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IGBT 的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻。图1是IGBT 门极电容分布示意图，其中CGE 是栅极-发射极电容、CCE 是集电极-发射极电容、CGC 是栅极-集电极电容或称米勒电容（Miller Capacitor）。门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C 的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V 时要大一些(如图2)。物理意义：指推动或驱使某物运动的力量或机制。例如，汽车的发动机驱动汽车前进。金山区本地驱动电路现价

调光原理市面上大多数可控硅调光器基本结构如图1所示，其工作原理如下：当交流电压加双向可控硅TRIAC两端时，由于Rt、Ct组成的RC充电电路有一个充电时间，电容上的电压是从0V开始充电的，并且TRIAC的驱动极串联有一个DIAC(双向触发二极管，一般是30V左右)，因此TRIAC可靠截止。当Ct上的电压上升到30V时，DIAC触发导通，TRIAC可靠导通，此时TRIAC两端的电压瞬间变为零，Ct通过Rt迅速放电，当Ct电压跌落到30V以下时，DIAC截止，如果TRIAC通过的电流大于其维持电流则继续导通，如果低于其维持电流将会截止。电感L和电容C的作用是减小电流和电压的变化率，以抑制电磁干扰EMI问题。金山区本地驱动电路现价高边驱动：则用于将功率开关器件连接在电源正极一侧。

3.关断瞬时：足够、反向基极电流—迅速抽出基区剩余载流子，减小 ；反偏截止电压，使ic迅速下降，减小 。恒流驱动电路恒定电路即基极电流恒定，功率管饱和导通。恒流驱动优点：优点： 电路简单；普通恒流驱动电路恒流驱动缺点：轻载时深度饱和，关断时间长。驱动电路的实质是给栅极电容充放电。 [2]开通：1.驱动电压足够高，一般>10V；（减小RDS(on))2.足够的瞬态驱动电流，快的上升沿； （加速开通）3.驱动电路内阻抗小。 （加速开通）关断：1. 足够的瞬态驱动电流，快的下降沿； （加速关断）2. 驱动电路内阻抗小。 （加速关断）3. 驱动加负压。 （防止误导通）

Windows怎样知道安装的是什么设备，以及要拷贝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是从Windows 95时***始引入的一种描述设备安装信息的文件，它用特定语法的文字来说明要安装的设备类型、生产厂商、型号、要拷贝的文件、拷贝到的目标路径，以及要添加到注册表中的信息。通过读取和解释这些文字，Windows便知道应该如何安装驱动程序。几乎所有硬件厂商提供的用于Windows 9x下的驱动程序都带有安装信息文件。事实上，.inf文件不仅可用于安装驱动程序，还能用来安装与硬件并没有什么关系的软件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新时下载的系统部件就是利用.inf文件来说明如何安装该部件的。隔离驱动：电路包含隔离器件，常用的有光耦驱动、变压器驱动以及隔离电容驱动等。

引言近年来，高亮度LED照明以高光效、长寿命、高可靠性和无污染等优点正在逐步取代白炽灯、荧光灯等传统光源。在一些应用中，希望在某些情况下可调节灯光的亮度，以便进一步节能和提供舒适的照明。常见的调光有双向可控硅调光、后沿调光、ON/OFF调光、遥控调光等。可控硅调光器在传统的白炽灯等调光照明应用已久，且不用改变接线，装置成本较低，各品牌可控硅调光器的性能和规格相差不大，但是其直接应用在LED驱动场合还存在着一系列问题。集成驱动芯片：一些集成电路（IC）可以简化驱动电路的设计，例如用于电机驱动的H桥驱动IC。崇明区制造驱动电路图片

半桥驱动和全桥驱动：这两种驱动方式多用于需要更高功率转换效率的场合，如电机驱动、电源转换等。金山区本地驱动电路现价

如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=2.2Cies，门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的输入电容（Cies 可从IGBT 手册中找到）如果IGBT数据手册中已经给出了正象限的门极电荷曲线，那么只用Cies 近似计算负象限的门极电荷会更接近实际值：门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2金山区本地驱动电路现价

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