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在安装驱动程序时,Windows一般要把.inf文件拷贝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目录下,以备将来使用。Inf目录下除了有.inf文件外,还有两个特殊文件D和D,以及一些.pnf文件,它们都是Windows为了加快处理速度而自动生成的二进制文件。D和D记录了inf文件描述的所有硬件设备,也许朋友们会有印象:当我们在安装某些设备时,经常会看到一个“创建驱动程序信息库”的窗口,此时Windows便正在生成这两个二进制文件。驱动电路的设计通常需要考虑负载的电流、电压要求,以及控制信号的特性。上海本地驱动电路销售厂

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MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。●分布式电源架构●汽车电源●高密度●电信系统●欠压闭锁功能●自适应贯通保护功能●自举电源电压至 114V●1.4A 峰值顶端栅极上拉电流●1.75A 峰值底端栅极上拉电流●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装奉贤区好的驱动电路现价驱动集成芯片:在数字电源中应用,许多驱动芯片自带保护和隔离功能。

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驱动电路隔离技术一般使用光电耦合器或隔离变压器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作频率及输入阻抗高,容易**扰,故驱动电路应具有良好的电气隔离性能,以实现主电路与控制电路之间的隔离,使之具有较强的抗干扰能力,避免功率级电路对控制信号的干扰。光耦隔离驱动可分为电磁隔离与光电隔离。采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离,是一种电路简单可靠,又具有电气隔离作用的电路,但其对脉冲的宽度有较大限制,若脉冲过宽,磁饱和效应可能使一次绕组的电流突然增大,甚至使其烧毁,而若脉冲过窄,为驱动栅极关断所存储的能量可能不够。

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所给出的测试方法测量出开通能量E,然后再计算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE这种方法虽然准确但太繁琐,一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷:如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的认为Cin=4.5Cies,门极电荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的输入电容(Cies 可从IGBT 手册中找到)继电器驱动电路:通过控制继电器的开关来驱动高功率负载,适用于需要隔离控制信号和负载的场合。

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led驱动电路是一种用于可控硅调光器的电路,分为两类AC/ DC转换和DC/ DC转换两类,又根据驱动原理的不同,可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。LED在具体的使用时,要注意驱动电路的选用。LED 驱动电路除了要满足安全要求外,另外的基本功能应有两个方面:根据能量来源的不同,LED驱动电路总体上可分为两类,一是AC/ DC转换,能量来自交流电,二是DC/ DC转换,能量来自干电池、可充电电池、蓄电池等。根据LED驱动原理的不同,又可以分为线性驱动电路和开关驱动电路。驱动电路在现代电子技术中发挥着重要的作用,是实现各种功能和提升电子器件性能和效率的关键。普陀区推广驱动电路设计

浮动接地驱动:功率器件接地端电位会随电路状态变化而浮动,典型的为自举驱动电路。上海本地驱动电路销售厂

2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间,由于电路中其他部分的工作,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号,这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此,比较好给处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值一般为5~15 V),使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。3)具有栅极电压限幅电路,保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压一般为+20 V,驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。4)由于IGBT多用于高压场合。要求有足够的输入、输出电隔离能力。所以驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离,一般采用高速光耦合隔离或变压器耦合隔离。上海本地驱动电路销售厂

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