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    这要由具体的应用和所使用的功率管决定。比较大栅极充电电流是±15A,充电电流由外接的栅极电阻限定。如果将25脚G通过电阻直接与IGBT:G相连,IGBT的驱动波形上升沿较大,但IGBT导通后上升较快,如图2所示;图2IGD515EI输出端不加MOS管时IGBT的驱动波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25脚与IGBT:G中间串入一只MOS管,进行电流放大,可有效地减小IGBT驱动波形的上升沿,缩短IGBT的导通过程,减小IGBT离散性造成的导通不一致性,减小动态均压电路的压力,但IGBT导通后上升较慢,其波形如图3所示。图3IGD515EI输出端加MOS管时IGBT的驱动波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)(1)响应时间电容和中断时间电容选择功率管,特别是IGBT的导通需要几个微秒,因此功率管导通后要延迟一段时间才能对其管压降进行监测,以确定IGBT是否过流,这个延迟即为“响应时间”。响应时间电容CME的作用是和内部Ω上拉电阻构成数微秒级的延时ta,CME的计算方法如下:在IGBT导通以后,通过IGD515EI内部的检测电路对19脚的检测电压(IGBT的导通压降)进行检测。若导通压降高于设定的门限,则认为IGBT处于过流工作状态,由IGD515EI的35脚送出IGBT过流故障信号,经光纤送给控制电路,将驱动信号***一小段时间。这段时间为截止时间tb。 可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。福建常规IGBT模块品牌

    设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此比较好采用双电源供电。IGBT集成式驱动电路IGBT的分立式驱动电路中分立元件多，结构复杂，保护功能比较完善的分立电路就更加复杂，可靠性和性能都比较差，因此实际应用中大多数采用集成式驱动电路。日本富士公司的EXB系列集成电路、法国汤姆森公司的UA4002集成电路等应用都很***。IPM驱动电路设计IPM对驱动电路输出电压的要求很严格，具体为:①驱动电压范围为15V±10%?熏电压低于13．5V将发生欠压保护，电压高于16．5V将可能损坏内部部件。②驱动电压相互隔离。 福建常规IGBT模块品牌每个IGBT的额定电压和电流分别为1.7kV和1.4kA。

    不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有**测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果*供参考，或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间*几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不*使用方便，而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（*坐标位置不同）。

    二极管算是半导体家族中的元老了，早在***次世界大战末期就已出现晶体检波器，从1930年开始，半导体整流器开始投入市场。二极管模块分为：快恢复二极管模块，肖特基二极管模块，整流二极管模块、光伏防反二极管模块等。而二极管和二极管模块主要区别是功率、速度和封装不同。二级管一般指电流、电压、功率比较小的单管，一般电流在几个安培以内，电压比较高1000多V，但是反向恢复素很快，只有几个ns至几十个ns，用在小功率开关电源做输出整流，或需要频繁开关的场合，其封装一般是塑封、玻璃封装、陶瓷封装等。二极管模块指封装成模块的二极管，功率较大，几十、几百安培，主要用于整流，在大功率设备上使用，如电焊机等，反向恢复时间很快，但比二极管慢，一般在几十个ns至几百个ns之间。那二极管模块应如何选型呢？1、快恢复二极管模块快恢复二极管是一种能快速从通态转变到关态的特殊晶体器件。导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断）。特性是开关速度快，快恢复二极管能够在导通和截止之间快速转化提高器件的使用频率和改善波形。快恢复二极管模块分400V快恢复二极管模块，600V快恢复二极管模块，1200V快恢复二极管模块等。 使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。

    4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。晶体闸流管工作过程编辑晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下。 本产品均采用全数字移相触发集成电路，实现了控制电路和晶闸管主电路集成一体化。福建常规IGBT模块品牌

晶闸管智能模块指的是一种特殊的模板，采用了采用全数字移相触发集成电路。福建常规IGBT模块品牌

    但输出基频就不到50HZ了，再把8010的18脚接高电平，也就是接成原60HZ的形式，这时实际输出就为50HZ了。这个方法，得到了屹晶公司许工的认可。经过和神八兄多次的策划，大约花了一个月左右的“空闲”时间，我终于做出了***块驱动板，见下面的图片，板子还是比较大的，长16CM，宽。这块驱动板元器件特别多，有280个左右的元件。所以，画PCB和装样板，颇费了一番周折。因为，一般大功率的机器，前级和后级可能是分离的，对于后级来讲，一般是接入360V左右的高压，就要能工作，所以，这个驱动卡的辅助电源是高压输入的，我用了一块PI公司的TNY277的IC，电路比较简单，但输出路数很多，有5路，都是互相隔离的。因功率不大，可以用EE20EFD20等磁芯，但这类磁芯，找不到与它匹配的脚位有6+6以上的骨架，所以，只得用了EI28磁芯，用了11+11的骨架。下图是辅助电源部分的电路和TNY277的D极波形。下面是这款驱动卡联上300A模块的图片，四路输出的图腾管是用D1804和B1204，输出电流8A，在连上300A模块时，G极上升时间约为380NS左右(G极电阻10R)，不算很快，但也不算特别慢了。我在模块上接入30V的母线电压，输出的正弦波如下图，可见，设计上没有明显的错误，时序也是对的。现在。 福建常规IGBT模块品牌

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