该文主要研究了以半导体锗和贵金属金两种材料为对象，实现纳米级薄膜厚度准确测量的可行性，主要涉及三种方法，分别是白光干涉法、表面等离子体共振法和外差干涉法。由于不同材料薄膜的特性不同，所适用的测量方法也不同。对于折射率高，在通信波段（1550nm附近）不透明的半导体锗膜，选择采用白光干涉的测量方法；而对于厚度更薄的金膜，其折射率为复数，且能够激发表面等离子体效应，因此采用基于表面等离子体共振的测量方法。为了进一步提高测量精度，论文还研究了外差干涉测量法，通过引入高精度的相位解调手段并检测P光和S光之间的相位差来提高厚度测量的精度。标准样品的选择和使用对于保持仪器准确度至关重要。国内膜厚仪出厂价
白光干涉频域解调是利用频域分析解调信号的一种方法。与时域解调装置相比，测量装置几乎相同，只需将光强测量装置更换为光谱仪或CCD。由于时域解调中接收到的信号是一定范围内所有波长光强叠加，因此将频谱信号中各个波长的光强叠加起来即可得到它对应的时域接收信号。因此，频域的白光干涉条纹不仅包含了时域白光干涉条纹的所有信息，而且包括了时域干涉条纹中没有的波长信息。在频域干涉中，当两束相干光的光程差远大于光源的相干长度时，仍然可以在光谱仪上观察到频域干涉条纹。这是由于光谱仪内部的光栅具有分光作用，可以将宽谱光变成窄带光谱，从而增加光谱的相干长度。这种解调技术的优点是整个测量系统中没有使用机械扫描部件，因此在测量的稳定性和可靠性方面得到了显著提高。常见的频域解调方法包括峰峰值检测法、傅里叶解调法和傅里叶变换白光干涉解调法等。国内膜厚仪出厂价操作之前需要专业技能和经验的培训和实践。
薄膜材料的厚度在纳米级薄膜的各项相关参数中，是制备和设计中一个重要的参量，也是决定薄膜性质和性能的关键参量之一。然而，由于其极小尺寸及表面效应的影响，纳米级薄膜的厚度准确测量变得困难。科研技术人员通过不断的探索研究，提出了新的薄膜厚度测量理论和技术，并将测量方法从手动到自动、有损到无损等不断改进。对于不同性质的薄膜，其适用的厚度测量方案也不相同。在纳米级薄膜中，采用光学原理的测量技术可以实现精度高、速度快、无损测量等优点，成为主要的检测手段。典型的测量方法包括椭圆偏振法、干涉法、光谱法、棱镜耦合法等。
用峰峰值法处理光谱数据时，被测光程差的分辨率取决于光谱仪或CCD的分辨率。我们只需要获取相邻的两个干涉峰值处的波长信息，即可确定光程差，不必关心此波长处的光强大小，从而降低了数据处理难度。此外，也可以利用多组相邻干涉光谱极值对应的波长分别求出光程差，然后再求平均值作为测量结果，以提高该方法的测量精度。但是，峰峰值法存在着一些缺点：当使用宽带光源时，不可避免地会有与光源同分布的背景光叠加在接收光谱中，从而引起峰值处波长的改变，从而引入测量误差。同时，当两干涉信号之间的光程差很小，导致其干涉光谱只有一个干涉峰时，此法便不再适用。工作原理是基于膜层与底材反射率及相位差，通过测量反射光的干涉来计算膜层厚度。
本文温所研究的锗膜厚度约300nm，导致其白光干涉输出光谱只有一个干涉峰，此时常规基于相邻干涉峰间距解调的方案（如峰峰值法等）将不再适用。为此，我们提出了一种基于单峰值波长移动的白光干涉测量方案，并设计搭建了膜厚测量系统。温度测量实验结果表明，峰值波长与温度变化之间具有良好的线性关系。利用该测量方案，我们测得实验用锗膜的厚度为338.8nm，实验误差主要来自于温度控制误差和光源波长漂移。通过对纳米级薄膜厚度的测量方案研究，实现了对锗膜和金膜的厚度测量。本文主要的创新点是提出了白光干涉单峰值波长移动的解调方案，并将其应用于极短光程差的测量。白光干涉膜厚仪广泛应用于半导体、光学、电子、化学等领域，为研究和开发提供了有力的手段。国内膜厚仪出厂价
光路长度越长，仪器分辨率越高，但也越容易受到干扰因素的影响，需要采取降噪措施。国内膜厚仪出厂价
白光光谱法具有测量范围大、连续测量时波动范围小的优点，可以解决干涉级次模糊识别的问题。但在实际测量中，由于误差、仪器误差和拟合误差等因素的影响，干涉级次的测量精度仍然受到限制，会出现干扰级次的误判和干扰级次的跳变现象。这可能导致计算得出的干扰级次m值与实际谱峰干涉级次m'（整数）之间存在误差。因此，本文设计了以下校正流程图，基于干涉级次的连续特性得到了靶丸壳层光学厚度的准确值。同时，给出了白光干涉光谱测量曲线。国内膜厚仪出厂价
