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    然后将装有蚀刻液的石英烧瓶放入加热套中加热，待加热到确定温度后，放入氮化硅样片进行蚀刻；蚀刻完后，取出样片采用热超纯水清洗和氮气吹干后，使用椭圆偏振光谱仪对蚀刻前所取位置的6个点的厚度进行测量，计算蚀刻前后6个取点的厚度差值，对比6个点之间的厚度差值的差异。与现有的使用磷酸作为蚀刻液相比，本发明的有益效果是：醇醚类和表面活性剂的添加能明显改善磷酸溶液的浸润性和降低磷酸溶液的表面张力，有效提高了蚀刻液对氮化硅层的润湿性和蚀刻均匀性。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明，对本发明做进一步详细的说明，但不限于这些实施例。本发明的蚀刻液配制时选择的磷酸浓度为85％，蚀刻温度为160℃，蚀刻时间为10min。先对所配制蚀刻液的表面张力进行检测，然后将氮化硅样片使用超纯水清洗和氮气吹干后，进行接触角的测量；蚀刻前使用超纯水清洗和氮气吹干氮化硅样片后，在氮化硅样片上取6个不同位置的点对其厚度进行测量；蚀刻完成后使用热超纯水清洗和氮气吹干氮化硅样片后，取与蚀刻前相同位置的6个点进行厚度测量。实施例1本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制，先称取浓度为85％的磷酸，然后称取添加剂加入磷酸中。工业级BOE蚀刻液厂家现货您的选择是对我的肯定，苏州博洋化学股份有限公司欢迎您。

    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。

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