半导体集成电路
• 应用场景:
◦ 晶圆制造:正性胶为主(如ArF/EUV胶),实现20nm以下线宽,用于晶体管栅极、接触孔等精细结构;
◦ 封装工艺:负性胶用于凸点(Bump)制造,厚胶(5-50μm)耐电镀溶液腐蚀。
• 关键要求:高分辨率、低缺陷率、耐极端工艺(如150℃以上高温、等离子体轰击)。
印刷电路板(PCB)
• 应用场景:
◦ 线路成像:负性胶(如环化橡胶胶)用于双面板/多层板外层线路,线宽≥50μm,耐碱性蚀刻液(如氯化铜);
◦ 阻焊层:厚负性胶(50-100μm)覆盖非焊盘区域,耐260℃焊接温度和助焊剂腐蚀;
◦ 挠性PCB(FPC):正性胶用于精细线路(线宽≤20μm),需耐弯曲应力。
• 优势:工艺简单、成本低,适合大面积基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板显示
• 应用场景:
◦ 彩色滤光片:正性胶制作黑矩阵(BM)和RGB色阻间隔层,耐UV固化和湿法蚀刻(如HF溶液);
◦ OLED像素定义:负性胶形成像素开口(孔径5-50μm),耐有机溶剂(如OLED蒸镀前的清洗液);
◦ 触控面板:正性胶制作透明电极(如ITO线路),线宽≤10μm,需透光率>90%。
• 关键参数:高透光性、低收缩率(避免图案变形)。
封装工艺中的光刻胶(如干膜光刻胶)用于凸块(Bump)和再布线层(RDL)制作。济南进口光刻胶工厂
制版光刻胶应用场景:印刷电路板(FPC)、触摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光学元件(如衍射光栅)的微纳加工。特点:高分辨率与耐化学性,确保模板的长期使用寿命。
水性光刻胶(JT-1200)应用场景:环保要求高的电子元件(如医疗设备、汽车电子)的制造,以及柔性电路的生产。特点:以水为溶剂,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 环保标准。
水油两用光刻胶(JT-2001/SR-3308)适用于混合工艺场景(如部分环节需水性显影,部分需溶剂显影),提升生产灵活性。
福州纳米压印光刻胶感光胶正性光刻胶生产厂家。
客户认证:从实验室到产线的漫长“闯关”
验证周期与试错成本
半导体光刻胶需经历PRS(性能测试)、STR(小试)、MSTR(中批量验证)等阶段,周期长达2-3年。南大光电的ArF光刻胶自2021年启动验证,直至2025年才通过客户50nm闪存平台认证。试错成本极高,单次晶圆测试费用超百万元,且客户为维持产线稳定,通常不愿更换供应商。
设备与工艺的协同难题
光刻胶需与光刻机、涂胶显影机等设备高度匹配。国内企业因缺乏ASML EUV光刻机测试资源,只能依赖二手设备或与晶圆厂合作验证,导致研发效率低下。例如,华中科技大学团队开发的EUV光刻胶因无法接入ASML原型机测试,性能参数难以对标国际。
吉田半导体助力区域经济,构建半导体材料生态圈,发挥企业作用,吉田半导体联合上下游资源,推动东莞松山湖半导体产业协同创新。
作为松山湖产业集群重要成员,吉田半导体联合光刻机制造商、光电子企业共建材料生态圈。公司通过技术输出与资源共享,帮助本地企业提升工艺水平,促进产业链协同创新。例如,与华中科技大学合作研发的 T150A KrF 光刻胶,极限分辨率 120nm,工艺宽容度优于日本信越同类产品,已实现量产并出口东南亚,为区域经济发展注入新动能。光刻胶生产工艺流程与应用。
吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等领域,通过差异化技术(如纳米压印、厚膜工艺)和环保特性(水性配方),满足从传统电子到新兴领域(如第三代半导体、Mini LED)的多样化需求。其产品不仅支持高精度、高可靠性的制造工艺,还通过材料创新推动行业向绿色化、低成本化方向发展。吉田半导体光刻胶的优势在于技术全面性、环保创新、质量稳定性及本土化服务,尤其在纳米压印、厚膜工艺及水性胶领域形成差异化竞争力。
PCB光刻胶用于线路板图形转移,需耐受蚀刻液的化学腐蚀作用。安徽PCB光刻胶供应商
在集成电路制造中,正性光刻胶曝光后显影时被溶解,而负性光刻胶则保留曝光区域。济南进口光刻胶工厂
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全品类覆盖
吉田半导体产品线涵盖正性 / 负性光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD 光刻胶、厚膜光刻胶及水性光刻胶等,覆盖芯片制造、显示面板、PCB 及微纳加工等多领域需求,技术布局全面性于多数国内厂商。
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关键技术突破
纳米压印技术:JT-2000 纳米压印光刻胶耐高温达 250℃,支持纳米级精度图案复制,适用于第三代半导体(GaN/SiC)及 Mini LED 等新兴领域,技术指标接近国际先进水平。
水性环保配方:JT-1200 水性感光胶以水为溶剂替代传统有机溶剂,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 标准,环保性能优于同类产品。
厚膜工艺能力:JT-3001 厚板光刻胶膜厚可控(达数十微米),满足高密度像素阵列及 MEMS 器件的制造需求。
济南进口光刻胶工厂