技术优势:23年研发沉淀与细分领域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻胶研发中实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如,其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系,实现了3μm的分辨率,适用于MEMS传感器、光学器件等领域。
技术壁垒:公司拥有23年光刻胶研发经验,掌握光刻胶主要原材料(如树脂、光酸)的合成技术,部分原材料纯度达PPT级。
细分领域技术先进
◦ 纳米压印光刻胶:在纳米级图案化领域(如量子点显示、生物芯片)实现技术突破,分辨率达3μm,填补国内空缺。
◦ LCD光刻胶:针对显示面板行业需求,开发出高感光度、高对比度的光刻胶,适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术。
研发投入与合作
公司2018年获高新技术性企业认证,与新材料领域同伴们合作开发半导体光刻胶,计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发。
中国光刻胶企业正加速技术突破,逐步实现高级产品的进口替代。江西紫外光刻胶国产厂家
吉田半导体 YK-300 正性光刻胶:半导体芯片制造的材料
YK-300 正性光刻胶以高分辨率与耐蚀刻性,成为 45nm 及以上制程的理想选择。
YK-300 正性光刻胶分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于半导体芯片前道工艺。其耐溶剂性与绝缘阻抗性能突出,在显影与蚀刻过程中保持图形稳定性。产品已通过中芯国际量产验证,良率达 98% 以上,生产过程执行 ISO9001 标准,帮助客户降低封装成本 20% 以上。支持小批量试产与定制化需求,为国产芯片制造提供稳定材料支撑。
珠海紫外光刻胶价格根据曝光光源的不同,光刻胶可分为紫外光刻胶(UV)、深紫外光刻胶(DUV)和极紫外光刻胶(EUV)。
广东吉田半导体材料有限公司成立于 2023 年,总部位于东莞松山湖经济技术开发区,注册资本 2000 万元。作为高新企业和广东省专精特新企业,公司专注于半导体材料的研发、生产与销售,产品线覆盖芯片光刻胶、LCD 光刻胶、纳米压印光刻胶、半导体锡膏、焊片及靶材等领域。其光刻胶产品以高分辨率、耐蚀刻性和环保特性著称,广泛应用于芯片制造、显示面板及精密电子元件生产。
公司依托 23 年行业经验积累,构建了完整的技术研发体系,拥有全自动化生产设备及多项技术。原材料均选用美国、德国、日本进口的材料,并通过 ISO9001:2008 质量管理体系认证,生产流程严格执行 8S 现场管理标准,确保产品稳定性与一致性。目前,吉田半导体已与多家世界 500 强企业及电子加工企业建立长期合作,产品远销全球市场,致力于成为半导体材料领域的企业。
制版光刻胶应用场景:印刷电路板(FPC)、触摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光学元件(如衍射光栅)的微纳加工。特点:高分辨率与耐化学性,确保模板的长期使用寿命。
水性光刻胶(JT-1200)应用场景:环保要求高的电子元件(如医疗设备、汽车电子)的制造,以及柔性电路的生产。特点:以水为溶剂,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 环保标准。
水油两用光刻胶(JT-2001/SR-3308)适用于混合工艺场景(如部分环节需水性显影,部分需溶剂显影),提升生产灵活性。
产业链配套:原材料与设备协同发展。
LCD 正性光刻胶(YK-200)应用场景:LCD 面板的电极图案化(如 TFT-LCD 的栅极、源漏极)、彩色滤光片制造。特点:高感光度与均匀涂布性,确保显示面板的高对比度和色彩还原度。
厚膜光刻胶(JT-3001)应用场景:Mini LED/Micro LED 显示基板的巨量转移技术,以及 OLED 面板的封装工艺。特点:膜厚可控(可达数十微米),满足高密度像素阵列的精细加工需求。
PCB 光刻胶(如 SU-3 负性光刻胶)应用场景:高多层 PCB、HDI(高密度互连)板的线路成像,以及 IC 载板的精细线路制作。特点:抗电镀性能优异,支持细至 50μm 以下的线宽 / 线距,适应 5G 通信、服务器等 PCB 需求。
未来光刻胶将向更高分辨率、更低缺陷率的方向持续创新。江西油墨光刻胶感光胶
正性光刻胶的工艺和应用场景。江西紫外光刻胶国产厂家
技术趋势与挑战
半导体先进制程:
◦ EUV光刻胶需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷数<10个),开发低粗糙度(≤5nm)材料;
◦ 极紫外吸收问题:胶膜对13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑战化学增幅体系的灵敏度。
环保与低成本:
◦ 水性负性胶替代溶剂型胶(如PCB阻焊胶),减少VOC排放;
◦ 单层胶工艺替代多层胶,简化流程(如MEMS厚胶的一次性涂布)。
新兴领域拓展:
◦ 柔性电子:开发耐弯曲(曲率半径<5mm)、低模量感光胶,用于可穿戴设备电路;
◦ 光子芯片:高折射率胶(n>1.8)制作光波导,需低传输损耗(<0.1dB/cm)。
典型产品与厂商
• 半导体正性胶:
◦ 日本信越(Shin-Etsu)的ArF胶(分辨率22nm,用于12nm制程);
◦ 美国陶氏(Dow)的EUV胶(灵敏度10mJ/cm²,缺陷密度<5个/cm²)。
• PCB负性胶:
◦ 中国容大感光(LP系列):耐碱性蚀刻,厚度20-50μm,国产化率超60%;
◦ 日本东京应化(TOK)的THMR-V:全球PCB胶市占率30%,适用于高可靠性汽车板。
• MEMS厚胶:
◦ 美国陶氏的SU-8:实验室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需优化交联均匀性);
◦ 德国Microresist的MR胶:耐深硅蚀刻,线宽精度±2%,用于工业级MEMS制造。
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