企业商机
光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

 研发投入

◦ 拥有自己实验室和研发团队,研发费用占比超15%,聚焦EUV光刻胶前驱体、低缺陷纳米压印胶等前沿领域,与中山大学、华南理工大学建立产学研合作。

专项布局:累计申请光刻胶相关的项目30余项,涵盖树脂合成、配方优化、涂布工艺等细致环节。

 生产体系

◦ 全自动化产线:采用德国曼茨(Manz)涂布设备、日本岛津(Shimadzu)检测仪器,年产能超500吨(光刻胶),支持小批量定制(小订单100g)和大规模量产。

◦ 洁净环境:生产车间达万级洁净标准(ISO 8级),避免颗粒污染,确保光刻胶缺陷密度<5个/cm²。
在集成电路制造中,光刻胶用于定义晶体管、互连线和接触孔的图形。南京油墨光刻胶厂家

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工艺流程

• 目的:去除基板表面油污、颗粒,增强感光胶附着力。

• 方法:

◦ 化学清洗(硫酸/双氧水、去离子水);

◦ 表面处理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化处理)。

 涂布(Coating)

• 方式:

◦ 旋涂:半导体/显示领域,厚度控制精确(纳米至微米级),转速500-5000rpm;

◦ 喷涂/辊涂:PCB/MEMS领域,适合大面积或厚胶(微米至百微米级,如负性胶可达100μm)。

• 关键参数:胶液黏度、涂布速度、基板温度(影响厚度均匀性)。

 前烘(Soft Bake)

• 目的:挥发溶剂,固化胶膜,增强附着力和稳定性。

• 条件:

◦ 温度:60-120℃(正性胶通常更低,如90℃;负性胶可至100℃以上);

◦ 时间:5-30分钟(根据胶厚调整,厚胶需更长时间)。

 曝光(Exposure)

• 光源:

◦ 紫外光(UV):G线(436nm)、I线(365nm)用于传统光刻(分辨率≥1μm);

◦ 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半导体先进制程(分辨率至20nm);

◦ 极紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性胶适用)。

• 曝光方式:

◦ 接触式/接近式:掩膜版与胶膜直接接触(PCB、MEMS,低成本但精度低);

◦ 投影式:通过物镜聚焦(半导体,分辨率高,如ArF光刻机精度达22nm)。

常州纳米压印光刻胶报价曝光过程中,光刻胶的感光灵敏度决定了图形复制的精度。

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光刻胶的纳米级性能要求

 超高分辨率:需承受电子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波长)的轰击,避免散射导致的边缘模糊,目前商用EUV胶分辨率已达13nm(3nm制程)。

 低缺陷率:纳米级结构对胶层中的颗粒或化学不均性极其敏感,需通过化学增幅型配方(如酸催化交联)提升对比度和抗刻蚀性。

 多功能性:兼容多种基底(柔性聚合物、陶瓷)和后处理工艺(干法刻蚀、原子层沉积),例如用于柔性电子的可拉伸光刻胶。
技术挑战与前沿方向

• EUV光刻胶优化:解决曝光后酸扩散导致的线宽波动,开发含氟聚合物或金属有机材料以提高灵敏度。

• 无掩膜光刻:结合机器学习优化电子束扫描路径,直接写入复杂纳米图案(如神经网络芯片的突触阵列),缩短制备周期。

• 生物基光刻胶:开发可降解、低毒性的天然高分子光刻胶,用于生物芯片或环保型纳米制造。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。

厚板光刻胶 JT - 3001:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年,适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景,如一些特殊的电路板制造。

SU - 3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应。重量为 100g,常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。

液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000:有 1L 和 100g 两种规格,具有优异的分辨率,准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造,能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。

JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶:耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高。重量 100g,适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如一些半导体器件的制造。 光刻胶是有什么东西?

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在半导体材料领域,广东吉田半导体材料有限公司凭借 23 年技术沉淀,已成为国内光刻胶行业的企业。公司产品线覆盖正性、负性、厚膜、纳米压印等多类型光刻胶,广泛应用于芯片制造、LCD 显示、PCB 电路板等领域。
  1. 技术:自主研发的光刻胶产品具备高分辨率(如 JT-3001 厚板光刻胶)、高感光度(如 JT-1000 负性光刻胶)及抗深蚀刻性能,部分指标达到水平。
  2. 严苛品控:生产过程严格遵循 ISO9001 体系,材料进口率 100%,并通过 8S 现场管理确保制程稳定性。
  3. 定制化服务:支持客户需求定制,例如为特殊工艺开发光刻胶,满足多样化场景需求。
公司位于松山湖开发区,依托产业园区资源,持续加大研发,与科研机构合作推动技术升级。目前,吉田半导体已服务全球数千家客户,以 “匠心品质、售后无忧” 的理念赢得市场口碑。
光刻胶涂布工艺需控制厚度均匀性,为后续刻蚀奠定基础。广州LCD光刻胶国产厂家

KrF/ArF光刻胶是当前半导体制造的主流材料,占市场份额超60%。南京油墨光刻胶厂家

吉田半导体获评 "专精特新" 企业,行业技术标准,以技术创新与标准化生产为,吉田半导体荣获 "广东省专精特新企业" 称号,树立行业。
凭借在光刻胶领域的表现,吉田半导体获评 "广东省专精特新企业"" ",承担多项国家 02 专项课题。公司主导制定《半导体光刻胶用树脂技术规范》等行业标准,推动国产材料标准化进程。未来,吉田半导体将继续以" 中国半导体材料方案提供商 "为愿景,深化技术研发与市场拓展,为全球半导体产业发展贡献" 中国力量 "。南京油墨光刻胶厂家

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陕西油性光刻胶供应商 2025-07-09

光刻胶的工作原理: 1. 涂覆与曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均匀涂覆光刻胶,通过掩膜(或直接电子束扫描)对特定区域曝光。 2. 化学变化:曝光区域的光刻胶发生光化学反应(正性胶曝光后溶解,负性胶曝光后交联不溶)。 3. 显影与刻蚀:溶解未反应的部分,留下图案化的胶层,作为后续刻蚀或沉积的掩模,将图案转移到基底上。 在纳米技术中,关键挑战是突破光的衍射极限(λ/2),因此需依赖高能束曝光技术(如电子束光刻、极紫外EUV光刻)和高性能光刻胶(高分辨率、低缺陷)。 光刻胶半导体领域的应用。陕西油性光刻胶供应商以...

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