外延生长技术是碳化硅器件的关键环节，外延质量对器件性能影响很大，碳化硅衬底无法直接制作器件，優质外延工艺可改进微管（Micropipe）、多型、划痕、层错、贯穿螺型位错（TSD）、贯穿刃型位错（TED）和基平面位错（BPD）等衬底缺陷，减少外延生长缺陷，同时精确控zhi掺杂浓度，提升均匀性和器件良率。不同外延层厚度对应不同耐压等级的器件规格。通常，1µm的外延层对应100V左右的耐压；耐压在600V左右时，需要6µm左右的外延层；耐压高于10000V时，外延层厚度需在100µm以上。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！“中國國際先進陶瓷展览会”分享行业前沿技术：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！3月6日先进陶瓷及粉末冶金展览会
氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度，而后者会降低热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用（例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言，目前常用的陶瓷基板不是*佳选择。基板（陶瓷）和导体（铜）的热膨胀系数存在很大差异，会在热循环期间对键合区产生压力，进而降低可靠性。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长，设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高，所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下，基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观！3月6日先进陶瓷及粉末冶金展览会聚焦前沿技术，展示品质产品，2025年3月10日，来“中國國際先進陶瓷展览会”，与行业精英面对面交流！
碳化硅单晶材料按电学性能分导电型和半绝缘型，而导电型对应同质外延，半绝缘型对应异质外延。同质外延制成SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（缩写为MOS，金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件，适用于电子电力领域如新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电等；在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可制得SiC外延片，用于各类功率器件。异质外延制成HEMT（高电子迁徙率晶体管）等微波射频器件，适用于高频、高温环境如5G通讯、雷达、國防jun工等领域；在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可制得SiC基GaN外延片用于GaN射频器件。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！
在电动汽车主驱逆变器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明显优势，如功率转换效率高、逆变器线圈和电容小型化、降低电机铁损、束线轻量化和节省安装空间等。虽然碳化硅器件价格较高，但其优势可降低整车系统成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci将硅基 IGBT替换为SiC器件，大幅提升汽车逆变器效率，越来越多的车厂如比亚迪、蔚来、小鹏、保时捷等正在转向在电驱中使用碳化硅MOSFET器件。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动；第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会、2025上海國際增材制造应用技术展览会和2025上海國際粉体加工与处理展览会同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！先進陶瓷行业精英齐聚上海、交流合作、共谋发展，中國國際先進陶瓷展，3月10日我们共同见证盛会开幕！
刻蚀技术是SiC器件研制的关键，刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前，SiC刻蚀多采用干法刻蚀，其中电感耦合等离子体（ICP）刻蚀因其低压高密度的特点，具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点，而广泛应用。此外，刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度，以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科，及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案，其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！3月6日先进陶瓷及粉末冶金展览会
汇聚多方力量，整合优势资源，“中國國際先進陶瓷展览会：2025年3月10日上海世博展览馆，共襄行业盛会！3月6日先进陶瓷及粉末冶金展览会
半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！3月6日先进陶瓷及粉末冶金展览会
