从20世纪30年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（William Shockley）认为是固态真空管的**可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在20世纪40到50年代被系统的研究。尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和比较高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。
半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：光刻刻蚀薄膜（化学气相沉积或物***相沉积）掺杂（热扩散或离子注入）化学机械平坦化CMP使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。 | 无锡微原电子科技，芯片技术演绎科技魅力。北京通用集成电路芯片
总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了，单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC也存在问题，主要是泄漏电流。因此，对于**终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临改进芯片结构的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。**在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为由集成电路带来的数字**是人类历史中**重要的事件。IC的成熟将会带来科技的***，不止是在设计的技术上，还有半导体的工艺突破，两者都是必须的一环。江西集成电路芯片品牌| 创新驱动，无锡微原电子科技的芯片技术。
国际半导体技术发展蓝图(ITRS)多年来预测了特征尺寸的预期缩小和相关领域所需的进展。**终的ITRS于2016年发布，现已被《设备和系统国际路线图》取代。[21]**初，集成电路严格地说是电子设备。集成电路的成功导致了其他技术的集成，试图获得同样的小尺寸和低成本优势。这些技术包括机械设备、光学和传感器。电荷耦合器件和与其密切相关的有源像素传感器是对光敏感的芯片。在科学、医学和消费者应用中，它们已经在很大程度上取代了照相胶片。现在每年为手机、平板电脑和数码相机等应用生产数十亿台这样的设备。集成电路的这个子领域获得了2009年诺贝尔奖。
它在电路中用字母“IC”表示。集成电路的发明者是JackKilby（集成电路基于锗(Ge)）和RobertNoyth（基于硅(Si)的集成电路）。当今半导体行业的大多数应用都是基于硅的集成电路。集成电路是1950年代末和1960年代发展起来的一种新型半导体器件。它是通过氧化、光刻、扩散、外延、蒸镀铝等半导体制造工艺，将形成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元器件以及它们之间的连接线都集成到一个小片上硅片，然后焊接封装在封装中的电子设备。其包装外壳有圆壳式、扁平式或双列式等多种形式。集成电路技术包括芯片制造技术和设计技术，主要体现在加工设备、加工技术、封装测试、量产和设计创新能力等方面。| 无锡微原电子科技，专注于集成电路芯片的细节打磨。
因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双极型组件（如双极性晶体管）消耗的电流少很多。透过电路的设计，将多颗的晶体管管画在硅晶圆上，就可以画出不同作用的集成电路。随机存取存储器是**常见类型的集成电路，所以密度比较高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。| 先进技术在手，无锡微原电子科技的芯片解决方案。通用集成电路芯片扣件
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