气体放电管在综合浪涌保护系统中的应用自动控制系统所需的浪涌保护系统一般由二级或三级组成，利用各种浪涌抑制器件的特点，可以实现可靠保护。气体放电管一般放在线路输入端，做为“级浪涌保护器件，承受大的浪涌电流。二级保护器件采用压敏电阻，在us级时间范围气体放电管内更快地响应。对于高灵敏的电子电路，可采用三级保护器件tvs，在ps级时间范围内对浪涌电压产生响应。如图5所示。当雷电等浪涌到来时，tvs首先起动，会把瞬间过电压精确控制在一定的水平:如果浪涌电流大则压敏电阻起动，并泄放一定的浪涌电流:两端的电压会有所提高，直至推动前级气体放电管的放电，把大电流泄放到地。深圳市凯轩业科技致力于气体放电管生产研发设计，竭诚为您服务。江西半导体放电管
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。江西半导体放电管厂家直销，原装气体放电管就选凯轩业科技。
气体放电管的结构及特性开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性，气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。
气体放电管（GasDischargeTubeGDT）是由密封惰性气体于放电管介质的一个或者一个以上放电间隙组成的器件，是一种开关型过压保护元件。气体放电管通流量大，结电容低，绝缘电阻高，响应速度慢，击穿残压较高，并且有续流。适合应用在信号端口初级，电源端口（与钳位型串联）。气体放电管的主要参数包括：直流击穿电压DCSpark-overVoltage：又称为直流火花放电电压，是指施加缓慢升高的直流电压时，GDT火花放电时的电压，一般电压斜率为100V/s；脉冲击穿电压:MaximumImpulseSpark-overVoltage,亦称比较大冲击火花放电电压,是指施加规定上升率和极性的冲击电压,在放电电流流过GDT之前,其两端子间的电压比较大值，一般电压斜率为1000V/us；标称冲击放电电流:NominalImpulseDischargeCurrent,是指给定波形的冲击电流峰值,一般为8/20μs的脉冲电流波形,为GDT的额定值；耐冲击电流寿命:ImpulseLife,衡量GDT耐受多次冲击电流的能力,在一定程度上反映了GDT的稳定性及可靠性,一般施加10/1000μs的脉冲电流若干次；深圳市凯轩业科技半导体放电管设计值得用户放心。江西半导体放电管
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放电管保护应用中存在的问题一、时延脉冲及续流从暂态过电压达到放电管的ufdc（直流放电电压）到其实际动作放电之间，存在一段时延，的大小取决于过电压波的波头上升陡度du/dt。一般不单独使用放电管来保护电子设备，而在放电管后面再增加一些保护元件，以抑制这种时延脉冲。续流：放电管泄放过电流结束以后，被保护系统的工作电压能维持放电管电弧通道的存在，这种情况称为续流。续流的存在对放电管本身和被保护系统具有很大的危害性。熔断器的额定电流高于被保护系统的正常运行电流，其熔断电流小于放电管在电弧区的续流。这种方法会造成供电和信号传输的短时中断，对于要求不高的电子设备可以接受。二、状态翻转及短路反射放电管在开始放电时，由开路状态翻转为导通状态，翻转过程中，暂态电流的变化率di/dt很大，这种迅速变化的暂态电流在空间产生暂态电磁场向四周辐射能量，在附近的电源线和信号线上产生干扰，或在周围的电气回路中产生感应电压。通常采取的抑制方法有屏蔽、减小耦合和滤波等。放电管导通后，入射波被反射回去，使得后面的电子设备得到保护，但反射波电流产生的空间电磁场也会向周围辐射能量，需要加以抑制。江西半导体放电管
