尽管氧化石墨烯自身可以发射荧光,但有趣的是它也可以淬灭荧光。这两种看似相互矛盾的性质集于一身,正是由于氧化石墨烯化学成分的多样性、原子和电子层面的复杂结构造成的。众所周知,石墨形态的碳材料可以淬灭处于其表面的染料分子的荧光,同样的,在GO和RGO中存在的SP2区域可以淬灭临近一些物质的的荧光,如染料分子、共轭聚合物、量子点等,而GO的荧光淬灭效率在还原后还有进一步的提升。有很多文章定量分析了GO和RGO的荧光淬灭效率,研究表明,荧光淬灭特性来自于GO、RGO与辐射发生体之间的荧光共振能量转移或者非辐射偶极-偶极耦合。从微观方面,GO的聚集、分散、尺寸和官能团也对水泥基复合材料的力学性能有影响。济南官能化氧化石墨
氧化石墨烯表面的-OH和-COOH等官能团含有孤对电子,可作为配位体与具有空的价电子轨道的金属离子发生络合反应,生成不溶于水的络合物,从而有效去除溶液中的金属离子。Madadrang等45制得乙二胺四乙酸/氧化石墨烯复合材料(EDTA-GO),通过研究发现其对金属离子的吸附机制主要为络合反应,即氧化石墨烯的表面官能团与水中的金属离子反应形成复杂的络合物,具体过程如图8.7所示,由于形成的络合物不溶于水,可通过沉淀等作用分离去除水中的金属离子。开发氧化石墨增强碳基填料可以提高聚合物的热导率,但无法像提高导电性那么明显,甚至低于有效介质理论。
Su等人28利用氢碘酸和抗坏血酸对PET基底上的多层氧化石墨烯薄膜进行化学还原,得到30nm厚的RGO薄膜,并测试了其渗透性能。实验发现,对He原子和水分子完全不能透过。而厚度超过100nm的RGO薄膜对几乎所有气体、液体和腐蚀性化学试剂(如HF)是高度不可渗透的。特殊的阻隔性能归因于石墨烯层压板的高度石墨化和在还原过程中几乎没有结构损坏。与此结果相反,Liu等人29已经证明了通过HI蒸气和水辅助分层制备**式超薄rGO膜的简便且可重复的方法,利用rGO膜的毛细管力和疏水性,通过水实现**终的分层。采用真空抽滤在微孔滤膜基底上制备厚度低至20nm的**式rGO薄膜。
太赫兹技术可用于医学诊断与成像、反恐安全检查、通信雷达、射电天文等领域,将对技术创新、国民经济发展以及**等领域产生深远的影响。作为极具发展潜力的新技术,2004年,美国**将THz科技评为“改变未来世界的**技术”之一,而日本于2005年1月8日更是将THz技术列为“国家支柱**重点战略目标”**,举全国之力进行研发。传统的宽带THz波可以通过光整流、光电导天线、激光气体等离子体等方法产生,窄带THz波可以通过太赫兹激光器、光学混频、加速电子、光参量转换等方法产生。氧化石墨的亲水性好,易于分散到水泥基复合材料中。
光电器件是在微电子技术基础上发展起来的一种实现光与电之间相互转换的器件,其**是各种光电材料,即能够实现光电信息的接收、传输、转换、监测、存储、调制、处理和显示等功能的材料。光电传感器件指的是能够对某种特征量进行感知或探测的光电器件,狭义上*指可将特征光信号转换为电信号进行探测的器件,广义而言,任何可将被测对象的特征转换为相应光信号的变化、并将光信号转换为电信号进行检测、探测的器件都可称之为光电传感器。氧化石墨烯(GO)的光学性质与石墨烯有着很大差别。济南官能化氧化石墨
石墨烯具有很好的电学性质,但氧化石墨本身却是绝缘体(或是半导体)。济南官能化氧化石墨
氧化应激是指体内氧化与抗氧化作用失衡,倾向于氧化,导致中性粒细胞炎性浸润,蛋白酶分泌增加,产生大量氧化中间产物,即活性氧。大量的实验研究已经确认细胞经不同浓度的GO处理后,都会增加细胞中活性氧的量。而活性氧的量可以通过商业化的无色染料染色后利用流式细胞仪或荧光显微镜检测到。氧化应激是由自由基在体内产生的一种负面作用,并被认为是导致衰老和疾病的一个重要因素。氧化应激反应不仅与GO的浓度[17,18]有关,还与GO的氧化程度[19]有关。如将蠕虫分别置于10μg/ml和20μg/ml的PLL-PEG修饰的GO溶液中,GO会引起蠕虫细胞内活性氧的积累,其活性氧分别增加59.2%和75.3%。济南官能化氧化石墨