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由于门极的测量电压太低(VGE=0V )而不是门极的门槛电压，在实际开关中存在的米勒效应（Miller 效应）在测量中也没有被包括在内，在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT 数据手册中给出的电容Cies 值大很多。因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中**只能作为一个参考值使用。确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说，**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷)，如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数，那么我们就可以运用公式计算出：门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]IGBT的驱动电路一般采用驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。嘉定区挑选驱动电路量大从优

在安装驱动程序时，Windows一般要把.inf文件拷贝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目录下，以备将来使用。Inf目录下除了有.inf文件外，还有两个特殊文件D和D，以及一些.pnf文件，它们都是Windows为了加快处理速度而自动生成的二进制文件。D和D记录了inf文件描述的所有硬件设备，也许朋友们会有印象：当我们在安装某些设备时，经常会看到一个“创建驱动程序信息库”的窗口，此时Windows便正在生成这两个二进制文件。嘉定区挑选驱动电路量大从优LED驱动电路：专门设计用于驱动LED，通常包括恒流源电路，以确保LED在安全的电流范围内工作。

IGBT驱动：IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，负压关断可以避免误导通风险，加快关断速度，减小关断损耗。IGBT的驱动电路一般采用**的驱动芯片，如东芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飞凌的EiceDRIVER系列等。五、驱动电路的应用显示控制：驱动电路可以将数字信号转换为模拟信号，以控制液晶显示屏、LED显示屏等显示设备；也可以将模拟信号转换为数字信号，以控制数码管等显示设备。

IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。MOSFET驱动：MOSFET常用于中小功率数字电源，其驱动电压范围一般在-10~20V之间。

有些驱动器只有一个输出端，这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络，用以调节2个方向的驱动速度。3、在IGBT的栅射极间接上Rge=10－100K 电阻，防止在未接驱动引线的情况下，偶然加主电高压，通过米勒电容烧毁IGBT。所以用户比较好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。对于大功率IGBT，选择驱动电路基于以下的参数要求：器件关断偏置、门极电荷、耐固性和电源情况等。门极电路的正偏压VGE负偏压-VGE和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dv/dt电流等参数有不同程度的影响。门极驱动条件与器件特性的关系见表1。栅极正电压 的变化对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等问题(见表1)。隔离驱动：电路包含隔离器件，常用的有光耦驱动、变压器驱动以及隔离电容驱动等。嘉定区挑选驱动电路量大从优

继电器驱动电路：通过控制继电器的开关来驱动高功率负载，适用于需要隔离控制信号和负载的场合。嘉定区挑选驱动电路量大从优

光电隔 离，是利用光耦合器将控制信号回路和驱动回路隔离开。该驱动电路输出阻抗较小，解决了栅极驱动源低阻抗的问题，但由于光耦合器响应速度较慢，因而其开关延迟时间较长，限制了适应频率。典型光耦内部电路图光耦指的是可隔离交流或直流信号KCB EA。1.由IF控制Ic；电流传输比CTR-Current Transfer Ratio2.输入输出特性与普通三极管相似,电流传输比Ic/IF比三极管“β ”小;3.可在线性区， 也可在开关状态。 驱动电路中， 一般工作在开关状态。嘉定区挑选驱动电路量大从优

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