企业商机

成都纳米压印光刻胶供应商

客户需求导向支持特殊工艺需求定制，例如为客户开发光刻胶配方，提供从材料选择到工艺优化的全流程技术支持...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

客户需求导向
支持特殊工艺需求定制，例如为客户开发光刻胶配方，提供从材料选择到工艺优化的全流程技术支持，尤其在中小批量订单中灵活性优势。
快速交付与售后支持
作为国内厂商，吉田半导体依托松山湖产业集群资源，交货周期较进口品牌缩短 30%-50%，并提供 7×24 小时技术响应，降低客户供应链风险。
性价比优势
国产光刻胶价格普遍低于进口产品 30%-50%，吉田半导体通过规模化生产和供应链优化进一步压缩成本，同时保持性能对标国际品牌，适合对成本敏感的中低端市场及国产替代需求。
政策与市场机遇
受益于国内半导体产业链自主化趋势，吉田半导体作为 “专精特新” 企业，获得研发补贴及产业基金支持，未来在国产替代进程中具备先发优势。

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• 化学反应：

◦ 正性胶：曝光后光敏剂（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在碱性显影液中溶解；

◦ 负性胶：曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。

5. 显影（Development）

• 显影液：

◦ 正性胶：碱性水溶液（如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH），溶解曝光区域；

◦ 负性胶：有机溶剂（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光区域。

• 方法：喷淋显影（PCB）或沉浸式显影（半导体），时间30秒-2分钟，需控制显影液浓度和温度。

6. 后烘（Post-Bake）

• 目的：固化胶膜，提升耐蚀刻性和热稳定性。

• 条件：

◦ 温度：100-150℃（半导体用正性胶可能更高，如180℃）；

◦ 时间：15-60分钟（厚胶或高耐蚀需求时延长）。

7. 蚀刻/离子注入（后续工艺）

• 蚀刻：以胶膜为掩膜，通过湿法（酸碱溶液）或干法（等离子体）刻蚀基板材料（如硅、金属、玻璃）；

• 离子注入：胶膜保护未曝光区域，使杂质离子只能注入曝光区域（半导体掺杂工艺）。

8. 去胶（Strip）

• 方法：

◦ 湿法去胶：强氧化剂（如硫酸+双氧水）或有机溶剂（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

◦ 干法去胶：氧等离子体灰化（半导体领域，无残留）。

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厚板光刻胶

电路板制造：在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时，厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性，比如汽车电子、工业控制等领域的电路板，能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
功率器件制造：像绝缘栅双极晶体管（IGBT）这类功率器件，需要承受高电压和大电流，厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节，保障芯片内部电路的精细布局，提高器件的性能和可靠性。

负性光刻胶

半导体制造：在芯片制造过程中，用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构，如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺，能实现精确的图形转移，确保芯片各部分之间的电气连接正常。
平板显示制造：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）的制造中，用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例，负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案，控制液晶分子的排列，从而实现图像显示。

作为东莞松山湖的企业，吉田半导体深耕光刻胶领域 23 年，成功研发出 YK-300 半导体正性光刻胶与 JT-2000 纳米压印光刻胶。YK-300 适用于 45nm 及以上制程，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，良率达 98% 以上，已通过中芯国际等晶圆厂验证；JT-2000 突破耐高温极限，在 250℃复杂环境下仍保持图形稳定性，适用于 EUV 光刻前道工艺。依托进口原材料与全自动化生产工艺，产品通过 ISO9001 认证及欧盟 RoHS 标准，远销全球并与跨国企业建立长期合作，加速国产替代进程。厚板光刻胶 JT-3001，抗深蚀刻，PCB 电路板制造Preferred!

光刻胶的主要应用领域

光刻胶是微电子制造的主要材料，广泛应用于以下领域：

半导体制造

◦ 功能：在晶圆表面形成微细电路图案，作为蚀刻或离子注入的掩膜。

◦ 分类：

◦ 正性光刻胶：曝光区域溶解于显影液，形成与掩膜版一致的图案（主流，分辨率高）。

◦ 负性光刻胶：未曝光区域溶解，形成反向图案（用于早期工艺，耐蚀刻性强）。

◦ 技术演进：随制程精度提升，需匹配不同曝光波长（紫外UV、深紫外DUV、极紫外EUV），例如EUV光刻胶用于7nm以下制程。

平板显示（LCD/OLED）

◦ 彩色滤光片（CF）：在玻璃基板上制作红/绿/蓝像素单元，光刻胶用于图案化黑矩阵（BM）、彩色层（R/G/B）和保护层。

◦ 电极图案：制作TFT-LCD的电极线路或OLED的阴极/阳极，需高透光率和精细边缘控制。

印刷电路板（PCB）

◦ 线路蚀刻：在覆铜板上涂胶，曝光显影后保留线路区域，蚀刻去除未保护的铜箔，形成导电线路。

◦ 阻焊与字符层：阻焊胶覆盖非线路区域，防止短路；字符胶用于印刷电路板标识。

LED与功率器件

◦ 芯片制造：在蓝宝石/硅基板上制作电极和量子阱结构，需耐高功率环境的耐高温光刻胶。

◦ Micro-LED：微米级芯片转移和阵列化，依赖超高分辨率光刻胶（分辨率≤5μm）。

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研发投入的“高门槛”

一款KrF光刻胶的研发费用约2亿元，而国际巨头年研发投入超10亿美元。国内企业如彤程新材2024年半导体光刻胶业务营收只5.4亿元，研发投入占比不足15%，难以支撑长期技术攻关。

2. 价格竞争的“双重挤压”

国内PCB光刻胶价格较国际低30%，但半导体光刻胶因性能差距，价格为进口产品的70%，而成本却高出20%。例如，国产ArF光刻胶售价约150万元/吨，而日本同类产品为120万元/吨，且性能更优。

突破路径与未来展望

原材料国产化攻坚：聚焦树脂单体合成、光酸纯化等关键环节，推动八亿时空、怡达股份等企业实现百吨级量产。

技术路线创新：探索金属氧化物基光刻胶、电子束光刻胶等新方向，华中科技大学团队已实现5nm线宽原型验证。

产业链协同创新：借鉴“TSMC-供应商”模式，推动晶圆厂与光刻胶企业共建联合实验室，缩短认证周期。

政策与资本双轮驱动：依托国家大基金三期，对通过验证的企业给予设备采购补贴（30%），并设立专项基金支持EUV光刻胶研发。

成都纳米压印光刻胶供应商

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