光刻胶(Photoresist)是一种对光敏感的高分子材料,主要用于光刻工艺中,通过光化学反应实现图案的转移,是半导体、集成电路(IC)、印刷电路板(PCB)、液晶显示(LCD)等制造领域的材料之一。
光刻胶特性与组成
• 光敏性:在特定波长(如紫外光、极紫外光EUV等)照射下,会发生化学结构变化(如交联或分解),从而改变在显影液中的溶解性。
• 主要成分:
◦ 树脂(成膜剂):形成基础膜层,决定光刻胶的机械和化学性能。
◦ 光敏剂:吸收光能并引发化学反应(如光分解、光交联)。
◦ 溶剂:调节粘度,便于涂覆成膜。
◦ 添加剂:改善性能(如感光度、分辨率、对比度等)。
光刻胶是有什么东西?云南制版光刻胶厂家
吉田半导体的自研产品已深度融入国内半导体产业链:
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芯片制造:YK-300 光刻胶服务中芯国际、长江存储,支持国产 14nm 芯片量产。
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显示面板:YK-200 LCD 光刻胶市占率达 15%,成为京东方、华星光电战略合作伙伴。
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新能源领域:无卤无铅焊片通过 UL 认证,批量应用于宁德时代储能系统,年供货量超 500 吨。
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研发投入:年研发费用占比超 15%,承担国家 02 专项课题,获 “国家技术发明二等奖”。
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产能规模:光刻胶年产能 5000 吨,纳米压印光刻胶占全球市场份额 15%。
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质量体系:通过 ISO9001、IATF 16949 等认证,生产过程执行 8S 管理,批次稳定性达 99.5%。
吉田半导体将继续聚焦光刻胶研发,加速 EUV 光刻胶与木基材料技术突破,目标在 2027 年前实现 7nm 制程材料量产。同时,深化国产供应链协同,构建 “材料 - 设备 - 工艺” 一体化生态圈,为中国半导体产业自主化贡献 “吉田力量”。
从突破国际垄断到行业标准,吉田半导体以自研自产为引擎,走出了一条中国半导体材料企业的崛起之路。未来,公司将以更具竞争力的产品与技术,助力中国半导体产业迈向更高台阶。
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产品特点:耐溶剂型优良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能优良;经特殊乳化聚合技术处理,网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高;剥膜性好,网版可再生使用;解像性、高架桥性好,易做精细网点和线条;感光度高,曝光时间短,曝光宽容度大,节省网版作业时间,提高工作效率 。
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应用范围:适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板(PCB)、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案,满足皮革制品精细印刷需求,制作各类标牌保证图案清晰,用于 PCB 制造满足高精度要求等。
吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000:国产技术突破耐高温极限
自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温,为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳米压印光刻胶采用国产交联树脂,在 250℃高温下仍保持图形保真度 > 95%。产品采用国产原材料与全自动化工艺,其高粘接强度与耐强酸强碱特性,适用于光学元件、传感器等精密器件。产品已通过国内科研机构验证,应用于国产 EUV 光刻机前道工艺,帮助客户实现纳米结构加工自主化。
光刻胶生产工艺流程与应用。
国产替代进程加速
日本信越化学因地震导致KrF光刻胶产能受限后,国内企业加速验证本土产品。鼎龙股份潜江工厂的KrF/ArF产线2024年12月获两家大厂百万大单,二期300吨生产线在建。武汉太紫微的T150A光刻胶性能参数接近日本UV1610,已通过中芯国际14nm工艺验证。预计到2025年,国内KrF/ArF光刻胶国产化率将从不足5%提升至10%。
原材料国产化突破
光刻胶树脂占成本50%-60%,八亿时空的光刻胶树脂产线预计2025年实现百吨级量产,其产品纯度达到99.999%,金属杂质含量低于1ppb。怡达股份作为全球电子级PM溶剂前段(市占率超40%),与南大光电合作开发配套溶剂,打破了日本关东化学的垄断。这些进展使光刻胶生产成本降低约20%。
供应链风险缓解
合肥海关通过“空中专线”保障光刻胶运输,将进口周期从28天缩短至17天,碳排放减少18%。国内在建12座光刻胶工厂(占全球总数58%),预计2025年产能达3000吨/年,较2023年增长150%。
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人才与生态:跨学科团队的“青黄不接”
前段人才的结构性短缺
光刻胶研发需材料化学、半导体工艺、分析检测等多领域。国内高校相关专业毕业生30%进入光刻胶行业,且缺乏具有10年以上经验的工程师。日本企业通过“技术导师制”培养人才,而国内企业多依赖“挖角”,导致技术传承断裂。
产业链协同的“孤岛效应”
光刻胶研发需与晶圆厂、设备商、检测机构深度协同。国内企业因信息不对称,常出现“材料性能与工艺需求不匹配”问题。例如,某国产KrF光刻胶因未考虑客户产线的显影液参数,导致良率损失20%。
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