企业商机

惠州高温光刻胶

上游原材料： ◦ 树脂：彤程新材、鼎龙股份实现KrF/ArF光刻胶树脂自主合成，金属杂质含量<5...

光刻胶基本参数

品牌
吉田半导体
型号
型号齐全

光刻胶企业商机

上游原材料：

◦ 树脂：彤程新材、鼎龙股份实现KrF/ArF光刻胶树脂自主合成，金属杂质含量<5ppb（国际标准<10ppb）。

◦ 光引发剂：久日新材攻克EUV光刻胶原料光致产酸剂，累计形成吨级订单；威迈芯材合肥基地建成100吨/年ArF/KrF光刻胶主材料产线。

◦ 溶剂：怡达股份电子级PM溶剂全球市占率超40%，与南大光电合作开发配套溶剂，技术指标达SEMI G5标准。

设备与验证：

◦ 上海新阳与上海微电子联合开发光刻机适配参数，验证周期较国际厂商缩短6个月；徐州博康实现“单体-树脂-成品胶”全链条国产化，适配ASML Twinscan NXT系列光刻机。

◦ 国内企业通过18-24个月的晶圆厂验证周期（如中芯国际、长江存储），一旦导入不易被替代。

吉田市场定位与未来布局。惠州高温光刻胶

公司遵循国际质量管理标准，通过 ISO9001:2008 认证，并在生产过程中执行 8S 现场管理，从原料入库到成品出库实现全流程监控。以锡膏产品为例，其无卤无铅配方符合环保要求，同时具备低飞溅、高润湿性等特点，适用于电子产品组装。此外，公司建立了行业标准化实验室，配备先进检测设备，确保产品性能达到国际同类水平。

凭借多年研发积累，公司形成了覆盖光刻胶、焊接材料、电子胶等领域的丰富产品线。在焊接材料方面，不仅提供常规锡膏、助焊膏，还针对特殊场景开发了 BGA 助焊膏、针筒锡膏等定制化产品，满足精密电子组装的多样化需求。同时，感光胶系列产品分为水性与油性两类，兼具耐潮性与易操作性，广泛应用于印刷电路板制造。

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产品优势：多元化布局与专业化延伸

全品类覆盖

吉田产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等，形成“光刻胶+配套材料”的完整产品线。例如：

◦ 芯片光刻胶：覆盖i线、g线光刻胶，适用于6英寸、8英寸晶圆制造。

◦ 纳米压印光刻胶：用于MEMS、光学器件等领域，替代传统光刻工艺。

专业化延伸

公司布局半导体用KrF光刻胶，计划2025年启动研发，目标进入中芯国际、长江存储等晶圆厂供应链。

质量与生产优势：严格品控与自动化生产

ISO认证与全流程管控

公司通过ISO9001:2008质量体系认证，生产环境执行8S管理，原材料采用美、德、日进口高质量材料，确保产品批次稳定性。

质量指标：光刻胶金属离子含量低于0.1ppb，良率超99%。

自动化生产能力

拥有行业前列的全自动化生产线，年产能达2000吨（光刻胶及配套材料），支持大规模订单交付。

吉田半导体水性感光胶 JT-1200：水油兼容，钢片加工精度 ±5μm

JT-1200 水性感光胶解决钢片加工难题，提升汽车电子部件制造精度。
针对汽车电子钢片加工需求，吉田半导体研发的 JT-1200 水性感光胶实现水油兼容性达 100%，加工精度 ±5μm。其高粘接强度与耐强酸强碱特性，确保复杂结构的长期可靠性。其涂布性能优良，易做精细网点，适用于安全气囊传感器、车载摄像头模组等精密部件。产品通过 IATF 16949 汽车行业认证，生产过程严格控制金属离子含量，确保电子产品可靠性。

光刻胶生产工艺流程与应用。

吉田半导体 JT-3001 厚板光刻胶：欧盟 RoHS 认证，PCB 电路板制造

凭借抗深蚀刻性能与环保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻胶成为 PCB 行业材料。
吉田半导体推出的 JT-3001 厚板光刻胶，分辨率达 1.5μm，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，适用于高密度电路板制造。产品通过欧盟 RoHS 认证，采用无卤无铅配方，符合环保要求。其优异的感光度与留膜率，确保复杂线路图形的成型，已应用于华为 5G 基站主板量产。公司提供从材料选型到工艺优化的全流程支持，助力客户提升生产效率与良率。

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吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造光刻胶。惠州高温光刻胶

作为中国半导体材料领域的企业，吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略，通过 23 年技术沉淀与持续创新，成功突破多项 “卡脖子” 技术，构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域，为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。

吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作，在光刻胶领域实现多项技术突破：

YK-300 正性光刻胶：分辨率达 0.35μm，线宽粗糙度（LWR）≤3nm，适用于 45nm 及以上制程，良率达 98% 以上，成本较进口产品降低 40%，已通过中芯国际量产验证。
SU-3 负性光刻胶：支持 3μm 厚膜加工，抗深蚀刻速率 > 500nm/min，成功应用于高通 5G 基带芯片封装，良率提升至 98.5%。
JT-2000 纳米压印光刻胶：突破 250℃耐高温极限，图形保真度 > 95%，性能对标德国 MicroResist 系列，已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。

惠州高温光刻胶

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