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门极驱动功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驱动器总功率 P = PG + PS（驱动器的功耗）平均输出电流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比较高开关频率 fSW max. = IoutAV(mA) / QG(μC)峰值电流IG MAX = ΔUGE / RG min = [ VG(on) - VG(off) ] / RG min其中的 RG min = RG extern + RG internfsw max. : 比较高开关频率IoutAV :单路的平均电流QG : 门极电压差时的 IGBT门极总电荷RG extern : IGBT 外部的门极电阻RG intern : IGBT 芯片内部的门极电阻但是实际上在很多情况下，数据手册中这个门极电荷参数没有给出，门极电压在上升过程中的充电过程也没有描述。这时候比较好是按照 IEC 60747-9-2001 - Semiconductor devices -非隔离驱动电路：不具有电气隔离结构，多采用电阻、二极管、三极管或非隔离型驱动芯片。嘉定区国产驱动电路量大从优

实验及结果根据以上分析，本文设计一台基于反激变换器的可控硅调光LED驱动器，控制芯片为NCP1607;输入交流电压220V，最大输出功率为25W，比较大输出电流为0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED灯)相并联作为负载;RC时间系数选择0.5，增益为0.2。电路的实验波形和工作特性曲线如图4所示。图4a)、b)、c)为可控硅导通角为115°时阻抗匹配开关驱动电压VZ、输入电流Iin、输入电压Vin的波形，电路的输出电流为470mA，功率因数为0.78。从图中可看出，当可控硅导通瞬间，由于驱动器输入端有差模滤波电容导致输入电流有冲击电流尖峰，而当输入电流小于一定值时，阻抗匹配开关开通以保证流过可控硅的电流大于其维持电流。嘉定区国产驱动电路量大从优效率：选择合适的元件以提高电路的效率，减少功耗。

驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高，容易**扰，故驱动电路应具有良好的电气隔离性能，以实现主电路与控制电路之间的隔离，使之具有较强的抗干扰能力，避免功率级电路对控制信号的干扰。光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路，但其对脉冲的宽度有较大限制，若脉冲过宽，磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大，甚至使其烧毁，而若脉冲过窄，为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。

根据图2中，RC充放电电路的输出经过增益电路后可得电流参考为：式中k为增益，VC为RC充放电电路的输入电压，τ为RC的时间系数，θ为可控硅的导通角。则在**小导通角对应的输出为零，即电路输出的**大值对应电流参考的**大值：从式(1)和式(2)可得输出电流表达式如式(3)所示。在斩波角为θ时，电路对应的输入功率为：式中Vp为输入电压峰值，Rin为等效输入阻抗。假设电路的变换效率为η，且电路的输出功率为PO=IO·UO，则可得到电路的等效输入阻抗如式(5)所示。从式(5)可得电路的功率因数如式(6)所示。传感器检测到的物理量（如温度、压力等）可以通过驱动电路转换为电信号，以便进行后续处理和分析。

实现电气隔离：在需要电气隔离的应用中，驱动电路通过光耦、变压器等隔离器件，将输入信号与输出信号隔离开来，提高系统的安全性和稳定性。三、驱动电路的分类按功率器件的接地类型分类：直接接地驱动：功率器件的接地端电位恒定，常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。浮动接地驱动：功率器件接地端电位会随电路状态变化而浮动，典型的为自举驱动电路。按电路结构分类：隔离型驱动电路：包含光耦、变压器、电容等具有电气隔离功能器件的驱动电路。它是电子设备和系统中至关重要的组成部分，广泛应用于计算机、通信设备、电视、汽车、机器人等领域。宝山区质量驱动电路销售厂

直接接地驱动：功率器件的接地端电位恒定，常用的有推挽驱动以及图腾柱驱动等。嘉定区国产驱动电路量大从优

驱动电路(Drive Circuit)，位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路（即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管），称为驱动电路。驱动电路的作用：将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。基本任务驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。嘉定区国产驱动电路量大从优

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