高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固体物料润湿,剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。因此,本申请中的高世代面板铜制程光刻胶剥离液由酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂组成。其中,酰胺可以为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种,酰胺是用于溶解光刻胶;n-甲基甲酰胺下面简称″nmf″醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种,醇醚是用于润湿、膨润、溶解光刻胶的;二乙二醇丁醚下面简称″bdg″。环胺与链胺,用于渗透、断开光刻胶分子间弱结合力;链胺:分子量的大小决定瞬间溶解力,分子量过大瞬间溶解力小,光刻胶未被完全溶解;分子量过小,对金属的腐蚀性增强,影响产品质量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,链胺为乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一种或多种;环胺:溶解光刻胶中环状结构的树脂,包括氨乙基哌嗪、羟乙基哌嗪、氨乙基吗啉中的任意一种或多种;上述链胺与环胺的比例在4∶1-1∶4之间。缓蚀剂,用于降低对金属的腐蚀速度,缓蚀剂为三唑类物质,具体为苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一种。润湿剂。苏州性价比高的剥离液。铜陵京东方用的蚀刻液剥离液
形成带有沉淀物的固液混合物,打开一级过滤罐进料管路上的电磁阀18,固液混合物进入一级过滤罐16的过滤筒中,先由一级过滤罐16的过滤筒过滤得到一级线性酚醛树脂,滤液由提升泵6送往搅拌釜的循环料口7,往复3次数后,一级线性酚醛树脂回收完成,关闭一级过滤罐进料管路上的电磁阀18,利用提升泵6将一级过滤罐16中滤液抽取到搅拌釜10内备用;2、向搅拌釜10中输入酸性溶液,与前述滤液充分搅拌混合再次析出沉淀物,即二级线性酚醛树脂,利用ph计检测溶液ph值,当达到5-7范围内即可,打开二级过滤罐13进料管路上的电磁阀17,带有沉淀物的混合液进入二级过滤罐13中,由其中的过滤筒过滤得到二级线性酚醛树脂,废液二级过滤罐底部的废液出口20流出,送往剥离成分处理系统。上述过滤得到的一级线性酚醛树脂可用于光刻胶产品的原料,而二级线性酚醛树脂可用于其他场合。铜陵京东方用的蚀刻液剥离液剥离液蚀刻后如何判断好坏 ?
本发明提供的光刻胶剥离去除方法第二实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积一层二氧化硅薄膜作为介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入,离子注入剂量范围为1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离,氢氮混合比例范围为4:96~30:70。s5,对衬底表面进行清洗,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和过氧化氨混合物溶液。本发明提供的光刻胶剥离去除方法第三实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积一层二氧化硅薄膜作为介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入,离子注入剂量范围为1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离,氢氮混合比例范围为4:96~30:70。s5,对硅片执行单片排序清洗,清洗液采用h2so4:h2o2配比范围为6:1~4:1且温度范围为110℃~140℃的过氧化硫磺混合物溶液。
湿电子化学品位于电子信息产业偏中上游的材料领域。湿电子化学品上游是基 础化工产品,下游是电子信息产业(信息通讯、消费电子、家用电器、汽车电子、 LED、平板显示、太阳能电池、**等领域)。湿电子化学品的生产工艺主要采用物 理的提纯技术及混配技术,将工业级的化工原料提纯为超净高纯化学试剂,并按照 特定的配方混配为具有特定功能性的化学试剂。湿电子化学品行业是精细化工和电 子信息行业交叉的领域,其行业特色充分融入了两大行业的自身特点,具有品种多、 质量要求高、对环境洁净度要求苛刻、产品更新换代快、产品附加值高、资金投入 量大等特点,是化工领域相当有发展前景的领域之一。苏州博洋化学股份有限公司剥离液;
本发明涉及剥离液技术领域:,更具体的说是涉及一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。背景技术::电子行业飞速发展,光刻胶应用也越来越。在半导体元器件制造过程中,经过涂敷-显影-蚀刻过程,在底层金属材料上蚀刻出所需线条之后,必须在除去残余光刻胶的同时不能损伤任何基材,才能再进行下道工序。因此,光刻胶的剥离质量也有直接影响着产品的质量。但是传统光刻胶剥离液虽然能剥离绝大部分光阻,但对于高世代面板(高世代面板是代指大尺寸的液晶面板),传统剥离液亲水性不够,水置换能力较差,容易造成面板边缘光刻胶残留。技术实现要素:本发明的目的是提供一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液。为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:本申请公开了一种高世代面板铜制程光刻胶剥离液,包括以下质量组分:酰胺:50-60%;醇醚:35-45%;环胺与链胺:3-7%;缓蚀剂:%%;润湿剂:%%。的技术方案中,所述的酰胺为n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种或多种。的技术方案中,所述的醇醚为二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一种或多种。的技术方案中。剥离液有水性和溶剂型两种不同的区分。铜陵银蚀刻液剥离液厂家现货
哪家公司的剥离液是比较划算的?铜陵京东方用的蚀刻液剥离液
能够增强亲水性,使得剥离液亲水性良好,能快速高效地剥离溶解光刻胶。润湿剂含有羟基,为聚乙二醇、甘油中的任意一种。下面通过具体实施例对本申请作进一步详细说明。以下实施例对本申请进行进一步说明,不应理解为对本申请的限制。表一:两种不同组分的剥离液配方一和配方二所采用的基础组分基本相同,不同的是配方二中加入有润湿剂,上述所描述的润湿剂是用于增强亲水性的,滴液与产品表面间的夹角为接触角,接触角可用来衡量润湿程度,水滴角测试仪可测量接触角,从润湿角度考虑,接触角<90°,且接触角越小润湿效果越好加入润湿剂后的配方二所制得的剥离液,在滴落在高世代面板后,通过水滴角测试仪测接触角,检测图如图1所示,三次测试的接触角如下表二:上述两种不同组分的剥离液作接触角测试接触角配方一配方二测试一,加入润湿剂后的配方二所制得的剥离液,其滴落在高世代面板后,其接触角比未加入润湿剂的配方一的剥离液润湿效果更好;请参阅图2所示,将配方一所制得的剥离液以及配方二所制得的剥离液进行光刻胶剥离,图2中的阴影圆点为浸泡时间t1后光刻胶残留,明显地,可以看出配方二中t1时间后光刻胶残留量小,而配方一中产品边缘处光刻胶的残留量大。铜陵京东方用的蚀刻液剥离液