吉田半导体水性感光胶 JT-1200:水油兼容,钢片加工精度 ±5μm
JT-1200 水性感光胶解决钢片加工难题,提升汽车电子部件制造精度。
针对汽车电子钢片加工需求,吉田半导体研发的 JT-1200 水性感光胶实现水油兼容性达 100%,加工精度 ±5μm。其高粘接强度与耐强酸强碱特性,确保复杂结构的长期可靠性。其涂布性能优良,易做精细网点,适用于安全气囊传感器、车载摄像头模组等精密部件。产品通过 IATF 16949 汽车行业认证,生产过程严格控制金属离子含量,确保电子产品可靠性。
光刻胶国产化率不足10%,产品仍依赖进口,但本土企业正加速突破。广东紫外光刻胶生产厂家
广东吉田半导体材料有限公司成立于松山湖经济技术开发区,是一家专注于半导体材料研发、生产与销售的技术企业。公司注册资本 2000 万元,拥有 23 年行业经验,产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等,服务全球市场并与多家世界 500 强企业建立长期合作关系。
作为国家技术企业,吉田半导体以科技创新为驱动力,拥有多项技术,并通过 ISO9001:2008 质量体系认证。生产过程严格遵循 8S 现场管理标准,原材料均采用美、德、日等国进口的材料,确保产品质量稳定可靠。公司配备全自动化生产设备,具备行业大型的规模化生产能力,致力于成为 “半导体材料方案提供商”。
其明星产品包括:适用于 LCD 制造的正性光刻胶 YK-200/YK-300,具备高分辨率与优异涂布性能;3 微米负性光刻胶 SU-3,适用于厚膜工艺;耐高温达 250℃的纳米压印光刻胶 JT-2000,可满足高精度微纳加工需求。所有产品均符合要求,部分型号通过欧盟 ROHS 认证。
西安高温光刻胶厂家国产光刻胶突破技术瓶颈,在中高级市场逐步实现进口替代。
以 15% 年研发投入为驱动,吉田半导体加速 EUV 光刻胶与木基材料研发,抢占行业制高点。布局下一代光刻技术。
面对极紫外光刻技术挑战,吉田半导体与中科院合作开发化学放大型 EUV 光刻胶,在感光效率(<10mJ/cm²)和耐蚀性(>80%)指标上取得阶段性进展。同时,公司前瞻性布局木基光刻胶研发,对标日本王子控股技术,探索生物基材料在半导体封装中的应用。这些技术储备为 7nm 及以下制程提供支撑,助力中国在下一代光刻技术中占据重要地位。
光刻胶的工作原理:
1. 涂覆与曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均匀涂覆光刻胶,通过掩膜(或直接电子束扫描)对特定区域曝光。
2. 化学变化:曝光区域的光刻胶发生光化学反应(正性胶曝光后溶解,负性胶曝光后交联不溶)。
3. 显影与刻蚀:溶解未反应的部分,留下图案化的胶层,作为后续刻蚀或沉积的掩模,将图案转移到基底上。
在纳米技术中,关键挑战是突破光的衍射极限(λ/2),因此需依赖高能束曝光技术(如电子束光刻、极紫外EUV光刻)和高性能光刻胶(高分辨率、低缺陷)。
光刻胶生产需严格控制原材料纯度,如溶剂、树脂和光敏剂的配比精度。
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全品类覆盖
吉田半导体产品线涵盖正性 / 负性光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、厚膜光刻胶及水性光刻胶等,覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等多领域需求,技术布局全面性于多数国内厂商。
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关键技术突破
纳米压印技术:JT-2000 纳米压印光刻胶耐高温达 250℃,支持纳米级精度图案复制,适用于第三代半导体(GaN/SiC)及 Mini LED 等新兴领域,技术指标接近国际先进水平。
水性环保配方:JT-1200 水性感光胶以水为溶剂替代传统有机溶剂,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 标准,环保性能优于同类产品。
厚膜工艺能力:JT-3001 厚板光刻胶膜厚可控(达数十微米),满足高密度像素阵列及 MEMS 器件的制造需求。
光刻胶的关键应用领域。济南低温光刻胶报价
化学放大光刻胶(CAR)采用光酸催化剂,可显著提高深紫外(DUV)曝光效率。广东紫外光刻胶生产厂家
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客户需求导向
支持特殊工艺需求定制,例如为客户开发光刻胶配方,提供从材料选择到工艺优化的全流程技术支持,尤其在中小批量订单中灵活性优势。
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快速交付与售后支持
作为国内厂商,吉田半导体依托松山湖产业集群资源,交货周期较进口品牌缩短 30%-50%,并提供 7×24 小时技术响应,降低客户供应链风险。
性价比优势
国产光刻胶价格普遍低于进口产品 30%-50%,吉田半导体通过规模化生产和供应链优化进一步压缩成本,同时保持性能对标国际品牌,适合对成本敏感的中低端市场及国产替代需求。
政策与市场机遇
受益于国内半导体产业链自主化趋势,吉田半导体作为 “专精特新” 企业,获得研发补贴及产业基金支持,未来在国产替代进程中具备先发优势。
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