以 15% 年研发投入为驱动,吉田半导体加速 EUV 光刻胶与木基材料研发,抢占行业制高点。布局下一代光刻技术。
面对极紫外光刻技术挑战,吉田半导体与中科院合作开发化学放大型 EUV 光刻胶,在感光效率(<10mJ/cm²)和耐蚀性(>80%)指标上取得阶段性进展。同时,公司前瞻性布局木基光刻胶研发,对标日本王子控股技术,探索生物基材料在半导体封装中的应用。这些技术储备为 7nm 及以下制程提供支撑,助力中国在下一代光刻技术中占据重要地位。吉田质量管控与认证壁垒。深圳高温光刻胶报价
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
厚板光刻胶 JT - 3001:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年,适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景,如一些特殊的电路板制造。
SU - 3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应。重量为 100g,常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000:有 1L 和 100g 两种规格,具有优异的分辨率,准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造,能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶:耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高。重量 100g,适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如一些半导体器件的制造。 光刻胶解决方案找吉田,ISO 认证 + 8S 管理,良率达 98%!常州负性光刻胶报价
正性光刻胶生产厂家。深圳高温光刻胶报价
吉田半导体突破光刻胶共性难题,提升行业生产效率,通过优化材料配方与工艺,吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题,助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题,吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%,密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术,在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤,使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本,推动行业生产效率提升。深圳高温光刻胶报价
关键工艺流程 涂布: ◦ 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。 前烘(Soft Bake): ◦ 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。 曝光: ◦ 光源匹配: ◦ G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。 ◦ DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-1...