集成电路技术的进步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成电路中晶体管的数量每两年翻一番，这种趋势被称为摩尔定律。这种增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般来说，随着特征尺寸的缩小，集成电路操作的几乎每个方面都得到改善。每个晶体管的成本和每个晶体管的开关功耗下降，而存储容量和速度上升，这是通过丹纳德标度定义的关系实现的。 因为速度、容量和功耗的提高对**终用户来说是显而易见的，所以制造商之间在使用更精细的几何结构方面存在激烈的竞争。多年来，晶体管尺寸已经从 20 世纪 70 年代早期的 10 微米减小到 2017 年的 10 纳米[20]每单位面积的晶体管数量相应地增加了百万倍。截至 2016 年，典型的芯片面积从几平方毫米到大约 600 平方毫米，高达 2500 万晶体管每平方毫米。业务已经拓展到全国各地。滨湖区集成电路芯片智能系统
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封装概念狭义:利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。广义:将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。芯片封装实现的功能1、传递功能；2、传递电路信号；3、提供散热途径；4、结构保护与支持。封装工程的技术层次封装工程始于集成电路芯片制成之后，包括集成电路芯片的粘贴固定、互连、封装、密封保护、与电路板的连接、系统组合，直到**终产品完成之前的所有过程。
截至 2018 年，绝大多数晶体管都是使用平坦的二维平面工艺，在硅芯片一侧的单层中制造的。研究人员已经生产了几种有希望的替代品的原型，例如:堆叠几层晶体管以制造三维集成电路(3DC)的各种方法，例如硅通孔，“单片 3D”， 堆叠引线接合， 和其他方法。由其他材料制成的晶体管:石墨烯晶体管 s .辉钼矿晶体管,碳纳米管场效应晶体管,氮化镓晶体管，类似晶体管纳米线电子器件,有机晶体管等等。在小硅球的整个表面上制造晶体管。 对衬底的修改，通常是为了制造用于柔性显示器或其它柔性电子学的柔性晶体管，可能向卷轴式计算机的方向发展。 随着制造越来越小的晶体管变得越来越困难，公司正在使用多晶片模组、三维晶片、3D 与非门、封装在封装上和硅穿孔来提高性能和减小尺寸，而不必减小晶体管的尺寸| 无锡微原电子科技，集成电路芯片的可靠伙伴。
由电力驱动的非常小的机械设备可以集成到芯片上，这种技术被称为微电子机械系统。这些设备是在 20 世纪 80 年代后期开发的 并且用于各种商业和***应用。例子包括 DLP 投影仪，喷码机，和被用于汽车的安全气袋上的加速计和微机电陀螺仪.自 21 世纪初以来，将光学功能(光学计算)集成到硅芯片中一直在学术研究和工业上积极进行，使得将光学器件(调制器、检测器、路由)与 CMOS 电子器件相结合的硅基集成光学收发器成功商业化。 集成光学电路也在开发中，使用了新兴的物理领域，即光子学。集成电路也正在为在医疗植入物或其他生物电子设备中的传感器的应用而开发。 在这种生物环境中必须应用特殊的密封技术，以避免暴露的半导体材料的腐蚀或生物降解。| 高性能集成电路芯片，源自无锡微原电子科技。青浦区节能集成电路芯片
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电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜，集成电路。另有一种厚膜集成电路，是由**半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。从1949年到1957年，维尔纳·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、西德尼·达林顿（SidneyDarlington）、樽井康夫（YasuoTarui）都开发了原型，但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖，但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯，却早于1990年就过世。滨湖区集成电路芯片智能系统
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