上海技术密集BOE蚀刻液生产

    然后将装有蚀刻液的石英烧瓶放入加热套中加热，待加热到确定温度后，放入氮化硅样片进行蚀刻；蚀刻完后，取出样片采用热超纯水清洗和氮气吹干后，使用椭圆偏振光谱仪对蚀刻前所取位置的6个点的厚度进行测量，计算蚀刻前后6个取点的厚度差值，对比6个点之间的厚度差值的差异。与现有的使用磷酸作为蚀刻液相比，本发明的有益效果是：醇醚类和表面活性剂的添加能明显改善磷酸溶液的浸润性和降低磷酸溶液的表面张力，有效提高了蚀刻液对氮化硅层的润湿性和蚀刻均匀性。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明，对本发明做进一步详细的说明，但不限于这些实施例。本发明的蚀刻液配制时选择的磷酸浓度为85％，蚀刻温度为160℃，蚀刻时间为10min。先对所配制蚀刻液的表面张力进行检测，然后将氮化硅样片使用超纯水清洗和氮气吹干后，进行接触角的测量；蚀刻前使用超纯水清洗和氮气吹干氮化硅样片后，在氮化硅样片上取6个不同位置的点对其厚度进行测量；蚀刻完成后使用热超纯水清洗和氮气吹干氮化硅样片后，取与蚀刻前相同位置的6个点进行厚度测量。实施例1本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制，先称取浓度为85％的磷酸，然后称取添加剂加入磷酸中。BOE蚀刻液厂家直销价格。上海技术密集BOE蚀刻液生产

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    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。

    本实用新型属于废液处理领域，尤其涉及一种酸性蚀刻液电解后液处理系统。背景技术：酸性蚀刻液是用于印制电路板线路制作和多层板内层制作的蚀刻液，随着电路板行业的迅速发展，产生的废液量越来越大，发掘的污染物种类也越来越多，对环境造成巨大的危害，此类问题也成为社会的重要课题。为了减少甚至杜绝此类污染的发生，我们需要对酸性蚀刻液进行回收循环利用。目前对于酸性蚀刻废液的再生利用大多采用化学或电化学的方法，但传统的方法废液中总铜的含量不断增大，比重增加，必须排掉一部分废液或者补加子液和水来控制参数，这样污染大，影响环境，而且还会造成铜和酸的浪费。技术实现要素：本实用新型所要解决的技术问题为如何通过简单、低成本的技术实现种酸性蚀刻液电解后废液的再生利用。为解决上述技术问题，本实用新型是这样实现的，一种酸性蚀刻液电解后液处理系统，包括：电解槽，具有一出液口和出气口，且内置有酸性蚀刻液，用于对所述酸性蚀刻液进行电解提铜，产生氯气，得到电解后液；再生液调配缸，具有进液口和循环出液口，所述进液口通过管道与所述电解槽的出液口连接以接收电解后液；射流器，其进气口通过导气管与所述电解槽的出气口连接以接收所述氯气。苏州博洋化学股份有限公司专业生产BOE蚀刻液。

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