企业商机
光刻胶基本参数
  • 品牌
  • 吉田半导体
  • 型号
  • 型号齐全
光刻胶企业商机

关键工艺流程

 涂布:

◦ 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

◦ 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。

 曝光:

◦ 光源匹配:

◦ G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。

◦ DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-14nm制程,如存储芯片)。

◦ EUV胶(13.5nm):极紫外光源(用于7nm以下制程,需控制纳米级缺陷)。

◦ 曝光能量:需精确控制(如ArF胶约50mJ/cm²),避免过曝或欠曝导致图案失真。

 显影:

◦ 采用碱性溶液(如0.262N四甲基氢氧化铵,TMAH),曝光区域胶膜溶解,未曝光区域保留,形成三维立体图案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

◦ 化学增幅型胶需此步骤,通过加热(90-130℃)激发光酸催化反应,提高分辨率和耐蚀刻性。
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依托自主研发与国产供应链,吉田半导体 LCD 光刻胶市占率达 15%,跻身国内前段企业。吉田半导体 YK-200 LCD 正性光刻胶采用国产树脂与单体,实现 100% 国产化替代。其分辨率 0.35μm,附着力 > 3N/cm,性能优于 JSR 的 AR-P310 系列。通过与国内多家大型企业的深度合作,产品覆盖智能手机、电视等显示终端,年供货量超 200 吨。公司建立国产原材料溯源体系,确保每批次产品稳定性,推动 LCD 面板材料国产化进程。

青岛UV纳米光刻胶厂家正性光刻胶的工艺和应用场景。

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• 正性光刻胶

◦ YK-300:适用于半导体制造,具备高分辨率(线宽≤10μm)、耐高温(250℃)、耐酸碱腐蚀特性,主要用于28nm及以上制程的晶圆制造,适配UV光源(365nm/405nm)。

◦ 技术优势:采用进口树脂及光引发剂,绝缘阻抗高(>10^14Ω),满足半导体器件对绝缘性的严苛要求。

• 负性光刻胶

◦ JT-1000:负性胶,主打优异抗深蚀刻性能,分辨率达3μm,适用于功率半导体、MEMS器件制造,可承受氢氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等强腐蚀液处理。

◦ SU-3:经济型负性胶,性价比高,适用于分立器件及低端逻辑芯片,光源适应性广(248nm-436nm),曝光灵敏度≤200mJ/cm²。

2. 显示面板光刻胶

• LCD正性光刻胶YK-200:专为TFT-LCD制程设计,具备高涂布均匀性(膜厚误差±1%)、良好的基板附着力,用于彩色滤光片(CF)和阵列基板(Array)制造,支持8.5代线以上大规模生产。

• 水性感光胶JT-1200:环保型产品,VOC含量<50g/L,符合欧盟RoHS标准,适用于柔性显示基板,可制作20μm以下精细网点,主要供应京东方、TCL等面板厂商。

“设备-材料-工艺”闭环验证
吉田半导体与中芯国际、华虹半导体等晶圆厂建立了联合研发机制,针对28nm及以上成熟制程开发专门使用光刻胶,例如其KrF光刻胶已通过中芯国际北京厂的产线验证,良率达95%以上。此外,公司参与国家重大专项(如02专项),与中科院微电子所合作开发EUV光刻胶基础材料,虽未实现量产,但在酸扩散控制和灵敏度优化方面取得阶段性突破。

政策支持与成本优势
作为广东省专精特新企业,吉田半导体享受税收优惠(如15%企业所得税)和研发补贴(2023年获得国家补助超2000万元),比较明显降低产品研发成本。同时,其本地化生产(东莞松山湖基地)可将物流成本压缩至进口产品的1/3,并实现48小时紧急订单响应,这对中小客户具有吸引力。

吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。

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广东吉田半导体材料有限公司成立于 2023 年,总部位于东莞松山湖经济技术开发区,注册资本 2000 万元。作为高新企业和广东省专精特新企业,公司专注于半导体材料的研发、生产与销售,产品线覆盖芯片光刻胶、LCD 光刻胶、纳米压印光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等领域。其光刻胶产品以高分辨率、耐蚀刻性和环保特性著称,广泛应用于芯片制造、显示面板及精密电子元件生产。

公司依托 23 年行业经验积累,构建了完整的技术研发体系,拥有全自动化生产设备及多项技术。原材料均选用美国、德国、日本进口的材料,并通过 ISO9001:2008 质量管理体系认证,生产流程严格执行 8S 现场管理标准,确保产品稳定性与一致性。目前,吉田半导体已与多家世界 500 强企业及电子加工企业建立长期合作,产品远销全球市场,致力于成为半导体材料领域的企业。
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吉田半导体 SU-3 负性光刻胶:国产技术赋能 5G 芯片封装

自主研发 SU-3 负性光刻胶支持 3 微米厚膜加工,成为 5G 芯片高密度封装材料。
针对 5G 芯片封装需求,吉田半导体自主研发 SU-3 负性光刻胶,分辨率达 1.5μm,抗深蚀刻速率 > 500nm/min。其超高感光度与耐化学性确保复杂图形的完整性,已应用于高通 5G 基带芯片量产。产品采用国产原材料与工艺,不采用国外材料,成本较进口产品降低 40%,帮助客户提升封装良率至 98.5%,为国产 5G 芯片制造提供关键材料支撑。
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对比国际巨头的差异化竞争力 维度 吉田光刻胶 国际巨头(如JSR、东京应化) 技术定位 聚焦细分市场(如纳米压印、LCD) 主导高级半导体光刻胶(ArF、EUV) 成本优势 原材料自主化率超80%,成本低20% 依赖进口原材料,成本高 客户响应 48小时内提供定制化解决方案 认证周期长(2-3年) 区域市场 东南亚、北美市占率超15% 全球市占率超60% 风险与挑战 前段技术瓶颈:ArF、EUV光刻胶仍依赖进口,研发投入不足国际巨头的1/10。 客户认证周期:半导体光刻胶需2-...

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