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在锂电池保护领域，芯纳科技 xinnasemi 作为行业内的重要力量，携手赛芯代理，为众多应用提供高质量的锂电池保护 IC 和二合一锂电保护 IC。例如，在某消费电子品牌的新型智能手机中，芯纳科技的锂电池保护 IC 精细监测电池状态，有效防止过充、过放等异常情况，保障了电池的安全和稳定性，从而为用户带来更持久可靠的使用体验。

芯纳科技XINNASEMI 凭借其的技术实力，与上海如韵展开深度合作。在一款新兴的智能穿戴设备中，其提供的二合一锂电保护 IC 发挥了关键作用。通过对电池电压、电流的精确控制，成功避免了电池在复杂使用环境下的潜在风险，确保设备在长时间运行过程中电池始终处于安全稳定状态，使得该智能穿戴设备在市场上赢得了良好的口碑。 高精度 ADC 用于检测充电电流，高速 ADC 用于检测电压信号。XLD6032M33

锂电池充电管理XA4246：丝印：2YL6、2YL4、2YL2、2YLA、H1JC、UN8HX、54B4、S9VH、1IEK、19jH、IJH55、B701、6QK103、XA4054可替代XA4055丝印：55B0、55B1、55B2、55B3、55B4、55B5、55B6、55B7、55B8、55B9、55Ba、55Bb、XA4058；丝印：58B0、58B1、58B2、58B3、58B4、58B5、58B6、58B7、58B8、58B9、588Ba、58Bb、XA4057；丝印：57B0、57B1、57B2、57B3、57B4、57B5、57B6、57B7、57B8、57B9、57Ba、57Bb、XA4059；丝印：59B0、59B1、59B2、59B3、59B4、59B5、59B6、59B7、59B8、59B9、59Ba、59Bb、XA4017：丝印:017K、017G、57b9、57Ba、017t、HXNNH、017e、XA5056丝印：5056 、XA4217丝印：HXN-WL电源管理ICXB5350D0芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。

电源管理IC的主要功能包括以下几个方面：电源开关：电源管理IC可以控制电源的开关，实现设备的启动和关闭。它可以在设备启动时提供稳定的电源供应，并在设备关闭时断开电源，以节省能源和延长设备寿命。温度管理：电源管理IC还可以监测设备的温度，并根据需要调整电源输出。当设备温度过高时，它可以降低电源输出，以防止设备过热。除了以上功能，电源管理IC还可以提供过电流保护、过热保护、短路保护等功能，以保护设备免受电源故障和其他意外情况的影响。支持设备插拔自动检测和设备类型的识别。

   CN3125是具有恒流∕恒压功能的充电芯片，输入电压范围，能够对单节或双节超级电容进行充电管理。CN3125内部有功率晶体管，不需要外部阻流二极管和电流检测电阻。CN3125只需要极少的外部元器件，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。恒压充电电压由FB管脚的分压电阻设置，恒流充电电流由ISET管脚的电阻设置。CN3125内部有电容电压自动均衡电路，可以防止充电过程中电容过压。当输入电压掉电时，CN3125自动进入低功耗的睡眠模式，此时TOP管脚和MID管脚的电流消耗小于3微安。其他功能包括芯片使能输入端，电源低电压检测和超级电容准备好状态输出等。CN3125采用散热增强型的8管脚小外形封装(eSOP8)。支持快充适配器插拔自动检测和快充协议的智能识别。XB5136IS

DS2730 集成了微处理器、双路降压变换器、快充协议控制器。XLD6032M33

DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时，自动关闭放电通路。XLD6032M33