湖南如何发展BOE蚀刻液报价

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    所述的磷酸浓度为82-87％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，醇醚类的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，表面活性剂的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，所述的醇醚类为选自二乙二醇单甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇单甲醚、三甘醇单丁醚等中的至少一种；表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、月桂酰氨乙基硫酸钠、醇醚羧酸盐等中的至少一种。进一步地，在使用本发明的蚀刻液进行氮化硅层蚀刻时，蚀刻温度为152-165℃，蚀刻时间为5-60min。通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，改善了磷酸的浸润性和表面张力，明显提高了蚀刻液对氮化硅层的润湿和蚀刻均匀性。为了便于验证氮化硅薄膜层的蚀刻均匀性，本发明使用淀积了氮化硅薄膜的晶圆样片(初始厚度约为)。蚀刻液配制完成后，先使用表面张力仪检测该蚀刻液的表面张力；然后将氮化硅晶圆片切割成1cm*3cm的小样片，采用超纯水清洗和氮气吹干后，使用接触角测量仪检测蚀刻液对氮化硅层的接触角大小。在蚀刻前，使用椭圆偏振光谱仪对氮化硅样片取不同位置共6个点进行厚度的测量。湖南如何发展BOE蚀刻液报价BOE蚀刻液如何配置，欢迎咨询。

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    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。BOE蚀刻液多少钱一吨？

    所述九氟丁基烷基醚主要由九氟正丁基烷基醚和九氟异丁基烷基醚组成。5.权利要求14中任一项的组合物，特征在于，所述组合物是共沸的或共沸型的。6.权利要求5的组合物，特征在于，所述组合物包含515重量％的甲基四氢呋喃和8595重量％的九氟丁基甲基醚。7.共沸组合物，其包含8重量％的甲基四氢呋喃和92重量％的九氟丁基甲基醚，并且在大气压()下具有°C的沸点。8.权利要求5的组合物，特征在于，所述组合物包含1040重量％的甲基四氢呋喃和6090重量％的九氟丁基乙基醚。9.共沸组合物，其包含％的甲基四氢呋喃和％的九氟丁基乙基醚，并且在大气压()下具有°C的沸点。10.制冷剂，特征在于，其包含前述权利要求中任一项的组合物。11.溶剂，特征在于，其包含权利要求19中任一项的组合物。全文摘要本发明涉及含有全氟丁基醚的共沸或共沸型混合物或组合物。更具体地说，本发明涉及含有至少一种九氟丁基烷基醚和可生物降解化合物的组合物，该组合物可用作溶剂或制冷剂。BOE蚀刻液适用于什么半导体什么制程；上海电子级BOE蚀刻液生产

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