化提供材料支撑。北京负性光刻胶国产厂商

企业定位与资质

◦ 成立背景：深耕半导体材料行业23年，位于松山湖经济技术开发区，注册资本2000万元，是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。

◦ 质量体系：通过ISO9001:2008认证，严格执行8S现场管理，原材料源自美国、德国、日本等国，确保产品稳定性。

◦ 市场布局：产品远销全球，与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系，覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。

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企业优势

◦ 研发能力：拥有多项专利证书，自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品，配备全自动化生产设备，具备从材料合成到成品制造的全流程能力。

◦ 产能与品控：采用进口原材料和严格制程管控，确保金属杂质含量低于行业标准（如半导体光刻胶金属杂质<5ppb），良率达99%以上。

主要应用场景

印刷电路板（PCB）：

◦ 通孔/线路加工：负性胶厚度可达20-50μm，耐碱性蚀刻液（如氯化铁、碱性氯化铜），适合制作大尺寸线路（线宽/线距≥50μm），如双面板、多层板的外层电路。

◦ 阻焊层：作为绝缘保护层，覆盖非焊盘区域，需厚胶（50-100μm）和高耐焊接温度（260℃以上），负性胶因工艺简单、成本低而广泛应用。

微机电系统（MEMS）：

◦ 深硅蚀刻（DRIE）：负性胶作为蚀刻掩膜，厚度可达100μm以上，耐SF₆等强腐蚀性气体，用于制作加速度计、陀螺仪的高深宽比结构（深宽比＞20:1）。

◦ 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用负性胶的厚胶成型能力。

平板显示（LCD）：

◦ 彩色滤光片（CF）基板预处理：在玻璃基板上制作绝缘层或缓冲层，耐湿法蚀刻（如HF溶液），确保后续RGB色阻层的精确涂布。

功率半导体与分立器件：

◦ IGBT、MOSFET的隔离区蚀刻：负性胶用于制作较宽的隔离沟槽（宽度＞10μm），耐高浓度酸碱蚀刻，降低工艺成本。

光刻胶（Photoresist）是一种对光敏感的高分子材料，主要用于光刻工艺中，通过光化学反应实现图案的转移，是半导体、集成电路（IC）、印刷电路板（PCB）、液晶显示（LCD）等制造领域的材料之一。

光刻胶特性与组成

• 光敏性：在特定波长（如紫外光、极紫外光EUV等）照射下，会发生化学结构变化（如交联或分解），从而改变在显影液中的溶解性。

• 主要成分：

◦ 树脂（成膜剂）：形成基础膜层，决定光刻胶的机械和化学性能。

◦ 光敏剂：吸收光能并引发化学反应（如光分解、光交联）。

◦ 溶剂：调节粘度，便于涂覆成膜。

◦ 添加剂：改善性能（如感光度、分辨率、对比度等）。

吉田半导体：以技术革新驱动光刻胶产业升级。

作为中国半导体材料领域的企业，吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略，通过 23 年技术沉淀与持续创新，成功突破多项 “卡脖子” 技术，构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域，为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。

吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作，在光刻胶领域实现多项技术突破：

YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。

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技术优势：23年研发沉淀与细分领域突破

全流程自主化能力

吉田在光刻胶研发中实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如，其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系，实现了3μm的分辨率，适用于MEMS传感器、光学器件等领域。

技术壁垒：公司拥有23年光刻胶研发经验，掌握光刻胶主要原材料（如树脂、光酸）的合成技术，部分原材料纯度达PPT级。

细分领域技术先进

◦ 纳米压印光刻胶：在纳米级图案化领域（如量子点显示、生物芯片）实现技术突破，分辨率达3μm，填补国内空缺。

◦ LCD光刻胶：针对显示面板行业需求，开发出高感光度、高对比度的光刻胶，适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术。

研发投入与合作

公司2018年获高新技术性企业认证，与新材料领域同伴们合作开发半导体光刻胶，计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发。

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