气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。气体放电管的各种电气特性，如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等，能根据使用系统的要求进行调整优化。这种调整往往是通过改变放电管内的气体种类、压力、电极涂敷材料成分及电极间的距离来实现的。气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性，气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。放电管的工作原理是气体放电。当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿。进口半导体放电管品牌
气体放电管（GasDischargeTubeGDT）是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件，是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大，结电容低，绝缘电阻高，响应速度慢，击穿残压较高，并且有续流。适合应用在信号端口初级，电源端口（与钳位型串联）。气体放电管的主要参数包括：直流击穿电压DCSpark-overVoltage：又称为直流火花放电电压，是指施加缓慢升高的直流电压时，GDT火花放电时的电压，一般电压斜率为100V/s；脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值，一般电压斜率为1000V/us；标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值；耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次；进口半导体放电管品牌半导体放电管原装选深圳市凯轩业科技有限公司。
浪涌电压抑制器件分类浪涌电压抑制器件基本上可以分为两大类型。第一种类型为橇棒（crowbar）器件。其主要特点是器件击穿后的残压很低，因此不仅有利于浪涌电压的迅速泄放，而且也使功耗**降低。另外该类型器件的漏电流小，器件极间电容量小，所以对线路影响很小。常用的撬棒器件包括气体放电管、气隙型浪涌保护器、硅双向对称开关（CSSPD）等。另一种类型为箝位保护器，即保护器件在击穿后，其两端电压维持在击穿电压上不再上升，以箝位的方式起到保护作用。常用的箝位保护器是氧化锌压敏电阻(MOV)，瞬态电压抑制器（TVS）等。3、气体放电管的构造及基本原***体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，基本外形如图1所示。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，并由高阻变成低阻，使电极两端的电压不超过击穿电压
玻璃放电管SPG是集陶瓷气体放电管的大浪涌通流能力和半导体放电管的快速响应于一体的防雷元器件，克服了原气体放电管响应速度慢（μs级）和半导体放电管耐浪涌电流弱的缺点，是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（比较大达3kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高（比较高达4500V）、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大（±20%）。按它的8/20μs脉冲放电电流IPP的大小分为UNC(3kA)、UNB(1kA)、UNA(500A)三个系列。接地连线应当具有尽量短的长度接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。
半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应 响应时间 ns 级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尽寸的TVS管强，可在无源电路中代替 TVS 管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于**小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。-----------气体放电管按照高效率弧光放电的气体物理原理工作。从电气的角度看，气体放电管就是压敏开关。出口半导体放电管厂家
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气体放电管和压敏电阻组合构成的抑制电路图4是气体放电管和压敏电阻组合构成的浪涌抑制电路。由于压敏电阳有一致命缺点:具有不稳定的漏电流，性能较差的压敏电阻使用一段时间后，因漏电流变大可能会发热自爆。为解决这一问题在压敏电阻之间串入气体放电管但这又带来了缺点就是反应时间为各器件的反应时间之和。例如压敏电阻的反应时间为25ns，气体放电管的反应时间为100ns，则图4的r2g,r3的反应时间为150ns，为改善反应时间加入r1压敏电阻,这样可使反应时间为25ns。进口半导体放电管品牌
