智能穿戴锂保

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。采样需采用π型滤波电路，滤波电容需靠近 IC。智能穿戴锂保

在使用电源管理IC时，还需要注意以下几点：选择适合的电源管理IC：不同的电子设备对电源管理IC的需求不同，因此在选择电源管理IC时需要考虑设备的功耗、电压要求和其他特殊需求。确保选择适合的电源管理IC可以提高设备的性能和可靠性。正确连接和布局：电源管理IC通常需要与其他电子元件连接，因此在连接时需要确保正确的引脚连接和电路布局。不正确的连接和布局可能导致电源管理IC无法正常工作或引起其他问题。通过合理使用电源管理IC，可以提高设备的性能和可靠性，延长设备的使用寿命。XB4908AJL4b2高PSRR-LDO完全没凸波40V耐压LDO。

深圳市点思半导体有限公司专注于智能电源控制技术，主要面向智能快充，储能和工业电源领域，提供高性能数模混合芯片产品。公司成立于2023年，总部设立在深圳，同时在成都设有研发中心。研发团队来自国内外大型半导体公司，拥有多位海归大厂技术骨干，都拥有着10年以上的芯片开发经验，拥有强大的研发创新能力。创立之初便推出了多款移动电源SOC，帮助客户实现产品升级，受到客户的高度认可。移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充，集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块，并提供输入/输出的过压/欠压，电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能，支持1-6节电池，支持22.5-140W功率选择，支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/BC1.2DCP及APPLE2.4A等主流快充协议。点思半导体秉承着为客户提供好的产品的理念，立志成为国内高级的数模混合芯片设计公司。从业20年的市场总监带领团队分析市场需求和发展趋势,为公司产品研发指出方向。

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。正极保护的锂电池保护方案。

电源管理芯片的工作原理：以开关稳压器中的降压型（Buck）芯片为例，其工作原理基于电感和电容的储能特性。当开关管导通时，输入电源给电感充电，电流逐渐上升，同时向电容和负载供电。当开关管关断时，电感中的电流通过二极管续流，继续向负载供电，同时电容维持输出电压的稳定。通过控制开关管的导通时间和关断时间的比例（即占空比），可以调节输出电压的大小。这种方式能够实现高效率的电压转换，尤其在处理大电流和高功率的应用中表现出色。当恒流充电使电池电压接近电池充满电压时，进入恒压充电。XB8886M

变更连接在 CCSEL 管脚的下拉电阻的阻值，可以配置应用方案为不同的充电功率。智能穿戴锂保

DS5036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS5036B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。智能穿戴锂保