江苏优普纳科技有限公司的强度高微晶增韧陶瓷结合剂通过纳米级陶瓷相复合技术,明显提升砂轮抗冲击性与耐磨性。在6吋SiC衬底粗磨中,砂轮磨耗比低至11%,且无边缘崩缺现象,TTV精度稳定≤3μm。该技术尤其适用于碳化硅等高硬度材料加工,对比传统树脂结合剂砂轮,寿命延长50%,减少设备停机换轮频率,助力客户实现连续化生产。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。在6吋和8吋SiC线割片的加工中,优普纳砂轮均能保持稳定性能,无论是粗磨还是精磨,达到行业更高加工标准。国产化砂轮案例
在半导体制造领域,晶圆衬底的材质多种多样,包括单晶硅、多晶体、蓝宝石、陶瓷等。不同材质的晶圆对衬底粗磨减薄砂轮的要求也不同。江苏优普纳科技有限公司拥有丰富的砂轮制造经验和技术实力,能够根据客户的具体需求,提供定制化的砂轮解决方案。无论是硬度较高的碳化硅晶圆,还是脆性较大的氮化镓晶圆,我们都能提供合适的砂轮,确保在粗磨过程中获得更佳的加工效果。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。浙江砂轮维护碳化硅晶圆减薄砂轮,专研强度高的微晶增韧陶瓷结合剂。
江苏优普纳科技有限公司的精磨减薄砂轮具备一系列优越的产品特性,使其在市场中脱颖而出。首先是高耐磨性,砂轮所选用的磨粒,如针对第三代半导体材料的金刚石磨粒,具有极高的硬度和化学稳定性,能够在长时间、强度高的磨削过程中保持磨粒的形状和锋利度,明显延长了砂轮的使用寿命。以SiC晶圆减薄为例,相比传统砂轮,优普纳的产品可明显降低砂轮的更换频率,提高生产效率,降低生产成本。其次是高精度磨削能力,通过精确控制磨粒粒度分布和结合剂性能,砂轮能够实现纳米级别的磨削精度,确保加工后的晶圆表面粗糙度极低,平面度极高,满足半导体制造等领域对工件表面质量的严格要求。再者,砂轮具有良好的自锐性,在磨削过程中,当磨粒磨损到一定程度时,结合剂能及时释放磨粒,新的锋利磨粒迅速参与磨削,保证了磨削效率的稳定性,避免因磨粒钝化导致的加工质量下降和效率降低。同时,优普纳的精磨减薄砂轮还具备出色的散热性能,在高速磨削过程中,能有效将磨削产生的热量带走,减少因热变形对工件精度的影响,全方面保障了加工过程的稳定性和产品质量的可靠性。
江苏优普纳科技有限公司:碳化硅减薄砂轮已通过东京精密、DISCO等主流设备的兼容性测试,并获得多家国际半导体厂商的认证。例如,在DISCO-DFG8640设备上,优普纳砂轮连续加工1000片8吋SiC晶圆后,磨耗比仍稳定在200%以内,精度无衰减。这一表现不只达到进口砂轮水平,更以快速交付与本地化服务赢得客户青睐,成为国产替代优先选择的品牌。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮,以高精度、低损耗,成为国产碳化硅减薄砂轮市场的先行者 推动产业技术升级。
随着制造业的不断发展,市场对高性能磨削工具的需求日益增加。激光改质层减薄砂轮凭借其优越的性能,逐渐成为各类加工行业的优先选择工具。特别是在航空航天、汽车制造、模具加工等制造领域,激光改质层减薄砂轮的应用愈发增加。这些行业对产品的精度和表面质量要求极高,而激光改质层减薄砂轮能够在保证加工质量的同时,提高生产效率,降低生产成本。此外,随着环保意识的增强,激光改质层减薄砂轮的低磨损特性也符合可持续发展的要求,进一步推动了其市场需求的增长。在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中,优普纳砂轮对6吋SiC线割片进行粗磨,磨耗比11%,Ra≤30nm TTV≤3μm。浙江砂轮维护
优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮,以低磨耗比和高表面质量,打破国外技术垄断 为国内半导体企业提供高性价比选择。国产化砂轮案例
针对第三代半导体材料(SiC/GaN)的减薄需求,优普纳砂轮适配6吋、8吋晶圆,满足衬底片粗磨、精磨全流程。以东京精密HRG200X设备为例,6吋SiC线割片采用2000#砂轮粗磨,磨耗比只15%,Ra≤30nm;精磨使用30000#砂轮,磨耗比120%,Ra≤3nm,TTV稳定在2μm以下。DISCO设备案例中,8吋晶圆精磨后TTV≤2μm,适配性强,可替代日本、德国进口产品。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。国产化砂轮案例