企业商机

宁波水油光刻胶品牌

“设备-材料-工艺”闭环验证吉田半导体与中芯国际、华虹半导体等晶圆厂建立了联合研发机制，针对28nm及以上成...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

“设备-材料-工艺”闭环验证

吉田半导体与中芯国际、华虹半导体等晶圆厂建立了联合研发机制，针对28nm及以上成熟制程开发专门使用光刻胶，例如其KrF光刻胶已通过中芯国际北京厂的产线验证，良率达95%以上。此外，公司参与国家重大专项（如02专项），与中科院微电子所合作开发EUV光刻胶基础材料，虽未实现量产，但在酸扩散控制和灵敏度优化方面取得阶段性突破。

政策支持与成本优势

作为广东省专精特新企业，吉田半导体享受税收优惠（如15%企业所得税）和研发补贴（2023年获得国家补助超2000万元），比较明显降低产品研发成本。同时，其本地化生产（东莞松山湖基地）可将物流成本压缩至进口产品的1/3，并实现48小时紧急订单响应，这对中小客户具有吸引力。

光刻胶厂家推荐吉田半导体，23 年专注研发，全系列产品覆盖芯片制造与 LCD 面板！宁波水油光刻胶品牌

光刻胶（Photoresist）是一种对光敏感的高分子材料，主要用于光刻工艺中，通过光化学反应实现图案的转移，是半导体、集成电路（IC）、印刷电路板（PCB）、液晶显示（LCD）等制造领域的材料之一。

光刻胶特性与组成

• 光敏性：在特定波长（如紫外光、极紫外光EUV等）照射下，会发生化学结构变化（如交联或分解），从而改变在显影液中的溶解性。

• 主要成分：

◦ 树脂（成膜剂）：形成基础膜层，决定光刻胶的机械和化学性能。

◦ 光敏剂：吸收光能并引发化学反应（如光分解、光交联）。

◦ 溶剂：调节粘度，便于涂覆成膜。

◦ 添加剂：改善性能（如感光度、分辨率、对比度等）。

成都UV纳米光刻胶工厂产业链配套：原材料与设备协同发展。

产品特点：耐溶剂型优良，抗潮耐水性好，耐印率高；固含量高，流平性好，涂布性能优良；经特殊乳化聚合技术处理，网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高；剥膜性好，网版可再生使用；解像性、高架桥性好，易做精细网点和线条；感光度高，曝光时间短，曝光宽容度大，节省网版作业时间，提高工作效率。
应用范围：适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板（PCB）、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案，满足皮革制品精细印刷需求，制作各类标牌保证图案清晰，用于 PCB 制造满足高精度要求等。

关键工艺流程

涂布与前烘：

◦ 旋涂或喷涂负性胶，厚度可达1-100μm（远厚于正性胶），前烘温度60-90℃，去除溶剂并增强附着力。

曝光：

◦ 光源以**汞灯G线（436nm）**为主，适用于≥1μm线宽，曝光能量较高（约200-500mJ/cm²），需注意掩膜版与胶膜的贴合精度。

显影：

◦ 使用有机溶剂显影液（如二甲苯、醋酸丁酯），未曝光的未交联胶膜溶解，曝光的交联胶膜保留。

后处理：

◦ 后烘（Post-Bake）：加热（100-150℃）进一步固化交联结构，提升耐干法蚀刻或湿法腐蚀的能力。

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凭借多年研发积累，公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面，不仅提供常规锡膏、助焊膏，还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品，满足精密电子组装的多样化需求。同时，感光胶系列产品分为水性与油性两类，兼具耐潮性与易操作性，广泛应用于印刷电路板制造。

公司产品远销全球，并与多家跨国企业及电子加工企业建立长期合作关系。通过在重点区域设立办事处，提供快速响应的技术支持与售后服务。依托东莞 “世界工厂” 的产业资源，公司强化供应链协同，缩短交付周期，为客户提供高效解决方案。

未来，广东吉田半导体材料有限公司将继续深化技术创新，拓展产品应用领域，以可靠的产品与专业的服务，持续巩固其在半导体材料行业的重要地位。

吉田半导体强化研发，布局下一代光刻技术。苏州低温光刻胶

吉田半导体实现光刻胶技术突破，为半导体产业链自主化提供材料支撑。宁波水油光刻胶品牌

晶圆制造（前道工艺）

• 功能：在硅片表面形成高精度电路图形，是光刻工艺的主要材料。

• 细分场景：

◦ 逻辑/存储芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻胶（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先进制程的ArF浸没式光刻胶（分辨率≤45nm），以及极紫外（EUV）光刻胶（目标7nm以下，研发中）。

◦ 功率半导体（如IGBT）：使用厚膜光刻胶（膜厚5-50μm），满足深沟槽刻蚀需求。

◦ MEMS传感器：通过高深宽比光刻胶（如SU-8）实现微米级结构（如加速度计、陀螺仪的悬臂梁）。

芯片封装（后道工艺）

• 先进封装技术：

◦ Flip Chip（倒装芯片）：用光刻胶形成凸点（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），线宽精度要求≤10μm。

◦ 2.5D/3D封装：在硅通孔（TSV）工艺中，光刻胶用于定义通孔开口（直径5-50μm）。

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