由于P沟道FET稳压器具有较低的压差和接地电流，因此常用于许多电池供电的设备。该类型稳压器将P沟道FET用作它的旁路元件。这种稳压器的电压差可以很低，因为很容易通过调整FET尺寸将漏-源阻抗调整到较低值。另一个有用的特性是低的接地电流，因为P沟道FET的“栅极电流”很低。然而，由于 P沟道FET具有相对大的栅极电容，因此它需要外接具有特定范围容量与ESR的电容才能稳定工作。N沟道FET稳压器非常适合那些要求低压差、低接地电流和高负载电流的设备使用。用于旁路管采用的是N沟道FET，因此这种稳压器的压差和接地电流都很低。虽然它也需要外接电容才能稳定工作，但电容值不用很大，ESR也不重要。N沟道FET稳压器需要充电泵来建立栅极偏置电压，因此电路相对复杂一些。幸运的是，相同负载电流下N沟道FET尺寸多时可比P沟道FET小50%。厂家直销，原装线性稳压芯片就选凯轩业科技。SI7489DP-T1-GE3芯片
在采用PNP管的结构中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态降低输出能力，必须保证大的输入输出压差；而P沟道场效应管的压差大致等于输出电流与其导通电阻的乘积，极小的导通电阻使其压差非常低。当系统中输入电压和输出电压接近时，线性稳压器是合适的选择，可达到很高的效率。所以在将锂离子电池电压转换为3V电压的应用中大多选用线性稳压器，尽管电池到后面放电能量的百分之十没有使用，但是线性稳压器仍然能够在低噪声结构中提供较长的电池寿命。线性稳压器的突出优点是具有低成本，低噪声和低静态电流。它的被动器件也少，通常只有一两个旁路电容。新型线性稳压器可达到以下指标：30μV输出噪声、60dBPSRR、6μA静态电流及100mV的压差。线性稳压器能够实现这些特性的主要原因在于内部调整管采用了P沟道场效应管，而不是通常线性稳压器中的PNP晶体管。P沟道的场效应管不需要基极电流驱动，降低了器件本身的电流；SI7489DP-T1-GE3芯片线性稳压电源，参考电压源功能原理：提供直流稳压系统电子电路所需的高精度参考电压源和电源。KXY。
如果我们用一个三极管或者场效应管，来代替图中的可变阻器，并通过检测输出电压的大小，来控制这个“变阻器”阻值的大小，使输出电压保持恒定，这样我们就实现了稳压的目的。这个三极管或者场效应管是用来调整电压输出大小的，所以叫做调整管。由于调整管串联在电源跟负载之间，所以叫做串联型稳压电源。相应的，还有并联型稳压电源，就是将调整管跟负载并联来调节输出电压，典型的基准稳压器 TL431 就是一种并联型稳压器。所谓并联的意思，就是象图 2 中的稳压管那样，通过分流来保证衰减放大管射极电压的“稳定”，也许这个图并不能让你一下子看出它是“并联”的，但细心一看，确实如此。不过，大家在此还要注意一下：此处的稳压管，是利用它的非线性区工作的，因此，如果认为它是一个电源，它也是一个非线性电源。线性稳压芯片 kxy
线性稳压电源是比较早使用的一类直流稳压电源。线性稳压直流电源的特点是：输出电压比输入电压低；反应速度快，输出纹波较小；工作产生的噪声低；效率较低(现在经常看的 LDO 就是为了解决效率问题而出现的)；发热量大(尤其是大功率电源)，间接地给系统增加热噪声。工作原理：我们先用下图来说明线性稳压电源调节电压的原理。如下图所示，可变电阻 RW 跟负载电阻 RL 组成一个分压电路，输出、出电压为：Uo=Ui×RL/(RW+RL)，因此通过调节 RW 的大小，即可改变输出电压的大小。请注意，在这个式子里，如果我们只看可调电阻 RW 的值变化，Uo 的输出并不是线性的，但如果把 RW 和 RL 一起看，则是线性的。还要注意，我们这个图并没有将 RW 的引出端画成连到左边，而画在右边。虽然这从公式上看并没有什么区别，但画在右边，却正好反映了“采样”和“反馈”的概念 ---- 实际中的电源，绝大部分都是工作在采样和反馈的模式下的，使用前馈方法很少，或就是用了，也只是辅助方法而已。线性稳压芯片-它能将波动电压转化为平稳输出，稳压效果明显。
现在普遍利用的都是串联稳压电路。为简单的串联晶体管稳压电路。调整管T与负载电阻R。相串联，当由于供电或用电发生变化引起电路输出电压波动时，它都能及时地加以调节，使输出电压保持基本稳定，因此它被称做调整管。稳压管Dz为调整管提供基准电压，使调整管基极电位不变。R。是D2的保护电阻，限制通过D2的电流，起保护稳压管的作用。控制电路用来调整高频开关元件的开关时间比例，以达到稳定输出电压的目的。控制电路为一脉冲宽度调制器，它主要由取样器、比较器、振荡器、脉宽调制及基准电压等电路构成的原装线性稳压芯片选深圳凯轩业电子有限公司。BSC014N04LSIATMA1芯片
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线性稳压芯片的劣势十分明显，其损耗一直为人诟病，转换效率为输出电压与输入电压的比值，故线性稳压芯片常用于或者说只能用于低压差的电压转换且输出电流较小得场合。常见的线性稳压芯片（例如7805）至少需要确保输入输出压差要大于1.7V，虽然LDO号称可以做到0.1V，但是在实际使用过程中，绝大部分应用场合还是有1V多的压降，损害还是有点高。在使用到线性稳压芯片的地方，负载功率就不宜过大，输出电流控制在500mA以下，同时也需要在Layout时将散热考虑进去（例如在芯片背后画一个比较大的地铜皮，多增加几个散热孔增强散热效果）线性稳压芯片kxySI7489DP-T1-GE3芯片
