江苏优普纳科技有限公司的碳化硅减薄砂轮,采用自主研发的强度高微晶增韧陶瓷结合剂及多孔砂轮显微组织调控技术,打破国外技术垄断,实现国产化替代。相比进口砂轮,产品磨耗比降低至15%-35%(粗磨)及100%-300%(精磨),表面粗糙度Ra≤3nm,TTV精度达2μm以内,适配东京精密、DISCO等国际主流设备。例如,在8吋SiC线割片加工中,砂轮磨耗比只为30%(粗磨)和200%(精磨),效率提升20%以上,明显降低客户综合成本。欢迎您的随时咨询~优普纳砂轮的多孔显微组织设计,有效提升研削性能,同时确保良好的散热效果,避免加工过程中的热损伤。江苏国产砂轮
江苏优普纳科技有限公司:5G基站氮化镓(GaN)器件对晶圆表面质量要求极高,江苏优普纳科技有限公司的砂轮通过超精密磨削工艺实现Ra≤3nm的镜面效果。某通信设备制造商采用优普纳砂轮加工6吋GaN衬底,精磨磨耗比120%,TTV≤2μm,芯片良率从88%提升至95%,单月产能突破10万片。这一案例验证了国产砂轮在高频、高功率半导体领域的可靠性与竞争力。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。半导体设备砂轮维护在东京精密-HRG200X减薄机上,优普纳砂轮加工6吋SiC线割片,磨耗比为15%,Ra≤30nm,TTV≤3μm。
衬底粗磨减薄砂轮是半导体制造中的关键工具,尤其在晶圆衬底减薄工艺中发挥着不可替代的作用。随着新能源汽车、轨道交通、消费电子等行业的快速发展,市场对于芯片和功率器件的性能要求越来越高,这直接推动了衬底粗磨减薄砂轮技术的不断进步。在江苏优普纳科技有限公司,我们专注于研发和生产品质高的衬底粗磨减薄砂轮,以满足客户日益增长的需求。我们的砂轮采用先进的金刚石磨料和品质高结合剂,确保在粗磨过程中具有出色的磨削效率和稳定性,同时能更大限度地减少晶圆表面的损伤,提高芯片良率。
江苏优普纳科技有限公司的强度高微晶增韧陶瓷结合剂通过纳米级陶瓷相复合技术,明显提升砂轮抗冲击性与耐磨性。在6吋SiC衬底粗磨中,砂轮磨耗比低至11%,且无边缘崩缺现象,TTV精度稳定≤3μm。该技术尤其适用于碳化硅等高硬度材料加工,对比传统树脂结合剂砂轮,寿命延长50%,减少设备停机换轮频率,助力客户实现连续化生产。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。凭借独特的结合剂配方和显微组织设计,砂轮在粗磨和精磨中均表现出色 助力第三代半导体材料加工迈向新高度。
随着碳化硅功率器件在新能源汽车中的普及,优普纳砂轮已成功应用于多家头部车企的芯片供应链。例如,某800V高压平台电驱模块的SiC晶圆减薄中,优普纳30000#砂轮精磨后Ra≤3nm,TTV≤2μm,芯片导通损耗降低15%。客户反馈显示,国产砂轮在加工一致性与成本控制上远超进口竞品,单条产线年产能提升30%,为车规级芯片国产化奠定基础。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。从粗磨到精磨,优普纳砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上的应用,验证了其在不同加工阶段的稳定性和高效性。磨床砂轮进口品牌
从研发到生产,优普纳科技始终专注于提升碳化硅晶圆减薄砂轮的性能,以满足不断发展第三代半导体产业需求。江苏国产砂轮
在半导体制造等精密加工领域,精磨减薄砂轮发挥着举足轻重的作用。其工作原理基于磨料的磨削作用,通过砂轮高速旋转,磨粒与工件表面产生强烈摩擦,从而实现材料的去除与减薄。以江苏优普纳科技有限公司的精磨减薄砂轮为例,在碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料的加工中,砂轮中的磨粒凭借自身极高的硬度,切入坚硬且脆性大的半导体材料表面。磨粒的粒度分布经过精心设计,从粗粒度用于高效去除大量材料,到细粒度实现精密的表面修整,整个过程如同工匠精心雕琢艺术品。在磨削过程中,结合剂的作用不可或缺,它牢牢把持磨粒,使其在合适的时机发挥磨削功能,同时又能在磨粒磨损到一定程度时,适时让磨粒脱落,新的锋利磨粒得以露出,这一过程被称为砂轮的自锐性。优普纳的砂轮在结合剂的研发上投入大量精力,通过优化结合剂配方,实现了磨粒把持力与自锐性的完美平衡,确保在长时间的磨削作业中,砂轮始终保持稳定且高效的磨削性能,为半导体晶圆的高质量减薄加工奠定坚实基础。江苏国产砂轮