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DDR测试基本参数
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现做一个测试电路,类似于图5,驱动源是一个线性的60Ohms阻抗输出的梯形信号,信号的上升沿和下降沿均为100ps,幅值为1V。此信号源按照图6的三种方式,且其端接一60Ohms的负载,其激励为一800MHz的周期信号。在0.5V这一点,我们观察从信号源到接收端之间的时间延迟,显示出来它们之间的时延差异。其结果如图7所示,在图中只显示了信号的上升沿,从这图中可以很明显的看出,带有四个地过孔环绕的过孔时延同直线相比只有3ps,而在没有地过孔环绕的情况下,其时延是8ps。由此可知,在信号过孔的周围增加地过孔的密度是有帮助的。然而,在4层板的PCB里,这个就显得不是完全的可行性,由于其信号线是靠近电源平面的,这就使得信号的返回路径是由它们之间的耦合程度来决定的。所以,在4层的PCB设计时,为符合电源完整性(powerintegrity)要求,对其耦合程度的控制是相当重要的。DDR规范里关于信号建立;广东DDR测试维修

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要注意的是,由于DDR的总线上存在内存控制器和内存颗粒两种主要芯片,所以DDR的信号质量测试理论上也应该同时涉及这两类芯片的测试。但是由于JEDEC只规定了对于内存颗粒这一侧的信号质量的要求,因此DDR的自动测试软件也只对这一侧的信号质量进行测试。对于内存控制器一侧的信号质量来说,不同控制器芯片厂商有不同的要求,目前没有统一的规范,因此其信号质量的测试还只能使用手动的方法。这时用户可以在内存控制器一侧选择测试点,并借助合适的信号读/写分离手段来进行手动测试。 广东DDR测试维修DDR3总线的解码方法;

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DDRSDRAM即我们通常所说的DDR内存,DDR内存的发展已经经历了五代,目前DDR4已经成为市场的主流,DDR5也开始进入市场。对于DDR总线来说,我们通常说的速率是指其数据线上信号的快跳变速率。比如3200MT/s,对应的工作时钟速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情况下每根数据线上比较高传输速率,由于在DDR总线上会有读写间的状态转换时间、高阻态时间、总线刷新时间等,因此其实际的总线传输速率达不到这个理想值。

克劳德高速数字信号测试实验室

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对于DDR2-800,这所有的拓扑结构都适用,只是有少许的差别。然而,也是知道的,菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。对于超过两片的SDRAM,通常,是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构,在这些拓扑结构中,只有A和D是适合4层板的PCB设计。然而,对于DDR2-800,所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性,而在DDR3的设计中,特别是在1600Mbps时,则只有D是满足设计的。DDR信号质量的测试方法、测试装置与测试设备与流程;

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DDR测试DDR/LPDDR简介目前在计算机主板和各种嵌入式的应用中,存储器是必不可少的。常用的存储器有两种:一种是非易失性的,即掉电不会丢失数据,常用的有Flash(闪存)或者ROM(Read-OnlyMemory),这种存储器速度较慢,主要用于存储程序代码、文件以及长久的数据信息等;另一种是易失性的,即掉电会丢失数据,常用的有RAM(RandomAccessMemory,随机存储器),这种存储器运行速度较快,主要用于程序运行时的程序或者数据缓存等。图5.1是市面上一些主流存储器类型的划分DDR4物理层一致性测试;广东DDR测试维修

主流DDR内存标准的比较;广东DDR测试维修

DDR测试按照存储信息方式的不同,随机存储器又分为静态随机存储器SRAM(StaticRAM)和动态随机存储器DRAM(DynamicRAM)。SRAM运行速度较快、时延小、控制简单,但是SRAM每比特的数据存储需要多个晶体管,不容易实现大的存储容量,主要用于一些对时延和速度有要求但又不需要太大容量的场合,如一些CPU芯片内置的缓存等。DRAM的时延比SRAM大,而且需要定期的刷新,控制电路相对复杂。但是由于DRAM每比特数据存储只需要一个晶体管,因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特点,目前已经成为大容量RAM的主流,典型的如现在的PC、服务器、嵌入式系统上用的大容量内存都是DRAM。广东DDR测试维修

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天津DDR测试检修 2025-01-27

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