湖北专业BOE蚀刻液订做价格

    neutroyconductordeproteccióónentreloselementosdelsurtidor(emisordeimpulsos,solenoides,calculador,etc.),seconsiderasuficientelautilizacióndecableconcubiertaexteriordePVC/policloroprenoresistentealoshidrocarburos,detiponoarmadoyaquealserIP-23comomínimoelgradodeprotecciónmecánicadelsurtidor,encondicionesnormalesdeoperación,noesposibleejerceraccionesmecánicasquepuedandañánicos,talescomolaseventualesvibracionesgeneradasporlosequiposrotativosdelsurtidor,sondespreciables,ávibracióánsintensióááneas,cuandoseutilicencablesarmados,serealizaránenzanjasrellenasdearenaoentubosríéreasocuandoseutilicencablesnoarmados,sinprotecciónmecánica,seharáánsinsoldadura,galvanizadointerioryexterior,elroscadodelosmismosdeberácumplirlasexigenciasrelativasaltipodeejecucióátilesomóvilesseráncontubosmetálicosflexibles,corrugados,protegidosexteriormentecontralaoxidacióáncumplirlascondicionesdeltipodeconstruccióncorrespondientesasuejecucióóndeunacanalizacióneléctricadeunazonaaotra。BOE蚀刻液，高效，品质之选。湖北专业BOE蚀刻液订做价格

    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。湖北无机BOE蚀刻液价格博洋化学BOE蚀刻液的专业供应商。

    形成气液混合体，从扩散管22排出又进入到再生液调配缸3。电解再生某线路板生产线蚀刻废液，蚀刻废液量1000m3/d，相比没有使用本实用新型所提供的酸性蚀刻液电解后液处理系统，能耗节约40％，节约使用药品100kg/d，经济效益提高30％。作为本实施例的一个示例，电解槽1的阳极可选用石墨电极，阴极可选用钛或钛合金板状电极，电解槽1中阴极与阳极之间的距离为55mm，电解槽1的电流密度为300a/m2。与实施例相结合，图2示出了本实用新型第二实施例提供的酸性蚀刻液电解后液处理系统的结构，在实施例的基础上，第二实施例进一步包括曝气装置5，曝气装置5通过管道深入到再生液调配缸3的液体中，用于向再生液调配缸3中的电解后液输送气体以进行搅拌，以提高整个系统的工作效率。进一步地，与上述、第二实施例相结合，酸性蚀刻液电解后液处理系统还可以包括一后续处理系统，用于向经过再生液调配缸3处理过的电解后液中加入氯化钠、盐酸并搅拌均匀，然后再打入到子液桶，实现再生液循环利用。以上所述为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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