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在锂电池保护领域，芯纳科技 xinnasemi 作为行业内的重要力量，携手赛芯代理，为众多应用提供高质量的锂电池保护 IC 和二合一锂电保护 IC。例如，在某消费电子品牌的新型智能手机中，芯纳科技的锂电池保护 IC 精细监测电池状态，有效防止过充、过放等异常情况，保障了电池的安全和稳定性，从而为用户带来更持久可靠的使用体验。

芯纳科技XINNASEMI 凭借其的技术实力，与上海如韵展开深度合作。在一款新兴的智能穿戴设备中，其提供的二合一锂电保护 IC 发挥了关键作用。通过对电池电压、电流的精确控制，成功避免了电池在复杂使用环境下的潜在风险，确保设备在长时间运行过程中电池始终处于安全稳定状态，使得该智能穿戴设备在市场上赢得了良好的口碑。 DS5036B-1S-22.5W方案：单串22.5-27W双向移动电源。XB8783AHM

DS3056B集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、电池过充保护的功能。过压/欠压保护：电池充电过程中，DS3056B实时监测输入电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭充电通路。过流保护：充电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，触发过流保护，芯片自动关闭充电通路。过温保护：电池充放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测电池温度。当温度超出预设的保护门限时，首先降低功率。如果降低功率仍然无法抑制过温，则自动关闭充电通路。电池过充保护：充电过程中，实时监测电池电压。当电池电压达到充电截止电压时，自动关闭充电通路。XBL6015J2SSM电源管理IC两串两节保护DS2730：降压型 PD3.0 C+CA 多口快充SOC。

DS3056B支持电池串数的选择功能、电池充满电压的选择功能、充电功率的选择功能。变更连接在CNSEL管脚的下拉电阻R14的阻值，可以配置应用方案为2-6串电池的充电管理（NC-2串、620K-串、180K-串、100K-串、39K-串）。变更连接在BFSEL管脚的下拉电阻R13的阻值，可以匹配不同规格的电池、即选择电池的充满电压（NC-4.2V、620K-4.3V、180K-4.4V、100K-4.45）。变更连接在CCSEL管脚的下拉电阻R15的阻值，可以配置应用方案为不同的充电功率（NC-30W、620K-45W、180K-60W、100K-65W、39K-100W）。

DS6036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS6036B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。电池电源管理芯片，包括锂离子电池（Li-ion）、锂聚合物电池（Li-Po）以及镍氢电池（Ni-MH）等。

2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPBDS6036B 2~6串30~100W方案：支持 2~6节电池串联，支持 30~100W 功率选择。XB6042J2S电源管理IC赛芯微代理

单节至四节镍氢电池进行充电管理。该器件内部包括功率晶体管，不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。XB8783AHM

DS2730集成了过压/欠压保护、过流保护、过温保护、短路保护功能。过压/欠压保护：放电过程中，DS2730实时监测输入/输出电压，并和预设的阈值电压比较。如果电压高于过压阈值或低于欠压阈值，且维持时间达到一定长度时，芯片关闭放电通路。过流保护：放电过程中，利用内部的高精度ADC，实时监测流经采样电阻的电流。当电流大于预设的过流阈值时，首先降低输出功率；如果降低功率后仍然持续过流，则触发过流保护，芯片自动关闭放电通路。过温保护：放电过程中，利用连接在TS管脚上的NTC，实时监测芯片自身的温度或应用方案中关键元件的温度（例如，MOS管）。当温度超出预设的保护门限时，降低放电功率。短路保护：放电过程中，实时检测VBUS的电压和放电电流。发生VBUS输出短路时，自动关闭放电通路。XB8783AHM