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SIP工艺解析，引线键合封装工艺工序介绍：圆片减薄，为保持一定的可操持性，Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄，才适用于切割、组装，一般需要研磨到200um左右，一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。圆片切割，圆片减薄后，可以进行划片，划片前需要将晶元粘贴在蓝膜上，通过sawwing工序，将wafer切成一个 一个 单独的Dice。目前主要有两种方式：刀片切割和激光切割。芯片粘结，贴装的方式可以是用软焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封装中较常用的方法是使用聚合物粘结剂粘贴到金属框架上。SiP 封装优势：缩短产品研制和投放市场的周期。南通COB封装定制

SiP 与其他封装形式又有何区别？SiP 与 3D、Chiplet 的区别Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技术制造，也不需要采用同样的工艺，同时较小的硅片本身也不太容易产生制造缺陷。不同工艺制造的 Chiplet 可以通过先进封装技术集成在一起。Chiplet 可以看成是一种硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封装就是将一颗原来需要一次性流片的大芯片，改为若干颗小面积的芯片，然后通过先进的封装工艺，即硅片层面的封装，将这些小面积的芯片组装成一颗大芯片，从而实现大芯片的功能和性能，其中采用的小面积芯片就是 Chiplet。 因此，Chiplet 可以说是封装中的单元，先进封装是由 Chiplet /Chip 组成的，3D 是先进封装的工艺手段，SiP 则指代的是完成的封装整体。通过 3D 技术，SiP 可以实现更高的系统集成度，在更小的面积内封装更多的芯片。不过，是否采用了先进封装工艺，并不是 SiP 的关注重点，SiP 关注系统在封装内的实现。南通COB封装定制SiP系统级封装为设备提供了更高的性能和更低的能耗，使电子产品在紧凑设计的同时仍能实现突出的功能。

SOC与SIP都是将一个包含逻辑组件、内存组件、甚至包含无源组件的系统，整合在一个单位中。区别在于SOC是从设计的角度出发，将系统所需的组件高度集成到一块芯片上；SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，实现一定功能的单个标准封装件。从某种程度上说：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和组件）。SiP封装基板半导体芯片封装基板是封装测试环境的关键载体，SiP封装基板具有薄形化、高密度、高精度等技术特点，为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通过将多个芯片或模块封装在一起，合封芯片可以明显提高数据处理速度和效率。由于芯片之间的连接更紧密，数据传输速度更快，从而提高了整体性能。稳定性增强，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，合封芯片可以减少故障率。功耗降低、开发简单，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，云茂电子可以降低整个系统的功耗。此外，通过优化内部连接和布局，可以进一步降低功耗。防抄袭，多个芯片和元器件模块等合封在一起，就算被采购，也无法模仿抄袭。消费电子目前SiP在电子产品里应用越来越多，尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等消费电子领域。

SiP 技术在快速增长的车载办公系统和娱乐系统中也获得了成功的应用。消费电子目前 SiP 在电子产品里应用越来越多，尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等对小型化要求高的消费电子领域，不过占有比例较大的还是智能手机，占到了 70%。因为手机射频系统的不同零部件往往采用不同材料和工艺，包括硅，硅锗和砷化镓以及其他无源元件。目前的技术还不能将这些不同工艺技术制造的零部件集成在一块硅芯片上。但是 SiP 工艺却可以应用表面贴装技术 SMT 集成硅和砷化镓芯片，还可以采用嵌入式无源元件，非常经济有效地制成高性能 RF 系统。SIP板身元件尺寸小，密度高，数量多，传统贴片机配置难以满足其贴片要求。南通COB封装定制

SiP 可将不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多种材料进行组合进行一体化封装。南通COB封装定制

SiP芯片成品的制造过程，系统级封装（SiP）技术种类繁多，本文以双面塑封SiP产品为例，简要介绍SiP芯片成品的制造过程。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。无源器件贴片，倒装芯片封装（Flip Chip）贴片——裸片（Die）通过凸点（Bump）与基板互连，回流焊接（正面）——通过控制加温熔化封装锡膏达到器件与基板间的键合焊线，键合（Wire Bond）——通过细金属线将裸片与基板焊盘连接塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保护裸片及元器件。南通COB封装定制